用软件方法使得大像素插值为高像素与高像素合并为大像素一样，都是在损失原始信息（对大像素来说是其无法记录的位置坐标信息，对高像素来说是其无法记录的暗部信息）的情况下通过统计算法将丢失的信息推导出来的，虽然也可用，但肯定不如直接记录下来的原始信息来得精确。

[法无定法 编辑于 2010-01-05 01:21]

此前受一些资料的影响，同时也没有看过CMOS像素的电路图，一直以为CMOS传感器的前置放大器和A/D转换电路是做在每个像素中的。这种说法流传甚广，包括百度百科关于“CMOS传感器”的条目也是这样的：

　CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。
http://baike.baidu.com/view/356089.htm

经柯纳兄和dvcam兄指出后，又认真看了柯兄给出的资料：

The standard CMOS APS pixel today consists of a photodetector (a JFET photogate or pinned photodiode), a transfer gate, reset gate, selection gate and source-follower readout transistor -- the so-called 4T cell.
The JFET photogate or pinned photodiode was originally used in interline transfer CCDs due to its low dark current and good blue response, and when coupled with the transfer gate, allows complete charge transfer from the photodetector eliminating lag. The use of intrapixel charge transfer can offer lower noise by enabling the use of correlated double sampling.
The Noble 3T pixel is still often used since the fabrication requirements are easier. One transistor, Mrst, acts as a switch to reset the device. When this transistor is turned on, the photodiode is effectively connected to the power supply, VRST, clearing all integrated charge. Since the reset transistor is n-type, the pixel operates in soft reset.
The second transistor, Msf, acts as a buffer (specifically, a source follower), an amplifier which allows the pixel voltage to be observed without removing the accumulated charge. Its power supply, VDD, is typically tied to the power supply of the reset transistor.
The third transistor, Msel, is the row-select transistor. It is a switch that allows a single row of the pixel array to be read by the read-out electronics.
Other innovations of the pixels such as 5T and 6T pixels also exist. By adding extra transistors, functions such as global shutter, as opposed to the more common rolling shutter, are possible.
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Cmos_sensor

从图上和文字说明中可以看出，Noble CMOS 3T像素中的3个晶体管分别是复位管Mrst，源跟随管也就是放大器Msf以及行选通管Msel。其中并无A/D转换电路部分。虽然有资料说像素内包含A/D转换电路的DPS(digital pixel sensor)传感器也一直在研发中，但显然并不是指目前所用的标准CMOS传感器，反而从另一方面证明目前所使用的传感器是没有A/D转换电路的。由此可见网上和某些资料中关于CMOS像素有A/D转换电路的说法是错误的。

感谢柯纳兄和dvcam兄纠正了我一直以来的一个错误认识并向可能被我误导的同学致歉，我也将修改首贴中有关于这一问题的错误。

不是在讨论动态范围和iso么，怎么发那么大的图啊，帖子打开十分慢。

残念，不论上如何大的图，flickr和my picturetown 都自动转成限制尺寸，有那位dx有可贴大图的网站提供吗？

糊涂胸，高感和高像素乃各有所长，我个人也较倾向高感。

致于lz的话也有可取之处，大像素拍照真的比高像素容易出采的多。

来连张12mp插值到42mp（压缩成80%）给大家看看

不合规外链图片,不直接显示，谨慎点击

原照的exif缩为低于256kb存exif供参考

柯大的意识大略说动态范围论点要建立在相同iso，这个我不认同。

他这个值是算出来的，我接受。问题和DXO一样，他是实拍的后，用叫ImagePlus这个第三方软件解码分析出来的，而大多数影友是用DPP或jpg直出，DPP解码效果是远好于任何一个第三方软件。

不过即使这样，7D也拿了少有的高分，列表里分值比它高的只有D3,1D4，5D和5D2，1DS3了，无愧于APS-C旗舰

白点选正中，黑点选20处
图2

再上调过白点和黑点的
图2

请问我在何处说过“合并像素不能提高ISO”？我前面说的是：



与你的理解正好相反。

来看看最低ISO和最高ISO相差多少。
图1

我不知道你说的灵异现象是什么？所以抱歉无法回答你的问题，至于我说的阈值是什么，首帖里有说明，就不再重复。

硅光电池不是光传感器，不需要动态范围，换句话说，最小信号阈值或者噪声电平对硅光电池毫意义，硅光电池只需要有一个平均输出就够了。对硅光电池有意义的是转换效率而不是感光的动态范围。此外，我没有说合并像素不可以，而是说是有条件的。

[法无定法 编辑于 2010-01-03 01:57]