大像素还是高像素？

主题：大像素还是高像素？ [主题管理员:法无定法]

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imareal

泡菜

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2010-01-25 12:38

原文由法无定法在2010-01-24 20:35发表
在下雨天中放两个面积不同的两个盆，如果下的雨是均匀的，那么这两个盆的水位是一样的。因此，像素的输出信号电压与光电传感器的面积大小无关。

实际上也确实是这么回事，大小盆的水位确实是一样高。也就是说，如果大盆的水位于溢出盆外（相当于饱和），那么小盆的水也会溢出盆外。按照这个推理，当大像素S饱和时，小像素R也必然饱和。那么，富士的Super CCD SR岂不是没有意义了吗？

有很多种办法可以解决这个问题:
1 提高小盆的深度四倍于大盆，关键是小盆的壁要能受得住这么高的压力（提高小像素的阱势）。
2 小盆口不变，容积增加到四倍，变成坛子（增加小像素的阱容）。
3 在小盆口上盖一个有很多小孔的盖子，小孔的总面积和盖子的面积比为一比四。（减弱小像素的入射光强度）
4 小盆底部钻个孔。（改变小像素的材料的掺杂，改变其转换效率）。
应该还有其他办法，先想到这些。

[imareal 编辑于 2010-01-25 12:46]

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第 1078 帖

鱼歪歪

资深泡菜

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2010-01-25 11:44

原文由法无定法在2010-01-25 11:27发表

我已经说得很清楚了，讨论问题必须要有一个既定的前提。我前面所说的填充系数是指CMOS像素光电二极管的实际受光面积与其本身受光面积的比值,也就是CMOS的金属布线部分对光电二极管受光面积的影响。这个问题是CMOS特有的问题，CCD不存在这个问题。而只有先说清楚这个问题，才能说清楚其它的问题。

至于透镜覆盖 ......

CCD仍然是存在fill factor这个问题的。也许你说不存在，是对于Frame Transfer来讲的吧？但对于Interline Transfer CCD来讲，垂直转移的沟道需要做遮光处理，而且anti-blooming以及电子快门部分，都要占据单位像素的面积。这也就造成Fill Factor降低的原因。
你有时间可以看下这几个说明(快捷的话，搜关键字fill factor)：
http://www_roperscientific_de/tinterline.html
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Charge-coupled_device
http://www_ccd_com/ccd102.html
至于你所说的富士的super ccd原理，抱歉没怎了解。高感和低感的饱和度不同，估计是设计出不同动态范围的传感器。也就是电势阱的full well capacity不同吧？

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第 1077 帖

法无定法

资深泡菜

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2010-01-25 11:27

原文由鱼歪歪在2010-01-25 11:01发表

那就请你告知对于CCD的fill factor是如何计算的吧？
就我理解，fill factor对于光学成像器件的pixel上。可以等同于光电二极管的面积/像素的面积。也正是这个原因，对于Front Side Illumination方式的Frame Transfer CCD的FF系数要比Interline Transfer CCD的要高。也是通过加微镜头可以提高FF系数的原因。

我已经说得很清楚了，讨论问题必须要有一个既定的前提。我前面所说的填充系数是指CMOS像素光电二极管的实际受光面积与其本身受光面积的比值,也就是CMOS的金属布线部分对光电二极管受光面积的影响。这个问题是CMOS特有的问题，CCD不存在这个问题。而只有先说清楚这个问题，才能说清楚其它的问题。

至于透镜覆盖率和光电二极管的受光面积如何确定是另外要讨论的问题，因为这两个问题无论是CCD还是CMOS传感器都存在。

在回答我对CCD的fill factor是如何计算的问题之前，我想要先知道你对一些基本原理的了解程度如何？也就是我想先请你回答SR像素的饱和点是如何做到不一致的？因为我只有知道你的问题在哪里，才能有针对性地回复你的问题。

[法无定法编辑于 2010-01-25 11:35]

