主题：索尼实在是太可怕了,感觉还没怎么发力竞品就已经没活路了
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yjl1979 发表于 2019-1-23 03:36
家电厂商炫耀的是各种花哨技术，专业厂家是在可靠性售后支持上做文章
炫技？所谓专业厂如果连对焦这项最基本性能都比所谓”家电”厂都差一截，常常焦都对不上，还谈啥可靠性和售后？到底谁专业搞清楚了吗？
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jibadan 发表于 2019-1-23 02:44
A7000，M5II
两家都在等着对方先出牌
我看这两家都要再憋上一两年，最后索尼憋不住只好先发
索尼会把M5II放在眼里？M5II能与A7000比？A6300能比的过不？
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righthero 发表于 2019-1-23 14:12
最新工艺1平方毫米可以集成一个亿场效应管，况且传感器可以向上或下增加多1-2毫米，一点点也不影响成像，就可以多30-70亿场效应管，现在传感器边缘没有用的部分都超过1毫米了。2400万像素 加相位对焦点6000多个模数转换足够了。
堆栈是索尼最好折中的办法。
索尼有强项，但不是万能，更不是神。
起码模数 处理器远远不如三星
SONY未来的感光器发展方向就是像素级ADC，也就是每一个像素配一个ADC，样品做了个低像素，高帧率的。16.08 x 12.73mm尺寸；146万像素（换而言之，其ADC数量也是差不多146万个），14Bit，660fps（数据规模等同于1,460万像素，14Bit，66fps）。这么高帧频，功耗控制极其优秀，最大功耗只有区区：746mw（不到1w）。
这感光器天生全局快门（因为每个像素都配了ADC，光电转换后，直接模数成数字信号进行存储同时曝光），读出速度更是爆表（不是现有的感光器所能比拟的）。
这个技术全部仰仗SONY的Cu-Cu铜铜互连的DBI结构的堆栈式来实现。所以的ADC全部分布在堆栈式的逻辑层上，完全不占用感光层的有效感光面积。 这种像素级ADC感光器几乎就是感光器数据交换速度的终极形态（拥有最高的读出速度，且自带全局快门属性）。
这个技术你用一般的前照和背照式结构是完全实现不了的。 而像素级ADC的全局快门感光器就是未来SONY感光器的发展方向（相比现在的感光器，其技术优势是不言而喻的）。这个完全靠堆栈式结构！
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righthero 发表于 2019-1-23 13:52
人家都堆栈式了，干嘛还要缩小制程在同一面集成模数转换（这不是脱了裤子放屁吗?）
谁想堆呀，工艺难度高，索尼没办法，没有更好的制程工艺。三星10纳米就不需要堆，可以在传感器边缘集成ADC，但成本高，10纳米做传感器目前不值得。
你这又在臆想！ 首先感光层提升制程是没用的这个先明白？ 三母猩65nm的感光层怎么被180nm的 SONY IMX193吊打的？！
模拟感光层的暗电流、QE、阱容这些重要的物理性能都是相对更大的制程越容易做到更好的性能。对电流、电压波动的耐受性对模拟器件来说，也是更大的制程越容易保持稳定性。
对感光器来说，刷制程和模拟层一点关系都没有，完全是因为逻辑运算电路的需要。
但逻辑运算电路是规模量决定运算强弱。 问你一个很简单的问题， 同样的片上ADC，你觉得是50,000个牛逼，还是500个牛逼啊？！
ADC这玩意儿不能感光明白不？ 你想高速并行处理数据，就需要每一列配备巨大数量的ADC，如果想实现像素级ADC（一个像素自带一个ADC，天生全局快门，这时候CMOS的读出数据速度将达到最快，不是一般的列ADC能比的），那你的感光器有效感光面积就被浪费的太多了（不管你用多小的制程，ADC也占着坑不拉屎懂不？），那样的话一定、必须、无条件的使用堆栈式感光器，而且必须是SONY的DBI直通直联结构的堆栈式才行，一般的TSV堆栈根本实现不了。
所以越是强调读出速度，越是强调感光面积和读出速度完美平衡，SONY的堆栈式底子的技术优势将越明显，三母猩这种的一边凉快去吧。
