主题:大像素还是高像素? [主题管理员:法无定法]
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 18:42发表
别扯骚了!
我哪个帖子说“CDS电路是佳能在2004年发明的”了?!


本来不打算再回你贴,但看到你居然连自己说过的话都不承认,只有把你的原话再贴一遍,看你还要厚颜无耻到什么时候?

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 18:42发表

佳能发明的是CDS电路,这已经是AMP被导入CMOS电路后十多年后的事情了。

[nickwolfe 编辑于 2010-02-21 18:46]


JPL发明4T像素是1993年-1995年,十多年以后是不是2004年前后?

对连自己白字黑字写下来的话都要否认的人我无话可说。好自为之吧!
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在技术贴里骂人俺最看不起!有啥问题可以讨论,真理越辩越明,骂人就不好~哈!
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原文由 法无定法 在2010-02-27 15:22发表
还有,CDS电路是佳能在2004年发明的是不是你杜撰或编造的谎言?


别扯骚了!
我哪个帖子说“[u]CDS电路是佳能在2004年发明的[/u]”了?!

给你看的专利,是2000年提交、2001年批准公布的。
2004年此技术获得日本发明大奖
我的帖子里说得清清楚楚

你又公开撒谎了吧!

有公开的专利,所以尼康、索尼无法仿制。
这才是2004、2005年前后尼、索尼的CMOS画质无法和佳能相提并论的原因。

你不是声称不存在佳能的专利壁垒么?
我已经把专利号都给你公布出来了,你还有什么可以狡辩的呢?

你脸皮也太厚了吧!
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各位DX,休息一下,吃点元宵吧。。。
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原文由 nickwolfe 在2010-02-26 23:02发表

你说
搜索英文网页时,谷哥搜索到的佳能日本主站的网页是:
http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html
[/url]

这不是有毛病么?

看看这个URL,傻子也知道noplugin.html很明显是个错误显示网页的地址,把这个当作CMOS的技术网页?脑残都没这么高的水平......

但凡你有点智商,把noplugi ......

如果你还有一点智商和理性的话,怎么不解释一下为何佳能网站的日文网页与英文网页为何说法不一致?中文网页的佳能片上降噪技术到哪里去了?

还有,CDS电路是佳能在2004年发明的是不是你杜撰或编造的谎言?你搞清楚佳能自己的资料没有?佳能资料上说的到底是什么?说过CDS是佳能的发明吗?连佳能自己的资料都搞不清楚,居然还敢振振有词的说什么早在2004年就在给人上课说佳能发明了CDS,你不觉得这种表现算什么吗?

我已经说过两次了,既然你还是无法理解,我就再说一遍。佳能的日本专利无法证明CDS是佳能发明的,甚至连4像素全电荷转移CDS是佳能发明的都无法证明。因为CDS是公知技术,从上个世纪80年代开始一直在图像传感器(包括CCD和CMOS)中使用,不可能是佳能在2004年才发明。而4T像素以及全电荷转移CDS是JPL在上个世纪90年代发明的,也不可能是佳能在2004年才发明。

至于你说的那个日本专利是否与美国专利有冲突都不好说,因为你说了半天举出的还是日本专利,没有给出对应此的美国专利。如果此日本专利没有对应的美国专利,只有两种可能,一是佳能公司没有申请此专利的美国专利;二是申请以后由于与美国专利有冲突被驳回。而佳能这样的大公司不太可能不去申请美国专利,因此被驳回的可能性很大。

联系到佳能将英文网页和中文网页此前有关这方面的说法统统删除,佳能这项专利侵权的可能性较高。因此,虽然佳能有日本专利,在日本市场销售不侵权,但在美国市场就有问题。如果美国人还申请了中国专利和国际专利,佳能在中国市场和欧洲市场销售应用这项技术的产品都有侵权的嫌疑。除非佳能放弃此技术是佳能独有技术的说法并向专利所有人支付专利费才有可能销售含有这项技术的产品。我认为这就是佳能为何删除中文和英文网页有关内容的原因。这一事实无论你如何辩解都是存在的,你这种狗急跳墙、乱咬一气的说法只会越抹越黑。