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第 1076 帖

鱼歪歪

资深泡菜

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2010-01-25 11:01

原文由法无定法在2010-01-25 10:09发表

请注意，CCD和CMOS的填充系数是两个不同的概念，其计算方式也不一样。我前面说的填充系数一直是指CMOS的，并没有说CCD的填充系数。CCD的填充系数与我现在问的这个富士SR大小像素的问题有关，如果你能搞清楚SR像素的原理，就可以知道CCD的填充系数是怎么回事了。

[法无定法编辑于 2010-01-25 10:09]

那就请你告知对于CCD的fill factor是如何计算的吧？
就我理解，fill factor对于光学成像器件的pixel上。可以等同于光电二极管的面积/像素的面积。也正是这个原因，对于Front Side Illumination方式的Frame Transfer CCD的FF系数要比Interline Transfer CCD的要高。也是通过加微镜头可以提高FF系数的原因。

原文由法无定法在2010-01-25 10:09发表
CCD器件没有CMOS器件特有的填充系数问题。如1057楼的图所示，虽然光电二极管（蓝色部分）也只是像素的一部分，但通过微透镜可以将整个像素面积上的所有光线都集中到光电二极管的受光面积上，因为势阱与光电二极管在同一个平面上，所以不会阻挡光线，因此，CCD的填充系数可以看作是1，或开口率为100%，这就是为何很多小DC用CCD器件的原因，用CCD器件相当于SONY的背光技术。
[法无定法 2010-01-25 10:09]

这段文字，在下认为描述不准确。因为对于CCD，同样存在Front Side Illumination和BackSide Illumination之分的。对于BSI方式的CCD，fill factor才是接近1的。
除非消费类DC上使用的Interline Transfer CCD是使用Back Side Illumination方式的，否则其Fill Factor和CMOS SENSOR是接近的。这也是我纳闷的原因，难道DC上用的CCD都是Back Side Illumination的？不知老兄能否提供信息，我是还没找到信息。

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第 1075 帖

法无定法

资深泡菜

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2010-01-25 10:40

原文由 rajiao 在2010-01-25 10:27发表

呵呵，你自己转了那么多图片，还是没搞懂，特别是这个富士的Ccd.

为啥大的感应正常的，小的感应高光呢？如果拆开看，大的是单反，小的是dc，明白不？？如果还不明白，继续看，同样弱光，单反比dc更干净，单反的可接受最高iso远超dc?这里的关系明白不？？可能你被稀奇的图标弄糊涂了。

实际使用中，光线条件好的时 ......

你对数码相机的传感器是用光电二极管还是光电阻都没有搞清楚，更不用说知道SR像素的工作原理了。只要遵守首贴提出的规定，要说什么都可以，但回复这个帖子后我不会再回复你的任何贴子。谢谢加入讨论。

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第 1074 帖

rajiao

陈年泡菜

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2010-01-25 10:27

原文由法无定法在2010-01-24 20:35发表
显然，大像素S的光电二极管受光面积大，接受的光子多，小像素R的光电二极管受光面积小，接受的光子少，这一眼就能看出来。但请仔细考虑一下，这是否就表明大像素S的饱和点一定就低于小像素R吗？

图上标出，小像素S的饱和点是大像素的4倍（400%比100%），这一点时如何做到的？

在前面的讨论中，imareal同学举了一个比喻 ......

呵呵，你自己转了那么多图片，还是没搞懂，特别是这个富士的Ccd.

为啥大的感应正常的，小的感应高光呢？如果拆开看，大的是单反，小的是dc，明白不？？如果还不明白，继续看，同样弱光，单反比dc更干净，单反的可接受最高iso远超dc?这里的关系明白不？？可能你被稀奇的图标弄糊涂了。

实际使用中，光线条件好的时候，晴天阳光下，dc和单反的区别不大，但是弱光就大的多，富士的高明就是在于把大的用来感应正常光线，欠缺的高光由小像素工作在强光下，用了小像素的长处。整体就是在扬长避短，高宽容度也得到了。
至于怎么做到的，原理很简单，大像素灵敏度高，小的低，其实就是大像素的iso高，小的iso低，同样曝光时间，不正好在各自的工作范围吗，iso其实就是灵敏度。呵呵，实际相机使用中，有两种情况会图像噪声变多，一个是高iso，一个是长时间曝光，我前面的简图其实就是说的这个，不知道你现在还是不是懂了？
实际使用中，前几年流行欠曝法保留高光，其实就是用较高的iso而已。

