主题：DxOMark：EOSR评测成绩出炉
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https://www_dxomark_com/canon-eos-r-sensor-review/
恭喜EOSR的CMOS获得89分！
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nowiziky 发表于 2019-3-27 11:24
个人并不认为色彩是玄学
相对感光器最基本的可量化的客观性能：动态范围、信噪比、物理像素密度来说，色彩的确更偏向主观偏好有“玄学”成分。当然个人主观上可以否定，但或多或少有点。
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217 帖
光荣与梦想 发表于 2019-3-26 21:47
真是人有多无知，就有多大胆！ 能说出这样的话，证明你对感光器一无所知。
CCD被CMOS淘汰是发展的必然，CCD受技术瓶颈的制约注定在客观画质性能上已经没有发展空间了，在读出速度上更是捉襟见肘（如果现在的无反敢用CCD的话，那只能使用手动对焦，全画幅CCD要做高速的片上相位对焦根本是天方夜谭）。
CMOS灵活的架构特性和其低功耗的相对不敏感度，你可以在片上通过实现大规模的片上ADC的数据交换，让感光器最重要的动态范围、信噪比大幅提升。 早期的CMOS感光器受技术限制，还无法实现片上ADC结构，还都是片外ADC，模拟信号传输距离长，受干扰源干扰严重，普遍存在信噪比不如CCD的情况，现在随着片上ADC的普及，CMOS在信噪比、动态范围上早已经远远超越CCD，客观画质上，CCD就算长八条腿也赶不上。
自己看看去，这是机背大佬飞思IXU系列的航空相机对应的中画幅感光器的性能表（同尺寸感光器对应有中幅商用相机版本）。
100MP像素的是SONY的IMX 211的CMOS感光器， 80MP和60MP像素的是Dalsa的CCD感光器。
性能差距一目了然，SONY的IMX 211的CMOS感光器，以4.6um的像素尺寸，却提供了超过84dB的原生动态范围； 而Dalsa的CCD感光器以 5.4um和6um的像素尺寸，却仅仅只能提供72dB的动态 ...
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印象·江南 发表于 2019-3-26 22:29
皮又痒了！
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215 帖
den7bo 发表于 2019-3-26 13:40
你是看不懂吗？
CMOS的发展，最重点的是发展材料的感光特性！！！这也是CCD比CMOS在成像原理上就更好的原因！
CCD被淘汰，是因为成品率比CMOS低，说白了就是为了降成本逐渐使用CMOS，CMOS现在跟以前的CCD可以比美，那是因为CCD停止了发展。
真是人有多无知，就有多大胆！ 能说出这样的话，证明你对感光器一无所知。
CCD被CMOS淘汰是发展的必然，CCD受技术瓶颈的制约注定在客观画质性能上已经没有发展空间了，在读出速度上更是捉襟见肘（如果现在的无反敢用CCD的话，那只能使用手动对焦，全画幅CCD要做高速的片上相位对焦根本是天方夜谭）。
CMOS灵活的架构特性和其低功耗的相对不敏感度，你可以在片上通过实现大规模的片上ADC的数据交换，让感光器最重要的动态范围、信噪比大幅提升。 早期的CMOS感光器受技术限制，还无法实现片上ADC结构，还都是片外ADC，模拟信号传输距离长，受干扰源干扰严重，普遍存在信噪比不如CCD的情况，现在随着片上ADC的普及，CMOS在信噪比、动态范围上早已经远远超越CCD，客观画质上，CCD就算长八条腿也赶不上。
自己看看去，这是机背大佬飞思IXU系列的航空相机对应的中画幅感光器的性能表（同尺寸感光器对应有中幅商用相机版本）。
100MP像素的是SONY的IMX 211的CMOS感光器， 80MP和60MP像素的是Dalsa的CCD感光器。