本来我还以为你是佳粉中懂点技术、能够正视现实、不会胡搅蛮缠的人,看来并不是这样。只有既无知又缺乏智商的人才会不懂装懂、大言不惭、出口不逊,企图以此来掩盖自己的无知和智力低下。你与某些在本贴中发言的人一样,只会让我瞧不起。回复完这个帖子后,我不会再回复你任何帖子。
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原文由 法无定法 在2010-02-23 20:15发表

nickwolfe提醒我看错了他的原话,他说的是佳能公司在2004年发明的是双重采样降噪电路专利,核心是双采样差分除噪,即CDS。重点不是4T像素而是CDS电路。即CDS是佳能公司在2004年发明的。给出了佳能官方仍旧声称CDS是自己发明的链接并且翻译了日语的意思,就是佳能官方认为佳能在2004年的发明获奖并成为业界的 ......


CDS不可能是2004年才出现的。我在2002年做硕士课题(图像传感器)的时候已经有大把大把的论文在讲CDS了。
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顶一下,记号。
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原文由 法无定法 在2010-02-23 09:29发表
搜索英文网页时,谷哥搜索到的佳能日本主站的网页是:
http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html
[/url]
这个页面的日文是什么意思我不懂日语。英文如下:

The requested item does not exist on this server.
The link you followed is either inaccurate or may have been deleted.
Please recheck the URL or follow the link from the list below.

CANON Top Page http://www_canon_com
======================================================

翻译成中文的意思是:

请求的项目在这台服务器上不存在。
你跟随的这个链接有错误或已经被删除。
请重新检查URL或跟随下面列出的链接。

佳能主页 http://www_canon_com
===========================


你说
搜索英文网页时,谷哥搜索到的佳能日本主站的网页是:
http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html
[/url]

这不是有毛病么?

看看这个URL,傻子也知道noplugin.html很明显是个错误显示网页的地址,把这个当作CMOS的技术网页?脑残都没这么高的水平......

但凡你有点智商,把noplugin.html去掉、访问一下http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/
不就看到正常结果了?

自己笨,不要紧。大家都不歧视你
但要把这种愚行拿出来卖弄,只能说你欠骂了

************************************************************

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
[u]让你去查查日本专利《特开2001-257938》[/u]

你查了没有?

别浪费大家的时间了。
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LZ太强大了,先顶一个,再慢慢看.
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额的神呀,太专业了,看傻了。
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这贴忒专业!赞LZ一个,舌战群儒啊!
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如果D3的读出噪声与5D2相当,而D3的像素面积是5D2像素面积的1.74倍,如果二者的溢出电荷密度相当,则D3的动态范围将是5D2的1.74倍,大了近一档,而不是Clark所认为的小了近一档。

根据Clark计算的单位增益(Unity Gain),D3的高感比5D2至少大一档。因此我们有理由认为:5D2的ISO比D3虚高了一档。按照ISO 12232的国际标准,5D2的宽容度比D3小一档。实际上,无论是使用的感受还是测评都表明,5D2的ISO标定有虚高的嫌疑。
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由于4T像素以及电荷转移CDS并非佳能的专利,尼康也可以使用。有理由认为,尼康的全幅传感器使用的是4T像素(此前D2X的像素密度太高同时受2004年时的CMOS制程制约,可能采用的是3T像素)以及具有电荷转移的CDS电路。因此,从D3开始,尼康与佳能使用的CDS电路不会有很大的不同,应该是同样的技术水平。Clark的下述说法是不能成立的:

目前佳能在读出噪声性能方面的技术是领先的,较低的读出噪声值 = 较好的性能。尼康目前是将读出噪声的平均值修剪为0,会丢失一些数据。佳能包括了一个偏移量,因此在处理一些原始转换时能保留低端的噪声,这对于用平均多帧来检测低亮度的对象(例如天文摄影)是很重要的。
http://www_clarkvision_com/imagedetail/digital.sensor.performance.summary/