还有个微透镜的问题，微透镜，凸透镜，可以聚光，但是也可以成像，入射光会被聚光，散射光会被成像，成片的微透镜类似菲涅特透镜，起匀光作用，题外话就是片子偏灰蒙蒙的一个来源之一。你可能会说哪来散射光，有的，很多的，赶快去拿一个镜头，镜头盖去掉，向室外，你用眼睛看镜头屁股的时候，你会看到一个白光斑，当把你你的眼睛看成是一个单独像素的时候，晶状体可以看成微透镜，镜头白斑和入射光是同时看到的。

呵呵，分析东西不光是抄东西，还需要自己的理解。

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第 1073 帖

法无定法

资深泡菜

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2010-01-25 10:09

原文由鱼歪歪在2010-01-24 23:44发表

楼主，纠正你一个错误。
CCD的填充系数不是全为1的。
消费类DC/DV使用的CCD为Interline Transfer方式，Fill Factor为30%左右。加了微镜头可以提高到70%。
单反使用CCD的为Frame Transfer方式，理论上的Fill Factor才为100%。
参考的信息很多，无忌上就看下 geforcemx DX的
https://forum.xitek.com/sorthread.ph ......

请注意，CCD和CMOS的填充系数是两个不同的概念，其计算方式也不一样。我前面说的填充系数一直是指CMOS的，并没有说CCD的填充系数。CCD的填充系数与我现在问的这个富士SR大小像素的问题有关，如果你能搞清楚SR像素的原理，就可以知道CCD的填充系数是怎么回事了。

[法无定法编辑于 2010-01-25 10:09]

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第 1072 帖

法无定法

资深泡菜

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2010-01-25 09:59

原文由北京老猫在2010-01-25 00:06发表
建议大家平心静气地谈论此类技术问题，其实答案早就有。只因我们都不是造相机CCD/CMOS的，也不是相机开发人员，不懂很正常，大都是在自己掌握的信息基础上猜测、推理，难免出差。应该是探讨，而不是把假设当结论，而排斥嘲笑反证。

CCD发展至今也是一个演化进步的过程，原理和最初产品是简单的，而后一步步地加入不少工艺、技术、设计和组合创新。如果您一直关注它，就会发现其巧妙之处。
顺便说一句，ISO（可变增益）放大器是在A/D之前，这应该是常识，呵呵：）

自从删掉了某些别有用心的帖子后，本楼的气氛一直是心平气和的在讨论，我也非常欢迎猫兄心平气和的加入讨论。

我一再说我不仅在IC方面是初哥，在其他方面也是初哥，欢迎专家和一切比我懂的同学对我的观点提出批评和批判，如果我对原理和基本概念的理解有误或者还有哪些基本原理和概念是我不知道的，也欢迎包括猫兄在内的专家指教。

我希望讨论不是泛泛而谈，而是能够深入。这样才既不会浪费我们发帖的时间，也不会浪费看贴的同学的时间。如果猫兄认为我的观点有问题，请直言。你的观点到底是什么？你认为我的问题在哪里？

此主题不是讨论CCD或CMOS的发展※※，这在网上搜一搜就有一大堆，对错很容易发现。但对CCD以及CMOS传感器的工作原理，未必就是人人都知道的。比如我问的这个SR大小像素的饱和点问题，到目前为止，您并未有回答我您搞清楚了没有？更没有说清楚富士是如何解决这个问题的？所以，在您要继续发言之前，我希望能知道您对包括CCD在内，数码相机的基本原理您了解多少？如果您确实了解得比我多，我当然是非常愿意向您学习和领教的，否则您可以发言，但我不会再回复您任何的帖子。提醒一下，如果同样内容的发言超过3个，会被删除，如果与主题无关的发言也会被删除。

至于“ISO（可变增益）放大器是在A/D之前，这应该是常识”这句话，我在前面其实有过评论，不想再重复。只将有关证据再贴一次，我建议您看懂下面这段话的意思后考虑一下您这句话到底有没有问题？