拼速度，三母猩能拼过SONY？ 我不否认三母猩逻辑电路的制程工艺更先进，但人家SONY的感光器逻辑电路根本不需要自己生产，它都是外包给台积电和美光科技这种去做的，在制程上三母猩有的，SONY闭着眼睛也有（且一分钱不用投资生产线）。 在制程方面假若是前照和背照式，三母猩有可能在读出速度上靠制程扳回一局，但若是堆栈式的话，三母猩在SONY面前，所谓的制程优势将一丁点也没有。
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确实是可怕呀
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righthero 发表于 2019-1-23 13:52
人家都堆栈式了，干嘛还要缩小制程在同一面集成模数转换（这不是脱了裤子放屁吗?）
谁想堆呀，工艺难度高，索尼没办法，没有更好的制程工艺。三星10纳米就不需要堆，可以在传感器边缘集成ADC，但成本高，10纳米做传感器目前不值得。
别瞎联系，CMOS是线性电路与二极管堆成的数字电路是两码事
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righthero 发表于 2019-1-23 13:47
1.不可否认索尼在感光二极管滤镜模拟放大等等感光模拟部分还很有积累和参数优势。
2. 三星也开始从低端做起了，索尼也还不是积累出来的吗。 索尼毕竟几代发展了，三星才开始。
3. 视频4k120p 超采 瓶颈是模数转换速度和功耗以及ai更智能对焦测光视频编码，这些是三星的绝对的强项。感光二极管发热很小，高速模数发热是瓶颈。
4. 当年佳能传感器如日中天，一样被索尼赶超。
5. 几年内看看有啥变化
6. 索尼3代确实是在保守挤牙膏了，处理器性能类似5年前的三星nx1
这个又错了，三母猩做CMOS感光器远远比SONY早。 SONY早期是CCD的死硬派，人家根本看不上 CMOS。在2004年之前SONY的CMOS图像传感器大概排在世界10名之后的位置， 三母星一直是前三。
后来SONY把CCD的技术优势转到CMOS上来了，率先世界第一个大规模量产了基于SOI的背照式感光器，大概从iphone 4s那会儿开始，才逐渐成为CMOS感光器领域的老大。
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righthero 发表于 2019-1-23 11:47
1. 个人看法，感觉是这样的，几年内就能看出来了，我也不大懂，抛砖引玉。
2. 三星手机传感器市场份额仅次于索尼，这几年增长率肯定超过索尼了。趋势是这样。
这个更是拍脑袋想出来的。 趋势是SONY做大后，变成更大的速度在不断加快！和你想的刚好是相反的。
2016年全球的感光器市场的版图： 当时SONY的占比是42%；三母猩的占比是：18%。
2017年全球感光器市场的版图：SONY的占比是 52.2%（占比比2016年大幅提升了10个百分点）；三母猩的占比是：19.1%（和SONY的差距是在不断加大中的趋势）
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righthero 发表于 2019-1-23 12:03
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
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righthero 发表于 2019-1-23 12:03
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
人家都堆栈式了，干嘛还要缩小制程在同一面集成模数转换（这不是脱了裤子放屁吗?），SONY的DBI堆栈式要做的即使充分利用整个感光层下层的基板的所有面积，能集成更多的ADC和其他逻辑运算电路。
你算算数学，在同一层的话，你感光层的像素区必然要占据最大的面积，只有剩下的面积才可供你集成ADC和其他逻辑运算电路，无论你制程缩得再小，你可集成逻辑电路的区域都是很有限的。