实际上,spot在本贴提出过一种测量相机本底噪声的方法并且测量了5D的本底噪声:
原文由 spot 在2010-01-12 15:33发表
今天做了个简单的试验,觉得很方便而且比较准确,不像拍白墙还有很多主观因素,这样可以省去很多无谓的口水。

不知道大家购机时有没有测试过CMOS的坏点和亮点。常用的一个小程序是DeadPixelTest,下载地址如下:http://www_newhua_com/soft/38746.htm。

这个程序的原理是很简单的,就是全黑拍摄一张照片,读入一个图像,然后计算图像中亮度超过一个指定阚值(Threshold)的象素数量。一般购机时指定的阚值都比较大,比如缺省亮点(hot)的阚值是60,坏点(dead)的阚值是250。我们现在把这个阚值设置成1,那么,这个小程序就转变成统计出图像中所有亮度大于1的象素总数。

全黑拍摄的方法是,盖住镜头盖,再用手或者遮光的东西挡住后面的取景器,把镜头打到MF(手动对焦),相机打到M档(手动曝光),然后只改变ISO设置(切记不要改快门速度),按快门就可以了。拍摄完成后,用原厂RAW转换程序,把图像转换成每通道8位的TIFF文件(JPG文件本身是有损压缩,会增加噪点,不够精确,但最终结论是一样的)。

这种拍摄条件下,毫无疑问,正确的象素应该全都是0,那么,我们认为,凡是大于等于1的都算成噪点。如果噪点来源就是相机CMOS本身固有的噪点,那么在与光线无关,以及相同的温度、湿度、曝光时间等条件下,噪点水平将与ISO无关,基本固定在同一个范围。

以下是我用5D测试的结果:

ISO100 第一次噪点数量170131 第二次噪点数量170249

ISO1600 第一次噪点数量2229339 第二次噪点数量 2194615

结果很明显,这种全黑拍摄的测试结果,ISO1600下的噪点数量比ISO100下高出将近15倍。

大家都可以自己做一下。

这个试验的结论说明,ISO放大的确会显著增加噪点水平。

另, 补充说明,本测试只针对同一台相机进行不同ISO的比较,大家不要横向互相比较
[spot 编辑于 2010-01-12 15:42]


SPOT提出的这个方法其实是可以用来比较不同相机得本底噪声的,而且可以不受镜头的影响,也比较客观。只不过比较的结果表明尼康在降低相机本底噪声技术上不比佳能差,如果不是更好的话。

将DeadPixelTest的亮点(hot)阈值和坏点(dead)的阈值均设为1
用我的D3关闭机内降噪后,测试结果如下:
ISO     噪点数
100         0
200       362
400      8824
1600    531646
3200   2346234
6400   8332766

借了一台5D2,测试结果如下:
ISO     噪点数
100    293888
200     45323
400       465
1600     47096
3200   1344938
6400  11325530

显然,D3的降噪比5D要好得多。5D2的数据比较特别,可能是我不知道如何关闭5D2的机内降噪,所以其机内降噪从ISO 200就开始工作,使得ISO200、ISO 400、ISO 1600的噪点数比ISO 100的还少。同时,由于5D2的像素比D3多了近一倍,其噪点数量多于D3很正常(像素越多,不一致性就越大)。因此可以认为5D2与D3的降噪技术在同一水平。
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事实上CDS是一种在电子测量中普遍使用的公知技术,不仅用于CMOS 4T像素,包括3T 像素和CCD传感器都必须要使用,否则无法消除由于电容以及放大器(对CMOS-APS像素而言)的不一致性带来的固定模式噪声。更一般的,非图像传感器的电子测量也大量使用CDS技术。所以,CDS不可能是佳能在2004年发明的技术并成为业界的标准。这不过是某些人杜撰出来的一个神话。