性能差距一目了然，SONY的IMX 211的CMOS感光器，以4.6um的像素尺寸，却提供了超过84dB的原生动态范围； 而Dalsa的CCD感光器以 5.4um和6um的像素尺寸，却仅仅只能提供72dB的动态范围， 二者有2档动态范围巨大的性能差距！这远远比“感动肠在”与SONY感光器之间的性能差要大得多的多！新时代的中画幅商业相机的旗舰产品，若再使用CCD的话，那飞思、利图、哈苏就要找地缝往里钻咯呵呵。
这种客观性能差距的鸿沟，CCD在技术上根本无法弥补（当然有些人喜欢用主观的所谓色彩玄学来说事，那玩意儿和这种客观性能差距相比没什么说服力）。 从画质性能上来说，CCD全面落后于CMOS（信噪比、动态范围）、从读出速度来说，CCD和CMOS相比更是一无是处，若再不淘汰哪里还有天理！！！
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den7bo 发表于 2019-3-26 13:40
你是看不懂吗？
骚尼也好，三星也好，都是买厂家的设备生产他们的产品而已，65nm还是180nm和他们有什么关系？
三星和骚尼CMOS好坏和设备有关系吗？ 那是两家公司战略方向不同导致的差异，三星半导体的重心是存储芯片。骚尼才是CMOS。
你以为线宽和堆栈决定了CMOS好坏？ 笑死人了，这都是骚粉吹出来的好吧！
CMOS为啥能作为图像传感器？！ CMOS本来只是个半导体基本放大单元而已，三极管的新工艺发展，和成像没毛钱关系。
CMOS的发展，最重点的是发展材料的感光特性！！！这也是CCD比CMOS在成像原理上就更好的原因！
线宽只是加工像素的密度而已，对于图像质量有个P关系？ 堆栈也只是提高集成密度的方法！背照是改变感光层和电路层的堆积顺序。
是一帮骚粉要吹骚尼的CMOS，硬把这些扯到一起而已。
CCD被淘汰，是因为成品率比CMOS低，说白了就是为了降成本逐渐使用CMOS，CMOS现在跟以前的CCD可以比美，那是因为CCD停止了发展。
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den7bo 发表于 2019-3-26 11:38
翻了以前的工作记录，07年的工作文档，也不涉密，放出来看看
十年前研究Stack Die设备中图像识别系统的光学镜头的可编程对焦功能的技术文档。。。
红色下划线是我刚标出的，关于stack die的描述
chip to chip和索尼有关系么？
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darkegg 发表于 2019-3-26 14:59
三星的NX1用户口碑不错的，不要总拿动态范围来当成至高无上的标准到处黑。
高动态范围原本是索尼为了解决小口边缘失光问题，不得已被逼出来的一个特性，并不是传感器合理的特性，不符合人眼对灰阶差别感应的分布曲线。只不过这个突兀的高动态范围突然就被营销发掘出来，满世界吹嘘攻击忽悠。记得多年前的帖子也提到过，很奇怪一直就没人去注意这么明显的问题。
简单的说，如果佳能彻底放弃肤色做一台风景机，把特性曲线拉直，也能达到14ev以上的动态范围。但是佳能没有放弃肤色的打算，而是准备用像素级双存储拉高动态范围。
再准确点来说，感光器开发之路，就是围绕着怎样在提高像素密度的同时保证高动态范围而生的。动态范围是感光器最基础的原始特性（因为感光器天生是色盲，加了滤光片才能感觉色彩），没有动态范围的技术要求保证，你造什么感光器都没难度！你可以随意将感光器的像素密度提升到1亿、2亿、3亿......，那个狗屁意义都没有！
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206 帖
darkegg 发表于 2019-3-26 14:59
三星的NX1用户口碑不错的，不要总拿动态范围来当成至高无上的标准到处黑。