The usual design is that the camera's parameters for interpreting the sensor data values into sRGB values are fixed, and a number of different EI choices are accommodated by varying the sensor's signal gain in the analog realm, prior to conversion to digital. Some camera designs provide at least some EI choices by adjusting the sensor's gain in the digital realm.
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Film_speed

[法无定法编辑于 2010-01-25 10:02]

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第 1071 帖

北京老猫

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2010-01-25 00:06

原文由法无定法在2010-01-24 22:21发表

我当然是明白的，问题是您明白了吗？如果您能解答，不妨说说看？
不过富士的Super CCD SR是什么时候的技术建议您查查看，与80年代有关系吗？

建议大家平心静气地谈论此类技术问题，其实答案早就有。只因我们都不是造相机CCD/CMOS的，也不是相机开发人员，不懂很正常，大都是在自己掌握的信息基础上猜测、推理，难免出差。应该是探讨，而不是把假设当结论，而排斥嘲笑反证。
CCD发展至今也是一个演化进步的过程，原理和最初产品是简单的，而后一步步地加入不少工艺、技术、设计和组合创新。如果您一直关注它，就会发现其巧妙之处。
顺便说一句，ISO（可变增益）放大器是在A/D之前，这应该是常识，呵呵：）

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第 1070 帖

鱼歪歪

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帖子: 3015

2010-01-24 23:50

查了下资料，FSI工艺的CMOS SENSOR的Fill Factor也为20~30%，通过加微镜头可达70~80%。数据见：http://www_olympusmicro_com/primer/digitalimaging/cmosimagesensors.html

指标看起来和小DC使用Interline Transfer方式的CCD的Fill Factor相近。
但为何此CMOS SENSOR的应用目前看来还不大？
纳闷，还望各位指教。

[2010-01-25 00:03 补充如下]

为何在10M以下的消费类DC。

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第 1069 帖

鱼歪歪

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帖子: 3015

2010-01-24 23:44

原文由法无定法在2010-01-24 19:24发表
CCD器件没有CMOS器件特有的填充系数问题。如1057楼的图所示，虽然光电二极管（蓝色部分）也只是像素的一部分，但通过微透镜可以将整个像素面积上的所有光线都集中到光电二极管的受光面积上，因为势阱与光电二极管在同一个平面上，所以不会阻挡光线，因此，CCD的填充系数可以看作是1，或开口率为100%，这就是为何很多小DC用C ......

楼主，纠正你一个错误。
CCD的填充系数不是全为1的。
消费类DC/DV使用的CCD为Interline Transfer方式，Fill Factor为30%左右。加了微镜头可以提高到70%。
单反使用CCD的为Frame Transfer方式，理论上的Fill Factor才为100%。
参考的信息很多，无忌上就看下 geforcemx DX的
https://forum.xitek.com/sorthread.php?threadid=337763&pagenumber=1

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第 1068 帖

法无定法

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2010-01-24 22:21

原文由北京老猫在2010-01-24 21:27发表

你要是从上世纪80年代一直关注到现在，或者虚心一点的话，早就全明白了，呵呵：）

我当然是明白的，问题是您明白了吗？如果您能解答，不妨说说看？

不过富士的Super CCD SR是什么时候的技术建议您查查看，与80年代有关系吗？

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第 1067 帖

北京老猫

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帖子: 114

2010-01-24 21:27

原文由法无定法在2010-01-24 21:15发表
这可算一个智力游戏，我可以肯定的说，富士的Super CCD SR是可行的。今天先到这里，看看有没有同学可以解答这个问题？

你要是从上世纪80年代一直关注到现在，或者虚心一点的话，早就全明白了，呵呵：）

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第 1066 帖

法无定法

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帖子: 8116

2010-01-24 21:15

这可算一个智力游戏，我可以肯定的说，富士的Super CCD SR是可行的。今天先到这里，看看有没有同学可以解答这个问题？

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第 1065 帖

法无定法

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帖子: 8116

2010-01-24 20:35

显然，大像素S的光电二极管受光面积大，接受的光子多，小像素R的光电二极管受光面积小，接受的光子少，这一眼就能看出来。但请仔细考虑一下，这是否就表明大像素S的饱和点一定就低于小像素R吗？