在无忌中有关佳能的另一个神话是佳能是CMOS图象传感器的老大,尼康自己不能生产传感器,所以尼康不如佳能。实际上佳能在全球CMOS图象传感器中的市场占有率可以忽略不计(如下图)。其生产的CMOS传感器只给自己使用,在技术迅猛发展、CMOS制程越来越精细、设备和投资越来越高并且专业分工越来越细的情况下,未来的局面将会更加被动。不需要自己生产传感器的尼康反而有主动性和灵活性。未来很可能会如同胶片时代一样(做相机的不生产胶片,做胶片的不生产相机),做传感器的专门生产传感器,做相机的专门做相机,形成专业化分工的局面。
上述两个神话应该是中国特色,国外没有这类说法。比如Clark虽然也认为佳能的降噪技术要更好一些(尽管这也是一个神话),但并没有认为尼康的CMOS传感器没有CDS电路。实际上,佳能公司在其全幅CMOS传感器※※※中明确说到的是佳能自己开发并且是其独一无二技术的是指全电荷转移的CDS,从来就没有说过CDS是佳能的发明。即使是这种说法(全电荷转移CDS)在遭到美国加州理工大学起诉后也从佳能网站的中文和英文网页中消失了。

按照nickwolf的说法,目前佳能日文网页还保留着“这种降噪技术统称为‘On-Chip 降噪电路’。这种On-Chip降噪电路是基于获得2004年日本全国发明大奖的降噪技术,此项技术现在毫不夸张地说、已成为业界的标准”的说法。而※※※※中明确指出:

Eric Fossum等人发明了使用内部像素电荷转移器以及在像素内的放大器和真正的相关双采样(CDS)电路,有较低的瞬时噪声操作和在片上的电路用于减少模式噪声,而且发表了第一篇影响深远的文章,预言APS成像器将成为CCD在商业上的接替者。在1993年到1995年期间,喷气推进实验室(Jet Propulsion Laboratory)开发了一系列原型装置,验证了技术上的关键性能。

因此,佳能不可能是4T像素以及与此相关的电荷转移CDS的发明者。佳能在2004年实现并获得日本专利的技术也不可能成为业界的标准(按※※※※的说法,业界标准是Eric Fossum等人在1993-1995年期间发明的4T像素以及真正的相关双采样(CDS)电路),至于这个日本专利是否侵权有待于法院的调查和判决。但至少可以说明佳能在CMOS图象传感器方面并没有什么领先索尼和尼康的技术。相反,在诸如背光技术(BSI)等方面,索尼在CMOS图象传感器方面已经超越了佳能。

[法无定法 编辑于 2010-02-26 19:10]
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原文由 么都行 在2010-02-23 21:12发表
看的好专业,可否下一个简单的结论?


结论在首贴中就有:

对消费者来说,厂家推出侧重点不同的产品是好事,可以根据自己的情况和需要来作出选择。比如主要以灯光摄影为主的影室或摄影棚的用户,D3X和1DsMKIII是不二之选,其分辨率很高且在低ISO时的宽容度也很好。而记者或类似的用户可以考虑D3s或1DMKIV,可以在高ISO下获得满意的图像。选择D700还是5D2也类似,可以或喜欢在光线比较好、有要出高分辨率图像的用户,比如人像摄影和光线好才拍片的用户可以选择5D2,而纪实摄影(包括生活照)和喜欢暗光摄影的用户选D700,并不是一味的要追求高像素。同样画幅的高像素传感器和大像素传感器其实是各有优劣,取决于拍摄者的用途而已
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看的好专业,可否下一个简单的结论?
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 20:28发表
你把这个所谓的“JPL版4T专利”的美国专利局链接贴出来,让大家对比看看不就知道了?

佳能4晶体管实现的是双重采样降噪电路专利,核心是双采样差分除噪。别搞错咯
http://web_canon_jp/technology/canon_tech/category/m_cmos.html

nickwolfe提醒我看错了他的原话,他说的是佳能公司在2004年发明的是双重采样降噪电路专利,核心是双采样差分除噪,即CDS。重点不是4T像素而是CDS电路。即CDS是佳能公司在2004年发明的。给出了佳能官方仍旧声称CDS是自己发明的链接并且翻译了日语的意思,就是佳能官方认为佳能在2004年的发明获奖并成为业界的标准。他还进一步认为D2X没有CDS,因为3T像素没有CDS电路。

