主题：SONY资料来看，a1-CMOS已经使用了Cu-Cu直连，离像素级ADC仅一步!
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a9的感光器虽然是堆栈式但还是基于手机感光器上Gen4代的TSV侧边硅穿孔堆栈式。就好比用订书机打穿书页后将上下页装订起来。
所不同的是，手机感光器的模拟像素层尺寸太小，底板上的堆叠层面积不足以装下高速读出逻辑电路（ADC和相关配套读出电路）的同时，再容纳暂存图像的DRAM，所以为了加入DRAM，又重新开辟了一层DRAM堆栈层，这个DRAM堆栈层位于模拟像素层和最下面的逻辑读出电路层的中间。也就是个三明治结构，然后用TSV穿孔，像订书机装订图书一样装订起来。
但a9的IMX 310不同，因为是全画幅，所以它的底板上的堆叠层和上面的像素模拟层的面积是一样的有（36 x 24mm）864mm2。底板对叠层的面积非常巨大，根本不需要重新再开辟一层去做DRAM，所以IMX310的底板堆叠层的四周是容纳高速ADC的读出逻辑电路，而中间区域则装了DRAM。也就是它虽然有DRAM，但依然是上下两层的堆栈式（并不像手机感光器那样是三层结构）。
而a1的感光器则完全不同了，它采用了最新的Cu-Cu铜铜互联的直接像素键合技术，也就是在硅片制造过程中，就将上面模拟层和下面逻辑层需要的铜-铜互联的“铜连接部分”直接嵌入硅片（铜连接件的大小由模拟像素层的像素大小和密度决定）。这个技术允许你的模拟像素层上的任意一个像素都能和下面逻辑层进行直接键合连接，也就是做到像素级的互联。这是SONY在2018年全球第一个展示像素级ADC数字式全局快门的感光器的基础技术架构。但当时展示的16 x 12mm的像素级ADC样品的像素密度仅仅只有146万像素（当然帧率很高有14bit/660fps）。而这一次的a1感光器的像素达到了5,000万，同样采用了Cu-Cu的直接键合，虽然ADC数量没有实现像素级的完全全局快门，但离完全全局快门也仅仅只有一步之遥了。因为在5,000万像素/14bit的采样精度下，它已经能达到250fps的读出速度（仅4ms），基本已经非常接近完全全局快门。所以从这一点可以看出，SONY高像素，高采样精度的像素级ADC的堆栈式数字全怒快门技术时间表已经越来越近了。
另外如果以手机感光器的Gen代次衡量，目前手机感光器上最先进的Gen6代是DBI的非像素直连的DRAM三层堆栈式，也就是说虽然是DBI连接（不需要在硅片上打穿上下层，以通孔方式进行电气连接），但DBI的电气连接只能在感光器的上下、左右四边进行连接，无法在模拟像素层上的任意像素位置进行直接键合连接。而目前手机感光器上能进行像素位置任意的Cu-Cu直接键合连接的只有Gen5代，但Gen5代并没有暂存数据的DRAM。 而a1的感光器是像Gen5代那样实现了Cu-Cu直接像素键合连接的同时，也加入了暂存的DRAM结构，所以实际上这可以看成是未来的Gen7代结构。Gen7代如果按进阶表来看，将是像素级ADC的数字堆栈式全局快门技术的最后一代过渡型的堆栈式感光器，再往后就将是像素级ADC的全局快门了。
所不同的是，手机感光器的模拟像素层尺寸太小，底板上的堆叠层面积不足以装下高速读出逻辑电路（ADC和相关配套读出电路）的同时，再容纳暂存图像的DRAM，所以为了加入DRAM，又重新开辟了一层DRAM堆栈层，这个DRAM堆栈层位于模拟像素层和最下面的逻辑读出电路层的中间。也就是个三明治结构，然后用TSV穿孔，像订书机装订图书一样装订起来。
但a9的IMX 310不同，因为是全画幅，所以它的底板上的堆叠层和上面的像素模拟层的面积是一样的有（36 x 24mm）864mm2。底板对叠层的面积非常巨大，根本不需要重新再开辟一层去做DRAM，所以IMX310的底板堆叠层的四周是容纳高速ADC的读出逻辑电路，而中间区域则装了DRAM。也就是它虽然有DRAM，但依然是上下两层的堆栈式（并不像手机感光器那样是三层结构）。
而a1的感光器则完全不同了，它采用了最新的Cu-Cu铜铜互联的直接像素键合技术，也就是在硅片制造过程中，就将上面模拟层和下面逻辑层需要的铜-铜互联的“铜连接部分”直接嵌入硅片（铜连接件的大小由模拟像素层的像素大小和密度决定）。这个技术允许你的模拟像素层上的任意一个像素都能和下面逻辑层进行直接键合连接，也就是做到像素级的互联。这是SONY在2018年全球第一个展示像素级ADC数字式全局快门的感光器的基础技术架构。但当时展示的16 x 12mm的像素级ADC样品的像素密度仅仅只有146万像素（当然帧率很高有14bit/660fps）。而这一次的a1感光器的像素达到了5,000万，同样采用了Cu-Cu的直接键合，虽然ADC数量没有实现像素级的完全全局快门，但离完全全局快门也仅仅只有一步之遥了。因为在5,000万像素/14bit的采样精度下，它已经能达到250fps的读出速度（仅4ms），基本已经非常接近完全全局快门。所以从这一点可以看出，SONY高像素，高采样精度的像素级ADC的堆栈式数字全怒快门技术时间表已经越来越近了。
另外如果以手机感光器的Gen代次衡量，目前手机感光器上最先进的Gen6代是DBI的非像素直连的DRAM三层堆栈式，也就是说虽然是DBI连接（不需要在硅片上打穿上下层，以通孔方式进行电气连接），但DBI的电气连接只能在感光器的上下、左右四边进行连接，无法在模拟像素层上的任意像素位置进行直接键合连接。而目前手机感光器上能进行像素位置任意的Cu-Cu直接键合连接的只有Gen5代，但Gen5代并没有暂存数据的DRAM。 而a1的感光器是像Gen5代那样实现了Cu-Cu直接像素键合连接的同时，也加入了暂存的DRAM结构，所以实际上这可以看成是未来的Gen7代结构。Gen7代如果按进阶表来看，将是像素级ADC的数字堆栈式全局快门技术的最后一代过渡型的堆栈式感光器，再往后就将是像素级ADC的全局快门了。