图上标出，小像素S的饱和点是大像素的4倍（400%比100%），这一点时如何做到的？

在前面的讨论中，imareal同学举了一个比喻来说明像素的受光面积和像素输出电压的关系：

在下雨天中放两个面积不同的两个盆，如果下的雨是均匀的，那么这两个盆的水位是一样的。因此，像素的输出信号电压与光电传感器的面积大小无关。

实际上也确实是这么回事，大小盆的水位确实是一样高。也就是说，如果大盆的水位于溢出盆外（相当于饱和），那么小盆的水也会溢出盆外。按照这个推理，当大像素S饱和时，小像素R也必然饱和。那么，富士的Super CCD SR岂不是没有意义了吗？

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法无定法

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2010-01-24 19:57

富士的CCD SR是指每个坐标位置由两个像素构成，一个是R像素，受光面积小，主要用于接收高光信号。另一个是S像素，受光面积大，主要接受弱光信号。由于是两个不同的像素，所以其光电二极管和势阱也是不一样的，其原理可用下图来说明：

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法无定法

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2010-01-24 19:24

CCD器件没有CMOS器件特有的填充系数问题。如1057楼的图所示，虽然光电二极管（蓝色部分）也只是像素的一部分，但通过微透镜可以将整个像素面积上的所有光线都集中到光电二极管的受光面积上，因为势阱与光电二极管在同一个平面上，所以不会阻挡光线，因此，CCD的填充系数可以看作是1，或开口率为100%，这就是为何很多小DC用CCD器件的原因，用CCD器件相当于SONY的背光技术。

那么，势阱面积（1057楼图中的红色部分）也就是图中标出的电荷存储区起到了什么作用呢？可以用富士的Super CCD SR来说明这个问题。如下图所示：

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法无定法

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2010-01-24 16:58

填充系数对单反的影响也与像素的面积相关。假定D3的填充系数是0.8，D3的面积是71.38平方微米，其中金属布线和晶体管的面积占了14.28平方微米。假定制程和工艺不变，D3X的面积为35.14平方微米，填充系数 = （35.14-14.28）/ 35.14 = 0.59。同样，佳能5D2的面积是41.1平方微米，金属布线和晶体管的面积占了14.28平方微米，填充系数 = （41.1-14.28)/41.1 = 0.65。7D的像素面积为18.55平方微米，其填充系数只有（18.55-14.28)/18.55 = 0.23。

可见，随着像素密度的增加，填充系数对像素的影响越来越大,从D3的0.8降到7D的0.23。因此，对7D这种像素密度接近小DC的单反相机来说，SONY的这种背光技术还是有意义的。

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法无定法

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2010-01-24 14:00

如楼下的图所示，由于传统CMOS传感器（左边）的金属布线在光电二极管的上面，因此会遮挡住一部分入射的光线，减少光通量，同时还会反射一部分光线造成噪声。因此，传统的CMOS传感器与CCD传感器比较，光电二极管的受光面积会减少。CMOS像素光电二极管的实际受光面积与其本身受光面积的比值就叫做填充系数（fill factor）或者开口率。

而SONY的背照式技术将金属布线做到了光电二极管的背面，因此光线可不受阻碍的全部照射到光电二极管的受光面上。因此，Exmor R CMOS传感器（右边）的填充系数接近1或100%。

填充系数实际上与像素的大小有关。因为金属布线的宽度和晶体管的尺寸与制程有关，而与像素的面积无关。随着技术的不断进步，布线宽度和晶体管尺寸可以做得越来越小，但在同一时期、同样的技术水平下大像素和小像素的布线宽度和晶体管的尺寸是一样的，因此，在小像素中填充系数是0.5，在大像素中填充系数就会大于0.5。例如一个8平方微米的小像素，其填充系数是0.5，也就是有一半的受光面积被金属布线遮挡，这部分的面积是4平方微米。而金属布线占用的面积在一个16平方微米的大像素中还是4平方微米，因此，对大像素来说其填充系数为（16-4）/16 = 12/16 = 0.75，而不是0.5。