高动态范围原本是索尼为了解决小口边缘失光问题，不得已被逼出来的一个特性，并不是传感器合理的特性，不符合人眼对灰阶差别感应的分布曲线。只不过这个突兀的高动态范围突然就被营销发掘出来，满世界吹嘘攻击忽悠。记得多年前的帖子也提到过，很奇怪一直就没人去注意这么明显的问题。
简单的说，如果佳能彻底放弃肤色做一台风景机，把特性曲线拉直，也能达到14ev以上的动态范围。但是佳能没有放弃肤色的打算，而是准备用像素级双存储拉高动态范围。
这是谁告诉你的，对艺术类摄影来说，动态范围意味着后期折腾的空间大小。135还好说，一般厂家不硬性给出相机动态范围指标，但对于每张照片都需要精修的商业中画幅应用来说，动态范围是厂商必须标注的最重要性能。类似像飞思这种商用机背的老大甚至更是给出感光器原生的动态范围的准确dB是多少（这个很多感光器制造商都不列明的）。
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本帖最后由 光荣与梦想 于 2019-3-26 15:44 编辑
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单论SNR，5DSR也没扑街啊
光荣与梦想 发表于 2019-3-26 14:46
你看不出来，我问你的工艺是说反话吗？你明白就好。 那我来问问你：普天下有感光模拟层的性能能做超过SONY的感光器吗？
感光器的三大基础物理特性：动态范围、信噪比、物理像素密度 ，互相制约，有些增加后，和其它会产生矛盾。目前能把像素密度和动态范围及信噪比做到完美平衡，整个感光器行业除了SONY没第二家。
就像感动厂肠在这种※※，弄块5000万的提升像素密度，产生的副作用就是动态范围和信噪比直接扑街！
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204 帖
darkegg 发表于 2019-3-26 14:59
三星的NX1用户口碑不错的，不要总拿动态范围来当成至高无上的标准到处黑。
高动态范围原本是索尼为了解决小口边缘失光问题，不得已被逼出来的一个特性，并不是传感器合理的特性，不符合人眼对灰阶差别感应的分布曲线。只不过这个突兀的高动态范围突然就被营销发掘出来，满世界吹嘘攻击忽悠。记得多年前的帖子也提到过，很奇怪一直就没人去注意这么明显的问题。
简单的说，如果佳能彻底放弃肤色做一台风景机，把特性曲线拉直，也能达到14ev以上的动态范围。但是佳能没有放弃肤色的打算，而是准备用像素级双存储拉高动态范围。
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203 帖
darkegg 发表于 2019-03-26 14:59三星的NX1用户口碑不错的，不要总拿动态范围来当成至高无上的标准到处黑。
高动态范围原本是索尼为了解决小口边缘失光问题，不得已...
到今天三星提起这件事还一肚子窝火:“佳能！索尼！尼康！还有xx和xxxx！你们走着瞧，这仇今生必报！”
本帖由 ONEPLUS+A5000 客户端编辑于：2019-03-26 15:24:51
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光荣与梦想 发表于 2019-3-26 13:15
可你看看三母猩的65nm工艺的感光器在性能上能比得过哪怕是SONY 180nm的老爷枪吗？
三星的NX1用户口碑不错的，不要总拿动态范围来当成至高无上的标准到处黑。
高动态范围原本是索尼为了解决小口边缘失光问题，不得已被逼出来的一个特性，并不是传感器合理的特性，不符合人眼对灰阶差别感应的分布曲线。只不过这个突兀的高动态范围突然就被营销发掘出来，满世界吹嘘攻击忽悠。记得多年前的帖子也提到过，很奇怪一直就没人去注意这么明显的问题。
简单的说，如果佳能彻底放弃肤色做一台风景机，把特性曲线拉直，也能达到14ev以上的动态范围。但是佳能没有放弃肤色的打算，而是准备用像素级双存储拉高动态范围。
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201 帖