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老客户 发表于 2021-3-24 14:13
楼主真的是无忌上面最专业的人了（至少看起来如此）你说了这么多我也看不太懂，就想问问你觉得目前主拍视频兼顾拍照的话哪个无反是最好选择？索尼的4K60P机身，A7S3像素偏低价格偏高，A1价格太高，松下的4K60P机身，视频自动对焦不理想，镜头群偏少，佳能的4K60P机身，个个过热。剩下APSC的XT3，价格也不便宜，M43的G9，只能录8bit。
西区的结论都会给出详细的资料和图片来证明，不像某些反驳的，就会说骗人啊忽悠粉丝啊，上嘴唇一碰下嘴唇就出了结论，然后，就没有然后了。
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委座 发表于 2021-3-25 10:34
索尼造的概念又成功忽悠了粉丝，以前广告里提了个铜布线，粉丝就把这个概念含在嘴里，其实啥都不懂
呵呵铜布线和Cu-Cu是一回事儿吗？！
这是2018年SONY半导体感光器业务技术推进的路线图。看清楚Cu-Cu是什么吗？ 它是积层型（堆栈式）构建上下层连接技术的终极形态，也是实现图中的“画速并列AD（中文就是：像素级ADC）”的唯一的基础技术架构的途径！
而现在a1的感光器正是按照当初（2018）年SONY半导体图像传感器规划技术推进的方向在稳步前进。已经将Cu-Cu的铜铜直接键合（像素位置任意连接堆栈）的技术推进到了全画幅5000万高像素的感光器上来了。Cu-Cu可不是什么铜布线。
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ppchris 发表于 2021-3-25 01:16
佳能放ppt的8500w，索尼直接扔出了工业的44×33的全局产品，并不需要对手有什么表现，产品还是会按照路线图去走，下一个5年才会看到不损失动态的全局快门总在机器上。
全局快门不是目的，只是附带福利。关键是像素级ADC！这玩意儿想多快就多快，对永远不嫌够的fps来说，像素级ADC的先天优势就太大了。至于全局快门则刚好是因为像素级ADC的每个ADC自带数字存储，所以就把全局快门当额外福利了。实际重点是像素级ADC，配套中的某个福利项刚好带了全局快门功能而已。
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TakeThat05 发表于 2021-3-24 13:11
全局快门还得看对手的进度
不知道A1M3能不能实现
佳能放ppt的8500w，索尼直接扔出了工业的44×33的全局产品，并不需要对手有什么表现，产品还是会按照路线图去走，下一个5年才会看到不损失动态的全局快门总在机器上。
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TakeThat05 发表于 2021-3-24 13:11
全局快门还得看对手的进度
不知道A1M3能不能实现
的确是要看对手的出牌了！索尼CMOS技术储备厚实，兵来将挡水来土掩，跑太快只怕对手跟不上（R5已经够吃力了），当然，也不符合自身成本效益，呵呵！
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老客户 发表于 2021-3-24 14:13
楼主真的是无忌上面最专业的人了（至少看起来如此）你说了这么多我也看不太懂，就想问问你觉得目前主拍视频兼顾拍照的话哪个无反是最好选择？索尼的4K60P机身，A7S3像素偏低价格偏高，A1价格太高，松下的4K60P机身，视频自动对焦不理想，镜头群偏少，佳能的4K60P机身，个个过热。剩下APSC的XT3，价格也不便宜，M43的G9，只能录8bit。
肯定是A1啊.
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楼主真的是无忌上面最专业的人了（至少看起来如此）
你说了这么多我也看不太懂，就想问问你觉得目前主拍视频兼顾拍照的话哪个无反是最好选择？索尼的4K60P机身，A7S3像素偏低价格偏高，A1价格太高，松下的4K60P机身，视频自动对焦不理想，镜头群偏少，佳能的4K60P机身，个个过热。剩下APSC的XT3，价格也不便宜，M43的G9，只能录8bit。
你说了这么多我也看不太懂，就想问问你觉得目前主拍视频兼顾拍照的话哪个无反是最好选择？索尼的4K60P机身，A7S3像素偏低价格偏高，A1价格太高，松下的4K60P机身，视频自动对焦不理想，镜头群偏少，佳能的4K60P机身，个个过热。剩下APSC的XT3，价格也不便宜，M43的G9，只能录8bit。
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巴萨0809 发表于 2021-3-24 12:09
A1采用了Cu-Cu的证据是啥？
看过个pdf文件上标注了 本帖最后由 AlbertNewton 于 2021-3-24 12:49 编辑
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巴萨0809 发表于 2021-3-24 12:09
A1采用了Cu-Cu的证据是啥？
下面的SONY资料中写得很清楚，感光器的像素层和逻辑层是采用Cu-Cu的铜铜直接键合连接。
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