由于单反的像素面积比小DC大不少，所以这项技术对单反的意义不是太大，但对小DC的性能和画质则会有显著的提升。这就是为何SONY要将这项技术首先用于小DC的根本原因。

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法无定法

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2010-01-24 13:11

CMOS传感器与CCD传感器的主要区别在于CMOS传感器将放大器等晶体管以及相关的金属布线做到了像素里面。因此，在势阱中存储的光生电荷形成的电压可以在像素内通过放大器放大后经过金属布线输出。而CCD势阱中存储的光生电荷是通过线路导引输出至 CCD 像素外的放大器进行放大后输出。因此，CMOS传感器的每个像素至少有3个晶体管（1个放大管、两个门管）以及相应的金属布线。而CCD像素中没有这些东西。

下图是SONY的Exmor R CMOS背面照明技术感光元件与传统CMOS感光元件的区别：

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法无定法

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2010-01-24 11:29

原文由鱼歪歪在2010-01-24 10:00发表

这个引自Mr.Oh讲座的图很经典。
楼主应该说明，此图表征Interline结构的CCD的单个pixel结构。蓝色部分是光电二极管，图中下方的红色区域是列转移使用的电势阱。

昨天有事没有写完。刚才已经做了补充。

楼下的图是一个CCD像素的结构示意图，我用在这里是想要说明像素的感光面积与势阱面积不是一回事。虽然CCD和CMOS像素是有区别的，但区别不在这里。因为无论是CMOS像素还是CCD像素都有一个光电二极管，这个光电二极管的受光面积才是像素的感光面积，而无论是CMOS像素还是CCD像素也都有一个势阱来存储光生电荷，而这个势阱的面积与光电二极管的受光面积可以做成一样的，也可以做成不一样的。这一点在CCD像素中比较明显，而CMOS像素中不是那么明显。使得很多人误以为像素的感光面积等于像素的势阱面积，而要论证清楚我的观点这一点是非常重要的。

原作者画这张图的目的是想要说明CCD和CMOS的区别，而我用这张图的目的是想要说明CCD和CMOS的相同之处（关于CCD和CMOS的区别我会另行说明），与作者的目的正好相反，所以只截取了一半来说明。原图如下：

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第 1058 帖

鱼歪歪

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2010-01-24 10:00

原文由法无定法在2010-01-23 23:50发表
每个像素都有一个容纳电荷的MOS电容，其结构如下图所示：

这个引自Mr.Oh讲座的图很经典。
楼主应该说明，此图表征Interline结构的CCD的单个pixel结构。蓝色部分是光电二极管，图中下方的红色区域是列转移使用的电势阱。

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第 1057 帖

法无定法

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2010-01-23 23:50

每个像素都有一个容纳电荷的MOS电容，其结构如下图所示：

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法无定法

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2010-01-23 23:23

Clark在后面提到其D3的数据来源：

Nikon D3 info derived from references 16 and 21; Reference 21 derives a saturated full well capacity of 65,568 electrons. This is in contrast to the stated (December 2007) 340,000 electrons in reference 16 (which is several times the full well capacity on a per square micron basis that any other CMOS or CCD sensor). For example, 340,000 gives 4761 electrons per square micron much higher than any published value I have seen. I will use ~137,000 electrons as the full well, which gives 1918 electrons / sq. micron, still a value that is probably too high.
http://www_clarkvision_com/imagedetail/digital.sensor.performance.summary/

其中参考资料21确实给出了D3在ISO 200时的最大阱容为65,568个电子，但作为对比的5D在ISO 100时为61,900个电子,比D3还要低。按照这两个数值，D3的电子密度为918个/每平方微米，5D的电子密度为920个电子/每平方微米，均远低于1700个电子的理论密度。而5D2的电子密度则为1600个电子/每平方微米。1DMKII作者给出的最大阱容为79,900个电子，对应的电子密度为1,193个电子/平方微米，都比5D2的电子密度要小得多。如果上面所说D3按137,000个电子的最大阱容计算，则D3的线性动态范围将达到27,959。无论怎样计算，Clark在确定D3的最大阱容以及动态范围时使用的数据是有问题的。