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 21:46发表
下面给出现在佳能官方主页仍旧声称这个是自己的发明的链接了阿
你看不到?
再贴一遍!
http://web_canon_jp/technology/interview/hv10/hv10_p4.html

引用:
この一連のノイズ除去をオンチップノイズ除去回路といっています。オンチップ除去回路は、全国発明表彰で2004年に発明賞を受賞したノイズ除去技術がベースとなっているんですが、今やこの技術は業界の標準といっても過言ではないんです。
这是佳能开发者专访栏目里CMOS硬件降噪发明者的访谈
翻译如下

这种降噪技术统称为“On-Chip 降噪电路”。这种On-Chip降噪电路是基于获得2004年日本全国发明大奖的降噪技术,此项技术现在毫不夸张地说、已成为业界的标准!

D2X那年代的SONY传感器的垃圾高感,你也好意思说它有CDS电路?

我多次提醒他包括CCD和3T CMOS像素都必须要有的CDS电路,他到底搞清楚CDS是什么没有?他坚持认为:
原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
你这帖子里的东西,我2004年就开始给你们尼粉上课了!
不信的话,问问老牛他们去?
还我不懂CDS......你开这个帖子的时候,连CMOS每个像素有AMP都不知道,也真好意思吹得出来。真佩服你这样现学现卖的铁丝了


虽然我已经给出了※※※※中明确说明是Eric Fossum等人发明了使用内部像素电荷转移器以及在像素内的放大器和真正的相关双采样(CDS)电路,时间是1993年-1995年期间。不过,nickwolfe要我给出美国专利号,我也只好去查了一下。用US Patent cmos  correlated double sampling(美国 专利 CMOS 相关双采样)做关键词通过谷歌搜索,约有6,980 条结果,实在是太多了,无法一一列举。随便看了一下,早的有1986年的,晚的有2008年的,既有3T像素的,也有4T像素的,不知道 nickwolfe想要知道哪一年、哪一种CMOS CDS的美国专利?

如果认为美国专利还不能说明问题,还可以看看有关CMOS CDS的论文。这方面的东西也很多,挑一篇中国人(香港大学)论文(见下面的截图),标题翻译过来就是《在先进CMOS技术低电压设计环境中的一种新型相关双采样(CDS)技术》,发表时间是2002年9月24日。

有那么多事实摆在前面,不知道最早佳能2004年发明了CMOS CDS电路这个说法的是何方神圣?

佳能给出的英文资料(包括※※※在内)里从来没有说过CDS电路是佳能的发明,只说过带转移门管的4T像素以及与此相关的全电荷转移CDS电路是佳能独一无二的技术。而后面这一点在新的英文网页中也消失的无影无踪。

即使按照nickwolfe翻译的日文网页,也没有说CDS电路是佳能在2004年发明的,只是说专利2004年在日本获奖并成为业界的标准,这个专利的内容是指全电荷转移CDS电路呢还是包括CCD以及CMOS 3T像素在内CDS?从译文中看不出来。

按照nickwolfe的说法,他从2004年起就给大家在上课说是佳能发明了CDS,不仅使得无忌的佳粉信以为真并作为佳能技术领先的例子四处炫耀,而且也让铁丝信以为真,以为佳能真的在CMOS技术上有什么独到之处。但上述事实证明,这一切只不过是nickwolfe这个自称是“CDS专家”的杜撰。这种谎言居然长达5年没有被人揭穿,可见偏见使得理性被蒙蔽到什么程度!