但堆栈式完全没有这个困扰，感光层下面的和感光层一样大面积的可以停靠航母的区域，全部可以用来堆放ADC和逻辑运算电路，假若是全画幅的话乖乖，36 x 24mm啊！等于下面的基板层也将有36 x 24mm的面积来堆放各种逻辑电路。这种优势哪里是同一层集成所能比拟的（所以缩小制程，同层集成的想法在堆栈式面前，完全是脱了裤子放屁，脑子进水的做法）。当然对那些根本没有堆栈式量产技术的厂商来说是有价值的，但对于SONY来说一丁点价值都没有。
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righthero 发表于 2019-1-23 12:43
http://dcdv.zol.com.cn/492/4929340.html
http://www_camerabeta_com/rumor/samsung/dxomark-about-the-nx1-sensor-hail-the-new-king-of-aps-c-hybrids/502
1. 索尼还有积累的优势，
2. 堆栈解决模数发热性能
3. 三星也得有个过程，也得慢慢投入，不可能一口吃个胖子。
这个是遥远的2011年就实现了（看清楚啊，是45和32nm）， 理想很丰满，现实很残酷。现在这玩意儿还看的到吗？ 早就被SONY 团灭了。现在松下自己的相机都清一色全部用SONY感光器了。
松下宣布全球最高感光度MOS影像传感器
2011-05-13 10:16:17 出处：快科技 作者：Skyangeles 编辑：Skyangeles
松下公司日前宣布，基于自主νMaicovicon MOS影像传感器技术，已经打造出了全球最高感光度的MOS影像传感器。同时，这款名为SmartFSI的新影像传感器还改善了采集影像的亮度和色彩均匀性，提升画质。
松下在这颗MOS影像传感器芯片中使用了自家最先进的32nm和45nm半导体制造工艺，实现了线路层的底高度化，增大开口面积和光电二极管体积，从而实现了目前业内MOS影像传感器最高的灵敏度：3050el/lx/sec/μm2。
由于原理的不同，MOS影像传感器在高感光度下的优势在于亮度均匀性，而CCD的优势在于色彩均匀性。SmartFSI通过在芯片内光学结构中使用“三维波动”构造，降低聚光系统结构边缘的漏光率，减少色彩混合现象，实现了接近甚至高于CCD产品的色彩均匀性。得益于这种改良，在镜头与感光元件距离较短的卡片相机或手机中，也能实现更高的画质。
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144 帖
righthero 发表于 2019-1-23 12:43
http://dcdv.zol.com.cn/492/4929340.html
http://www_camerabeta_com/rumor/samsung/dxomark-about-the-nx1-sensor-hail-the-new-king-of-aps-c-hybrids/502
1. 索尼还有积累的优势，
2. 堆栈解决模数发热性能
3. 三星也得有个过程，也得慢慢投入，不可能一口吃个胖子。
现在类似像IMX400等这类带高速存储器的三层堆栈式感光器，存储器的外部代工厂SONY选择的是美国的美光科技，未来不排除选择三母猩给SONY三层堆栈式感光器的存储器做代工呵呵！
希望到时候SONY觉得有必要用更大容量的存储器，让三母猩用10nm乃至更小的制程为自己代工呵呵
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143 帖
righthero 发表于 2019-1-23 12:43
http://dcdv.zol.com.cn/492/4929340.html
http://www_camerabeta_com/rumor/samsung/dxomark-about-the-nx1-sensor-hail-the-new-king-of-aps-c-hybrids/502
1. 索尼还有积累的优势，
2. 堆栈解决模数发热性能
3. 三星也得有个过程，也得慢慢投入，不可能一口吃个胖子。
鞋厂的D5500使用的是SONY最老式的180nm 的前照式感光器（连背照都不是，而且是上上一代的180nm工艺）IMX193。
但IMX193的核心感光层的电气性能却要比三母猩65nm的APS-C的BSI-CMOS明显要好。 D5500的动态范围达到14EV 明显高于65nm的NX1感光器的13.2EV。
