主题:尼康全画幅会用A7III传感器还是其他的呢?
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尼康负责人曾经说过不用相位对焦,怕会损失画质(借口罢了)

可是话毕竟放出去没法收回,如果用了A7III同款CMOS,那就要被打脸了

如果是D750那款,只用反差对焦,那估计要狗带

如果用双像素对焦,目前索尼没专利或者成形的全画幅双核对焦产品
难不成和佳能买CMOS?

尼康自己找欧美厂或者其他日系厂商都不大可能,除了佳能、索尼,目前没有其他家有双核对焦CMOS制造能力了~
更别提全画幅的~
索尼给尼康定制了D850的CMOS,还会特意突破自己限制,去定制双像素对焦CMOS给尼康?我觉得不可能吧

不管如何,拭目以待,如果这次尼康推出成功产品,是对无反竞争的好事,那还能和索尼一起孤立佳能~

如果产品反响一般。。。那就狠狠砸自己脚了~


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本帖最后由 因雀斯汀 于 2018-7-23 16:57 编辑

相关标签: D750 佳能 尼康 索尼
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光荣与梦想 发表于 2018-7-25 14:17
堆栈的电路层、存储层和像素层怎么链接的啊?TSV连接并不只限于背照,一般结构依然能连呀
不紧挨着,在感光层上打孔,布线到基板吗?
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realt 发表于 2018-7-25 14:04
同面怎么往堆栈式底的控制层布线?


堆栈的电路层、存储层和像素层怎么链接的啊?TSV连接并不只限于背照,一般结构依然能连呀
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估计还是采用d850老套路:对外宣传是自发研制,厂商代工。然后一帮泥粉出来欢呼举天同庆不是大法的底,最后一个拆机视频又再次打脸。。。然后下一台机再次循环套路。。。
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melfes 发表于 2018-7-25 13:32
这可不一定,A7III要单独做成单层形式那就要重新布线,生产流程也要重新安排,索尼半导体是吃饱了撑着浪费成本去做这个吃力不讨好的事情


A7III的感光器不就是A7R2/R3的感光器的缩减像素版吗? 需要重新弄什么生产工艺啊?

a9的感光器的制造工艺才是全新的。
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光荣与梦想 发表于 2018-7-25 13:53
我是说理论上背照、前照都能做堆栈懂吗?  至于厂家到底怎么做那是厂家选择的自有。这和固有理论没有矛盾懂不?

另外背照是需要大幅度削薄基板底衬的厚度的(大概要削薄到一般前照式感光器的1/50以下,甚至更薄,这本身在做大尺寸背照感光器时就有很大难度的懂不,理论上若是前照的话,布线和像素层同面,你不用削薄感光层的底衬,这个良品率会提高很多,尤其对尺寸大的而言)
同面怎么往堆栈式底的控制层布线?
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realt 发表于 2018-7-25 13:21
你的解释,清晰地指出索尼背照成为堆栈基础的原因,因为电路如果在感光元件正面,则缓存层与电路之间就隔着感光层了,前照加堆栈反而结构更复杂,对于已经有背照技术的厂家来说,不会再在前照技术上去做堆栈。

电气连接关系是感光元件-电路-逻辑控制电路-缓存。
对于cmos制作来说,如果具备空间上与连接关系一致的条件,自然要优先选择这个方案了。

应该说索尼堆栈式cmos,就是背照式的控制电路挪下基板上去,再加了缓存的产品。本质上还是比背照式先进,a7m3的cmos并不是最先进的2400万像素全幅底。


我是说理论上背照、前照都能做堆栈懂吗?  至于厂家到底怎么做那是厂家选择的自有。这和固有理论没有矛盾懂不?

另外背照是需要大幅度削薄基板底衬的厚度的(大概要削薄到一般前照式感光器的1/50以下,甚至更薄,这本身在做大尺寸背照感光器时就有很大难度的懂不,理论上若是前照的话,布线和像素层同面,你不用削薄感光层的底衬,这个良品率会提高很多,尤其对尺寸大的而言) 本帖最后由 光荣与梦想 于 2018-7-25 13:55 编辑
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不用相位对焦的话转接单反镜头根本就没戏。但发布初期没镜头可用很尴尬的。
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光荣与梦想 发表于 2018-07-25 11:47
A7III和A9的CMOS完全不是一码事儿,一个背照一个 堆栈,基本结构上有质的差异。不光是缓存。a9的CMOS是三层结构,最核心的...