den7bo 发表于 2019-3-26 13:40
你是看不懂吗？
骚尼也好，三星也好，都是买厂家的设备生产他们的产品而已，65nm还是180nm和他们有什么关系？
三星和骚尼CMOS好坏和设备有关系吗？ 那是两家公司战略方向不同导致的差异，三星半导体的重心是存储芯片。骚尼才是CMOS。
你以为线宽和堆栈决定了CMOS好坏？ 笑死人了，这都是骚粉吹出来的好吧！
CMOS为啥能作为图像传感器？！ CMOS本来只是个半导体基本放大单元而已，三极管的新工艺发展，和成像没毛钱关系。
CMOS的发展，最重点的是发展材料的感光特性！！！这也是CCD比CMOS在成像原理上就更好的原因！
线宽只是加工像素的密度而已，对于图像质量有个P关系？ 堆栈也只是提高集成密度的方法！背照是改变感光层和电路层的堆积顺序。
是一帮骚粉要吹骚尼的CMOS，硬把这些扯到一起而已。
CCD被淘汰，是因为成品率比CMOS低，说白了就是为了降成本逐渐使用CMOS，CMOS现在跟以前的CCD可以比美，那是因为CCD停止了发展。
你看不出来，我问你的工艺是说反话吗？你明白就好。 那我来问问你：普天下有感光模拟层的性能能做超过SONY的感光器吗？
感光器的三大基础物理特性：动态范围、信噪比、物理像素密度 ，互相制约，有些增加后，和其它会产生矛盾。目前能把像素密度和动态范围及信噪比做到完美平衡，整个感光器行业除了SONY没第二家。
就像感动厂肠在这种※※，弄块5000万的提升像素密度，产生的副作用就是动态范围和信噪比直接扑街！
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den7bo 发表于 2019-03-26 13:40你是看不懂吗？
骚尼也好，三星也好，都是买厂家的设备生产他们的产品而已，65nm还是180nm和他们有什么关系？
三星和...
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光荣与梦想 发表于 2019-3-26 11:47
你别弄错，SONY的65nm主要是摄像机、相机上大底，类似HDC-4800、a9等等这些玩意儿的底，芯片面积大，本身堆栈可利用的下层基板的面积就大，根本不需要更微细的制程去做逻辑层。
至于手机上的CIS，老的堆栈产品【比如IMX400】逻辑层早就用45、 30nm了， SONY目前在手机等鼻屎大的CIS的逻辑层上正在推进的是28nm的FD-SOI。
索尼手机的CIS目前仍然65nm, 至少感光层是。就算按你的说法，正在推进就是还没铺开，而且是在推逻辑层也不是感光层。45nm是干式光刻机能达到的极限，很少用。逻辑层28nm是成熟工艺了，也是索尼早就应该做到的，做到后的“功绩”顶多就是不被同业嘲笑，但是一定会被西区这群水军拿出来满世界歇斯底里的吹嘘忽悠抹黑攻击的。
非堆栈的大底65nm够用我是同意的，cmos基本够用，这是目前的实际状况。
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198 帖
光荣与梦想 发表于 2019-3-26 13:15
这个就别自圆其说了。 三母猩在CMOS图像感光器上涉足的时间比SONY不知要早多少年呢（2008年的时候三母猩已经是CMOS感光器的前三强了，那时候SONY才开展CMOS感光器业务没多少时间，当时还是CMOS感光器10名以外的份额）。 单论工艺推进速度比SONY快的多了。
这个根本和堆不堆栈没半毛钱关系，三母猩感光器性能落后于SONY可不是因为堆栈式比SONY晚造成的。
2014年三母猩就已经在BSI感光器上推进65nm工艺了，而当时SONY绝大多数感光器还是180nm的（少部分是90nm）。
可你看看三母猩的65nm工艺的感光器在性能上能比得过哪怕是SONY 180nm的老爷枪吗？
你是看不懂吗？
骚尼也好，三星也好，都是买厂家的设备生产他们的产品而已，65nm还是180nm和他们有什么关系？
三星和骚尼CMOS好坏和设备有关系吗？ 那是两家公司战略方向不同导致的差异，三星半导体的重心是存储芯片。骚尼才是CMOS。