灵敏度方面D5500感光器的可用ISO是1,438 也比NX1的感光器的1,363略好。 所以你明白了吗？ 制程只能提升感光器的数据交换速度（读出速度；主要优势体现在主感光器的刷新速度、帧率等环节），但真正感光器的物理电气性能是很难通过刷制程有明显那提高的（而往往刷制程对感光层的物理电器性能是不升反降）。
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142 帖
光荣与梦想 发表于 2019-1-23 12:29
你这是想当然。 2011年松下就推出了45nm的MOS感光器工艺呵呵（三母猩一直到2014年才使用65nm工艺制造BSI感光器，单论工艺还赶不上三年前的松下呢）。
可结果如何呢？ 松下45nm MOS工艺的感光器，在性能上还打不过当时180nm的SONY感光器，最后松下放弃了自己的45nm的MOS，不得不全部换装了SONY CMOS哈哈哈
现在的M43阵营虽然感光器依然还标注着：Live-MOS的字样，但实际上只有象征意义了，这些Live-MOS的底已经全部是SONY哥的BSI-CMOS了。
更直接对比，三母猩2014年推出的65nm的APS-C BSI-CMOS，其模拟感光层的电气性能要大幅落后于当时SONY 180nm的FSI-CMOS（尤其是动态范围信噪比）。 三母猩的65nm的APS-C的NX1 其感光层电气性能的动态范围、信噪比均远落后于SONY 180nm的IMX193呵呵。当然作为逻辑电路的读出速度来说肯定是提高了，但核心的模拟感光层的电气性能却是下降的懂不？！ ...
http://dcdv.zol.com.cn/492/4929340.html
http://www_camerabeta_com/rumor/samsung/dxomark-about-the-nx1-sensor-hail-the-new-king-of-aps-c-hybrids/502
1. 索尼还有积累的优势，
2. 堆栈解决模数发热性能
3. 三星也得有个过程，也得慢慢投入，不可能一口吃个胖子。
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righthero 发表于 2019-1-23 12:26
1. 没有精细几倍制造能力，会遇到瓶颈天花板
2. 好多都可以光谱分析，你索尼能搞，三星一样可以搞的更好，反之则不行。半导体工业底蕴在那摆着。
3. 中国就是举全国之力千亿美金搞半导体，等到快和三星台积电比肩的时候，就是彻底崛起的时候。如果台积电不给华为代工，华为手机就可能完蛋。
SONY没有不提升制程，只是人家的堆栈式结构不需要自己投钱去提升制程，逻辑层的制程外部厂商想怎么提升SONY是举双手双脚欢迎，因为它们提升的制程，最终都能唯我所用呵呵。
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140 帖
righthero 发表于 2019-1-23 12:16
1. 理论上7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。
2. 就如用最紧密的机床做普通螺丝 会更精细，虽然没有太大必要，但至少可以，一定比差的机床做的好。
3. 7纳米光刻只是加工最高精度，可以画700纳米的形状。但90纳米想画好10纳米的东西就不可能了。
你这是想当然。 2011年松下就推出了45nm的MOS感光器工艺呵呵（三母猩一直到2014年才使用65nm工艺制造BSI感光器，单论工艺还赶不上三年前的松下呢）。
可结果如何呢？ 松下45nm MOS工艺的感光器，在性能上还打不过当时180nm的SONY感光器，最后松下放弃了自己的45nm的MOS，不得不全部换装了SONY CMOS哈哈哈
现在的M43阵营虽然感光器依然还标注着：Live-MOS的字样，但实际上只有象征意义了，这些Live-MOS的底已经全部是SONY哥的BSI-CMOS了。
更直接对比，三母猩2014年推出的65nm的APS-C BSI-CMOS，其模拟感光层的电气性能要大幅落后于当时SONY 180nm的FSI-CMOS（尤其是动态范围信噪比）。 三母猩的65nm的APS-C的NX1 其感光层电气性能的动态范围、信噪比均远落后于SONY 180nm的IMX193呵呵。当然作为逻辑电路的读出速度来说肯定是提高了，但核心的模拟感光层的电气性能却是下降的懂不？！