这可不一定,A7III要单独做成单层形式那就要重新布线,生产流程也要重新安排,索尼半导体是吃饱了撑着浪费成本去做这个吃力不讨好的事情
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光荣与梦想 发表于 2018-7-25 12:10
你需要看图才能加强理解,整篇概念都不知所云。

看懂了吗? 背照式结构还是单层的懂吗?  堆栈式是咋回事儿? 是把本身单层结构的逻辑电路控制区,全部移到了最下面的主基板上,而无论是BSI(背照)还是FSI(前照),它们的下面主基板上都是空的,是没有控制像素区域的逻辑电路的。

所以从理论上来讲,无论BSI还是FSI,如果想的话都能做成堆栈式结构。 记住:堆栈并不一定是背照。 只不过SONY的堆栈式全部已经是背照结构而已。
你的解释,清晰地指出索尼背照成为堆栈基础的原因,因为电路如果在感光元件正面,则缓存层与电路之间就隔着感光层了,前照加堆栈反而结构更复杂,对于已经有背照技术的厂家来说,不会再在前照技术上去做堆栈。

电气连接关系是感光元件-电路-逻辑控制电路-缓存。
对于cmos制作来说,如果具备空间上与连接关系一致的条件,自然要优先选择这个方案了。

应该说索尼堆栈式cmos,就是背照式的控制电路挪下基板上去,再加了缓存的产品。本质上还是比背照式先进,a7m3的cmos并不是最先进的2400万像素全幅底。
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a85 发表于 2018-7-25 08:51
尼康设计,索尼代工。


你去饭店会点个菜就当自己是厨师了?
别给脸上贴金了
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realt 发表于 2018-7-25 09:09
当时被西区回复过,觉得他说得很有道理,如果不是背照,那缓存是怎么装上去的呢?多层结构,感光层,电路层,缓存层,其实也是背照。

画质不如A7m3是连拍时,读速一上去别说微单,就连体育单反,一样的画质有限。https://www_pc841_com/shoujizhishi/35001_2.html


你需要看图才能加强理解,整篇概念都不知所云。

看懂了吗? 背照式结构还是单层的懂吗?  堆栈式是咋回事儿? 是把本身单层结构的逻辑电路控制区,全部移到了最下面的主基板上,而无论是BSI(背照)还是FSI(前照),它们的下面主基板上都是空的,是没有控制像素区域的逻辑电路的。

所以从理论上来讲,无论BSI还是FSI,如果想的话都能做成堆栈式结构。 记住:堆栈并不一定是背照。 只不过SONY的堆栈式全部已经是背照结构而已。

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realt 发表于 2018-7-25 11:35
可以说索尼堆栈的基础就是背照。


哪个告诉你的?背照的核心是像素区域的像素和布线层,布线层占据了一定比例的感光面积(而布线部分本身不能感光),而背照的意思是把像素区和布线颠倒了位置(让像素区域的感光效率更高),所以叫背照。但背照根本上来所还是单一层的机构。在层数的物理结构上和普通的FSI(前照式)一模一样。

堆栈的核心是像素区域和控制它的逻辑电路,CMOS的构造,像素区域和逻辑电路是分开在同一层上,像素区域归像素区,而逻辑电路归逻辑电路区,堆栈的意义是把像素区作为独立的一层,而将电路区也作为独立的一层,二者由同层并排布设,变为了上下两层布设。

所以背照式严格意义上和堆栈式所变动的核心区域是完全不同的。理论上即便是FSI(前照)感光器也可以做成堆栈式结构的。
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realt 发表于 2018-7-24 07:33
以前也是这么认为,其实是第2块或第三块,是a9/venice那块的无缓存版本


A7III和A9的CMOS完全不是一码事儿,一个背照一个 堆栈,基本结构上有质的差异。不光是缓存。a9的CMOS是三层结构,最核心的是像素感光层与逻辑电路了控制分成了上下两层结构,中间还加了一层存储器。

而 A7III的CMOS只有一层,仅仅是本来像素区的布线和像素颠倒了位置而已。请弄明白再煞有介事的有的放矢。
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光荣与梦想 发表于 2018-7-25 11:30
呵呵,堆栈式和背照可不一样,可不单单是少缓存。堆栈式是把所有控制CMOS像素的逻辑电路了都做到像素感光层的下面第二层去了。而背照式仅仅是布线结构和像素层在正反两面而已。完全不一样的概念。

堆栈的核心不是缓存(带缓存的是在堆栈的基础上,增加了一层高速存储器,把两层变为了三层),而是像素感光层和逻辑电路分开两层布设。 而背照的核心是像素感光层的像素间的布线结构和像素颠倒了位置而已。当然SONY的堆栈式已经是背照结构了。
可以说索尼堆栈的基础就是背照。
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realt 发表于 2018-7-24 07:33
以前也是这么认为,其实是第2块或第三块,是a9/venice那块的无缓存版本