你以为线宽和堆栈决定了CMOS好坏？ 笑死人了，这都是骚粉吹出来的好吧！
CMOS为啥能作为图像传感器？！ CMOS本来只是个半导体基本放大单元而已，三极管的新工艺发展，和成像没毛钱关系。
CMOS的发展，最重点的是发展材料的感光特性！！！这也是CCD比CMOS在成像原理上就更好的原因！
线宽只是加工像素的密度而已，对于图像质量有个P关系？ 堆栈也只是提高集成密度的方法！背照是改变感光层和电路层的堆积顺序。
是一帮骚粉要吹骚尼的CMOS，硬把这些扯到一起而已。
CCD被淘汰，是因为成品率比CMOS低，说白了就是为了降成本逐渐使用CMOS，CMOS现在跟以前的CCD可以比美，那是因为CCD停止了发展。
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den7bo 发表于 2019-3-25 11:06
说这话就是扯淡，三星只是个半导体生产厂，什么时候做半导体生产设备了，别贻笑大方了。
三星就是因为存储芯片量大，所以设备用量才多，更新才慢，最近才把堆栈工艺用起来。
这个就别自圆其说了。 三母猩在CMOS图像感光器上涉足的时间比SONY不知要早多少年呢（2008年的时候三母猩已经是CMOS感光器的前三强了，那时候SONY才开展CMOS感光器业务没多少时间，当时还是CMOS感光器10名以外的份额）。 单论工艺推进速度比SONY快的多了。
这个根本和堆不堆栈没半毛钱关系，三母猩感光器性能落后于SONY可不是因为堆栈式比SONY晚造成的。
2014年三母猩就已经在BSI感光器上推进65nm工艺了，而当时SONY绝大多数感光器还是180nm的（少部分是90nm）。
可你看看三母猩的65nm工艺的感光器在性能上能比得过哪怕是SONY 180nm的老爷枪吗？
本帖最后由 光荣与梦想 于 2019-3-26 13:18 编辑
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den7bo 发表于 2019-3-25 11:06
说这话就是扯淡，三星只是个半导体生产厂，什么时候做半导体生产设备了，别贻笑大方了。
你什么时候看到纺织厂做纺织机械了？
半导体设计，生产，制造设备，是完全独立运行的三套系统。 三星只是因为生产的存储设备量最大，所以销售额才吓人，从技术角度而言，存储和CMOS都属于不先进的工艺。 CPU才会用到最先进的工艺。
三星就是因为存储芯片量大，所以设备用量才多，更新才慢，最近才把堆栈工艺用起来。
别把半导体的难度，是在设备和设备工艺，是在半导体设备厂，而不在半导体生产厂。
半导体生产厂干的，就是如何提高工艺良品率上，是生产工艺和质量管理的事。
来来来，鞋厂有光刻机制造吧？ 它自己真正开发的感光器（自己真正享有知识产权），找人代工的是明码标签的“NC”前缀的NCxxxx编号的系列产品。比如：DF（D4）的NC81366W；D700（D3）的NC81338L。 这个NC前缀的简写代表： Nikon Corporation（也就是所谓真正的鞋厂自主研发的感光器）。
鞋厂自主研发，找人代工的感光器全部是由日本瑞萨科技代工（日本仅次于Toshiba的第二大半导体厂；其是由日立制作所和三菱电机的半导体业务合并而成）。
照你的逻辑，鞋厂本身就制造光刻机（ok，就当它没钱自己投产生产线），那为啥它自己真正自主知识产权开发出来的感光器全部是不入流的低像素，低动态范围，低信噪比的廉价货呢？ 为啥一碰到需要使用超高像素、高动态范围、高信噪比，要保障真正高画质的高端感光器，就必须使用SONY的方案啊！
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den7bo 发表于 2019-3-25 11:06
说这话就是扯淡，三星只是个半导体生产厂，什么时候做半导体生产设备了，别贻笑大方了。
你什么时候看到纺织厂做纺织机械了？
半导体设计，生产，制造设备，是完全独立运行的三套系统。 三星只是因为生产的存储设备量最大，所以销售额才吓人，从技术角度而言，存储和CMOS都属于不先进的工艺。 CPU才会用到最先进的工艺。