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光荣与梦想 发表于 2019-1-23 12:19
对感光器来说，材料、结构的进化要比刷制程在性能上提升不知道大多少倍！ SONY的BSI 和 堆栈式的量产推出，实际都是从结构上根本的改变来优化感光器的性能，而不是靠刷制程懂不？！ 而类似材料、结构等这些玩意儿的开发是小日本的强项，南棒最头疼的东西。
再比如松下现在在弄的有机感光器是从根本的材料上大幅度提升感光器的性能，这些都是小日本的最强项，南棒在材料、结构等研发上差得远了去了。这些东西它们学都学不会！
1. 没有精细几倍制造能力，会遇到瓶颈天花板
2. 好多都可以光谱分析，你索尼能搞，三星一样可以搞的更好，反之则不行。半导体工业底蕴在那摆着。
3. 中国就是举全国之力千亿美金搞半导体，等到快和三星台积电比肩的时候，就是彻底崛起的时候。如果台积电不给华为代工，华为手机就可能完蛋。
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righthero 发表于 2019-1-23 12:03
1. 成本是相对的，随着28nm以上落后的半导体工艺产能的淘汰，更好工艺一样可以便宜。
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
3. 和人一样，饭是一口一口的吃的，有个过程，只是看成本 人力 时间 代价了。三星为保价格缩减内存产能，已经转内存生产线做传感器了，相比索尼，三星还是很从容的。估计未来应该是国产半导体来打破这个平衡。
对感光器来说，材料、结构的进化要比刷制程在性能上提升不知道大多少倍！ SONY的BSI 和 堆栈式的量产推出，实际都是从结构上根本的改变来优化感光器的性能，而不是靠刷制程懂不？！ 而类似材料、结构等这些玩意儿的开发是小日本的强项，南棒最头疼的东西。
再比如松下现在在弄的有机感光器是从根本的材料上大幅度提升感光器的性能，这些都是小日本的最强项，南棒在材料、结构等研发上差得远了去了。这些东西它们学都学不会！
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光荣与梦想 发表于 2019-1-23 12:09
你用28nm工艺去做做感光器的模拟感光层试试！ 做出来的感光器能用才怪。模拟器件对电流电压你数字的敏感的多，你缩小制程实际就意味着电气性能的稳定性保持越困难，稍微的电流、电压的波动可能就可能造成感光器寿终正寝。
1. 理论上7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。
2. 就如用最紧密的机床做普通螺丝 会更精细，虽然没有太大必要，但至少可以，一定比差的机床做的好。
3. 7纳米光刻只是加工最高精度，可以画700纳米的形状。但90纳米想画好10纳米的东西就不可能了。 本帖最后由 righthero 于 2019-1-23 12:20 编辑
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righthero 发表于 2019-1-23 12:03
1. 成本是相对的，随着28nm以上落后的半导体工艺产能的淘汰，更好工艺一样可以便宜。
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
是的，同样面积下，电路处理部分可以做的更小精度更高更碎片化，光电部分的有效面积越来越大，间隙越来越小，图片的蚊帐效应越轻微。我觉得足够条件下，做到单像素单处理到变成团块化自由组合处理，前置智能化自动处理暗部噪音。底层就把后面的很多需要处理器做的事情都做了。
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135 帖
righthero 发表于 2019-1-23 12:03
1. 成本是相对的，随着28nm以上落后的半导体工艺产能的淘汰，更好工艺一样可以便宜。
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