呵呵,堆栈式和背照可不一样,可不单单是少缓存。堆栈式是把所有控制CMOS像素的逻辑电路了都做到像素感光层的下面第二层去了。而背照式仅仅是布线结构和像素层在正反两面而已。完全不一样的概念。

堆栈的核心不是缓存(带缓存的是在堆栈的基础上,增加了一层高速存储器,把两层变为了三层),而是像素感光层和逻辑电路分开两层布设。 而背照的核心是像素感光层的像素间的布线结构和像素颠倒了位置而已。当然SONY的堆栈式已经是背照结构了。
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a85 发表于 2018-7-25 08:51
尼康设计,索尼代工。
尼康提技术要求,索尼与之讨价还价,做到什么程度,收多少钱。

最终,由于A99m2这个平台索尼影像部门不打算玩了,市场缺一个吃掉新型号CMOS生产中发热略高,不适合架五轴上工作的CMOS产品,这个时候,索尼CMOS生产部门收到了尼康的橄榄枝,于是就有了尼康的新产品。

8192*5462(3:2)=44.7M,跟传闻45M差不多。

尼康提50M,索尼说只能44.7M

8K摄像机是索尼影像部门的旗舰,A9/A7R3无论是技术含量,价格都与之相差很远,重点谋划的东西必须是这个摄像机,而DCI 8K 是必须要达到的指标,长边必须8192像素。

这次索尼确实没保留给了自己当前最好的东西

索尼自家只能等生产稳定,发热降下来可以挂五轴防抖上,才能发布自己的对应性能的微单。

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没钱买烟 发表于 2018-7-25 08:36
A9的不是背照式传感器,a9画质不如a7m3,所以a7m3出的时候很多人骂索尼,因为它有些方面超越9 7r
当时被西区回复过,觉得他说得很有道理,如果不是背照,那缓存是怎么装上去的呢?多层结构,感光层,电路层,缓存层,其实也是背照。

画质不如A7m3是连拍时,读速一上去别说微单,就连体育单反,一样的画质有限。https://www_pc841_com/shoujizhishi/35001_2.html 本帖最后由 realt 于 2018-7-25 09:13 编辑
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a85 发表于 2018-7-25 08:51
尼康设计,索尼代工。

尼康有那本事850早就问世了
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可能是宽幅底,那样的话和a73还有什么关心呢(如果不是的话当打脸)
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尼康设计,索尼代工。
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realt 发表于 2018-7-24 07:33
以前也是这么认为,其实是第2块或第三块,是a9/venice那块的无缓存版本

A9的不是背照式传感器,a9画质不如a7m3,所以a7m3出的时候很多人骂索尼,因为它有些方面超越9 7r
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因雀斯汀 发表于 2018-7-23 22:09
**** 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽 ****


可能是良品率太低导致成本太高,只有莱卡这种主可乐标附送相机的承担得起。
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三星cmos最近进步很大,不知可能否
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雨过天街 发表于 2018-07-24 00:57
sony各个部门之间是相互独立的,影像部门和半导体部门是两个部门,影像部门影响不了半导体部门的决策——Nikon给得起钱,订货量大,...


说对了一半,理论上说是没错,但由于两家在终端产品上是竞争对手,所以实际并非如此,没见背照CMOS索尼两年多前就用在了A7RII上,而一直并未向尼康供货,尼康只能用D810在市场支撑(也是索尼之前最好的芯片),并与A7R2抗衡,结果你已经看到了吧,全幅销售直接被甩到第三,现在索尼最新的堆栈式芯片已用在了A9上,自然两年多前的背照式芯片再卖给尼康用也很正常了,就像你说的,这个钱索尼还是要赚的,当然,这块背照式芯片技术目前也还不算差,比起佳能的老汤底还是要先进的多,再说尼康不选这,还有啥更好的选择呢?再想,如果索尼继续只提供D810上那块3600W芯片,而不提供背照芯片又会是啥结局?索尼钱还是能赚到的吧?而尼康的市场呢?明白了吧?
本帖由安卓客户端编辑于:2018-07-24 15:34:40
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山野的秋 发表于 2018-7-24 01:47
要不是索尼这次施舍,成就了尼康D850,此时的尼康全幅销售可就难堪了。

这分分钟被掐住蛋蛋的日子不那么好过哦。\\n\\n


sony各个部门之间是相互独立的,影像部门和半导体部门是两个部门,影像部门影响不了半导体部门的决策——Nikon给得起钱,订货量大,为啥不卖?
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没钱买烟 发表于 2018-7-24 07:04
2400万像素背照式传感器,这好像是第一块,高感接近a7sii。
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尼康的蛋蛋一直攥在索尼手里,看这次能否改变
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