三星就是因为存储芯片量大，所以设备用量才多，更新才慢，最近才把堆栈工艺用起来。
别把半导体的难度，是在设备和设备工艺，是在半导体设备厂，而不在半导体生产厂。
半导体生产厂干的，就是如何提高工艺良品率上，是生产工艺和质量管理的事。
你少在这里忽悠人，我来问你：感光器的制造和什么相似啊？它和三母猩的什么东西可以相互套用啊？
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darkegg 发表于 2019-3-25 14:32
索尼仍然是65nm，什么时候就一步升天不需要换了？ 45nm以上就要浸没式工艺，需要产业链合作才能实现的。要真有28nm早就吹到天上去了。
为了黑个尼康cmos，绕来绕去一堆数字瞎忽悠，把这个第二大相机cmos订单黑得一文不值。
尼康cmos订单一年2-3亿美金，占整个CIS市场的2%左右。 （佳能cmos基本全部用在自家的相机产品，占整个cis市场3%, 尼康相机出货量是佳能60%多，占2%），除了你们这些水军，哪个商人会把几亿美刀的单视如粪土？！
你别弄错，SONY的65nm主要是摄像机、相机上大底，类似HDC-4800、a9等等这些玩意儿的底，芯片面积大，本身堆栈可利用的下层基板的面积就大，根本不需要更微细的制程去做逻辑层。
至于手机上的CIS，老的堆栈产品【比如IMX400】逻辑层早就用45、 30nm了， SONY目前在手机等鼻屎大的CIS的逻辑层上正在推进的是28nm的FD-SOI。
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den7bo 发表于 2019-3-26 11:38
翻了以前的工作记录，07年的工作文档，也不涉密，放出来看看
十年前研究Stack Die设备中图像识别系统的光学镜头的可编程对焦功能的技术文档。。。
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本人集成电路专业毕业，但是因为集成电路每一个方向都极具研究价值，也相当专业，时间和金钱成本极为昂贵，就算有再好的设计，缺少其中一个环节都无法实现，因此毕业后选择了软件作为自己的职业生涯
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十年前的工作版照片，不是stack die的，不过还能看到关于die的描述
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翻了以前的工作记录，07年的工作文档，也不涉密，放出来看看
十年前研究Stack Die设备中图像识别系统的光学镜头的可编程对焦功能的技术文档。。。
红色下划线是我刚标出的，关于stack die的描述 本帖最后由 den7bo 于 2019-3-26 11:38 编辑
十年前研究Stack Die设备中图像识别系统的光学镜头的可编程对焦功能的技术文档。。。
红色下划线是我刚标出的，关于stack die的描述 本帖最后由 den7bo 于 2019-3-26 11:38 编辑
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melfes 发表于 2019-3-26 00:42
价格我已经列出来了，都是上新闻的事实不知道你在这里还想多说什么？
我知道的某公司扩建的12寸全自动无尘车间，涵盖从晶圆生产到加工完毕，总面积60000平方米，包括设备在内总投资16亿欧元，按照你的说法这能买几台光刻机？
说这么多，你进过无尘车间么？
无尘车间很牛逼哦？这只不过是半导体原材料加工厂而已，对自然界的硅石（二氧化硅）进行精炼提纯，制作成生产芯片所需的半导体晶圆而已，离半导体生产还远着呢，困难程度远远不如芯片制造。
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