你用28nm工艺去做做感光器的模拟感光层试试！ 做出来的感光器能用才怪。模拟器件对电流电压比你数字逻辑电路敏感的多，你缩小制程实际就意味着电气性能的稳定性保持越困难，稍微的电流、电压的波动就可能造成感光器寿终正寝。
本帖最后由 光荣与梦想 于 2019-1-23 12:12 编辑
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righthero 发表于 2019-1-23 11:47
虽然索尼目前可能有积累经验 光子模拟转电压等等的优势，在新工艺和制造能力的面前可能是不堪一击，只要三星觉得值得投入。
5. 模数转换 ADC DSP AI精细智能对焦测光 编码处理器 更是三星的优势。更不要说闪存内存了。索尼核心貌似仅仅只有积累的感光二极管滤色镜等等优势。正如当年的佳能被索尼超越。综合底蕴索尼远远比不上三星。
6. 三星300元的256g TF卡，集成几千亿的场效应管能力，还有读写超1000MB/S的手机3代闪存，96层闪存制造能力，远远不是索尼可以比的。
你说的这几点恰恰是SONY感光器的优势。人家玩得是堆栈式， 你说的这些需要工艺和制程的东西，在SONY的感光器上是和感光层分离的结构，这些需要最高的制程的逻辑半导体，人家SONY自己根本不用投一份钱，统统委托第三方外包（比如手机感光器上三层堆栈式感光器IMX400， 它的最上面的感光层是90nm工艺，SONY自己生产的，最下面的逻辑电路是40nm的【是外包给台积电生产的】；中间的高速存储器是30nm的【是外包给美光科技生产的】）。对SONY来说，自从堆栈式问世以来，世界上拥有最微细的逻辑半导体加工生产线的厂商实际都唯SONY而用，基本上它们更新了怎样的生产线，SONY的堆栈式感光器如有必要就能享受到怎样的制程进步（甚至包括三母猩在内，都有可能成为SONY堆栈式感光器的存储器的代工厂）。
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光荣与梦想 发表于 2019-1-23 11:50
三母猩产能大的是闪存，而其大部分闪存工厂都是28nm以下的高微细的逻辑半导体工厂，这种半导体工厂根本不具备改CMOS图像感光器的潜质，感光器的感光层作为模拟器件来说，90nm工艺已经绰绰有余，工艺越小模拟器件的电气性能越难保持，成本越高。 你用超微细的逻辑半导体去改感光器的话，那是会吐血的，将自己的成本大幅提高不说，而且量产的感光器电气性能会很不稳定（目前世界上还没有能以45nm以下工艺量产出的电气性能非常稳定的模拟感光层的感光器呵呵）。目前既保持感光层的电气性能可靠性又保证相对均衡的制程的感光层工艺是90nm（这是目前行业最稳定的感光层量产工艺，无论太大还是太小都起反作用）。
而存储器要改感光器，只能用很老制程的工厂去改，且改了以后，效率是大幅下降的。且你改了以后产能提升并不表明你的市场销售收入能达到领先者的水平。
因为二者技术起点完全不是一个级别的，三母猩量再大，它只能倾销那些SONY根本正眼看不上的低端客户（非常廉价），真正的像苹果、华为这样的高端客户（类似像华为这种价格相对昂贵得多的IMX600（或iphone单独定制）定制级摄像头）根本不会尿三母猩这种做低端产品的。
拿2017年全年来说，如果仅仅按照销售数量来看，SONY领先三母猩并不多： ...
1. 成本是相对的，随着28nm以上落后的半导体工艺产能的淘汰，更好工艺一样可以便宜。
2. 更精细工艺的半导体一定比老工艺的要好，7纳米当然也可以造大尺寸的传感器，光刻边缘可以更锐利，一定比90纳米工艺强，还可以直接在同一面集成模数转换。只是成本太高，但没有高利润的代工订单，当然也可以转做传感器。
3. 和人一样，饭是一口一口的吃的，有个过程，只是看成本 人力 时间 代价了。三星为保价格缩减内存产能，已经转内存生产线做传感器了，相比索尼，三星还是很从容的。估计未来应该是国产半导体来打破这个平衡。 本帖最后由 righthero 于 2019-1-23 12:10 编辑
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回复主题： 索尼实在是太可怕了,感觉还没怎么发力竞品就已经没活路了
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