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第 1055 帖

山水色彩

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2010-01-23 00:35

数码对焦：佳能最近用EOS 7D创下记录，具有1800万像素。相比之下尼康的1200万像素就失色了。你们有计划把你们的APS-C相机增加像素吗？
后藤哲郎先生：是的，我们也许会，如果用户期待更多像素我们会响应。不过，这必须要很谨慎，因为在扩增像素时我们有时候会丢失一些重要的东西如感光度或者动态范围。
数码对焦：对尼康来说图像质量的要点是什么：像素、感光度、动态范围？
后藤哲郎先生：对尼康来说噪音控制是图像质量主要因素。高像素的需求固然重要，但我们不能走得太远。

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第 1054 帖

法无定法

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2010-01-22 17:49

原文由大秦正声在2010-01-22 17:13发表
LZ你累不累呀！

不累啊。如果嫌不够清楚，还可以计算得更清楚一些：

在Clark给出的动态范围比较图中，5D2的动态范围最大。按照Clark给出的数据，5D2的线性动态范围是26300，换算成档为14.7档。是所比较相机中最高的。

然而，Clark的数据中5D2的最大阱容是65700，而D3是65600。这显然是有问题的。按照Clark给出的数据：

5D2传感器的长边有5616个像素，短边为3744个像素。长边边长为36毫米，短边边长为24毫米。像素的长边为36/5616 = 6.41微米，短边为24/3744 = 6.41微米，面积为41.09平方微米。

D3传感器的长边有4256个像素，短边有2832个像素。长边边长36毫米，短边边长23.9毫米。像素的长边=36/4256 = 8.46微米，短边 = 23.9/2832 = 8.44微米，面积为71.38平方微米。D3的像素面积是5D2的1.74倍。

按照Clark给出的1700个电子/平方微米的密度来确定最大阱容，5D2的最大阱容为1700 X 41.09 = 69,855个电子，与给出的65,700接近。因此，D3的最大阱容为65700 X 1.74 = 114,100个电子。

按照Clark给出的数据，D3的读出噪声为4.9，线性动态范围 = 最大阱容/读出噪声，D3的线性动态范围 = 114100/4.9 = 23286。虽然仍然小于5D2的26300，但已经高于5D和1DMKII的20000以及1DMKIII的17500，折算为档约在14.5左右（位于5D的14.3和5D2的14.7之间）。

[法无定法编辑于 2010-01-22 17:51]

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第 1053 帖

大秦正声

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2010-01-22 17:13

LZ你累不累呀！

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法无定法

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2010-01-22 15:06

Clark关于最大阱容和读出噪声的定义与业界公认的一致，没有什么问题。但5D2和D3的最大阱容居然是一样的，这点甚为可疑。

按照Clark在其表2中给出的数据，5D2的最大阱容是65,700，而D3的是65,600，比5D2还小100个电子。而D3的像素面积是5D2像素面积的1.74倍。如果按Clark给出的模型，二者的饱和电子密度均为1700个电子/平方微米，那么D3的最大阱容应该是5D2的1.74倍。因此，如果5D2的65,700个电子是正确的话，那么D3的最大阱容应该是65700 X 1.74 = 114,100个电子，高居榜首（原来是5D最高，80,000个电子）。相应的，D3的动态范围和其它与最大阱容有关的数据实际上都少了1.74倍。

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法无定法

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2010-01-22 11:07

原文由編外人员在2010-01-21 23:12发表
法老，您这贴是在招聘工程师吧。深圳的经济开始复苏啦

[編外人员编辑于 2010-01-21 23:12]

我认为我发现了Clark的一个问题，所以先要将他的图表和观点翻译出来。他的观点我直接翻译（如果英文好的同学发现我翻译的不对请指出）并注明出处。我的观点放到正在讨论的部分。

[法无定法编辑于 2010-01-22 11:07]

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第 1050 帖

編外人员

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2010-01-21 23:12

法老，您这贴是在招聘工程师吧。深圳的经济开始复苏啦

[編外人员编辑于 2010-01-21 23:12]

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