[法无定法 编辑于 2010-02-23 20:24]
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 18:42发表
佳能发明的是CDS电路,这已经是AMP被导入CMOS电路后十多年后的事情了。

nickwolfe 的这句话我开始看成是“AMP被导入CMOS电路后十多年的事情了”,如果是这样,说佳能发明的是CDS电路从时间上来看倒是有可能,因为CCD必需用CDS电路来消除电容噪声,而CCD技术在上个世纪80年代初就已经基本形成,而Eric Fossum等人的发明4T像素以及相关的CDS是在1993-1995年期间(Noble提出像素中加上放大器的时间是1968年,那差的就不是十多年了)。如果佳能公司对CCD有研究,也许在上个世纪80年代就发明了CCD中使用的CDS电路也说不定。所以我请nickwolfe贴出证明是佳能发明CDS电路的证据,并且请他贴英语的,因为我看不懂日语。

关于CCD中的CDS电路原理见下图,此图的来源是:http://www_ccd_com/ccd107.html

[法无定法 编辑于 2010-02-23 11:51]
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原文由 xitec 在2010-02-22 14:46发表
这里只提一个数据的常识性问题:数据颗粒度!

如果从分辨率角度来看,究竟是“大颗粒度还是细颗粒度?”

大家知道细颗粒度的数据可以合成大颗粒度的数据,而大颗粒度的数据是没有办法还原成细颗粒度的数据的!

数码世界是建立在数据的基础上,这也是像素进化的基本原理之一。

FX格式下,也许D3X的2400这么高的像素,只提高了区区42%的分辨率,还不足以带来人眼视觉感受的显著进步;也许四倍的高像素,也不过刚刚提高了一倍的分辨率水平,但这都不妨碍大家达成:分辨率确实提高了!这样一个共识。

xitec兄提出的问题我在首贴中已经说过了:

通过软件采用合并像素的方式来提升高像素相机的宽容度在严格意义上来说是不可能的,因为对使用高像素传感器的相机来说,在获得高分率信息的同时实际上损失了暗部信息,即上面说过的,那些大像素能够记录的信息小像素无法记录。既然没有记录,就不可能生造出来,无论怎么变,还是原来那些信息。反之,也无法从大像素中记录的信息来获得小像素的分辨率,因为缺少如何将一个象素记录的数值按照拍摄时的情况分解到相邻的N个象素上的信息。但有可能通过运算在某种程度上通过软件来合并像素,就如同通过插值运算来提高分辨率一样,而合并或插值的结果只是对真实情况的某种近似,毕竟原始信息已经丢失。
==============
并且打算再介绍完一些基本的观点和材料后再进一步来说明这个问题。如果xitec兄认为还有不清楚的地方,可以继续讨论。

说到偏见,没有比下面这个说法更能体现了:
原文由 nickwolfe 在2010-02-21 14:28发表
别继续扯淡了!

下面这个是什么?
http://cweb_canon_jp/camera/cmos/technology-j/noise_reduction.html

再看看这个?
http://web_canon_jp/technology/interview/hv10/hv10_p4.html

引用:
この一連のノイズ除去をオンチップノイズ除去回路といっています。オンチップ除去回路は、全国発明表彰で2004年に発明賞を受賞したノイズ除去技術がベースとなっているんですが、今やこの技術は業界の標準といっても過言ではないんです。

看得懂么?
佳能自己发明的传感器内置降噪电路,获得了日本2004年发明奖,而且成为业界技术标准。

再看看美国佳能的主页
http://www_canon_com/technology/s_labo/light/003/05/003.html

这个不是?

你就继续睁着眼睛说瞎话吧~~~~~

本来不打算在这个问题上多费口舌,既然nickwolfe兄坚持认为佳能自己发明的传感器内置降噪电路,获得了日本2004年发明奖,而且成为业界技术标准,并且说我说“佳能网站上介绍其片上降噪技术的网页已经全部删除了”是“睁着眼睛说瞎话”,为了对他表示遵重,那我也只能对这些问题做回复了。

我在查找佳能的CMOS传感器片上降噪技术时,谷哥搜索到的佳能中文网页是:http://www.canon.com.cn/specialsite/CMOS/index.htm,显示的是下面这张图片:
搜索英文网页时,谷哥搜索到的佳能日本主站的网页是:
http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html
这个页面的日文是什么意思我不懂日语。英文如下:

The requested item does not exist on this server.
The link you followed is either inaccurate or may have been deleted.
Please recheck the URL or follow the link from the list below.

CANON Top Page       http://www_canon_com
======================================================

翻译成中文的意思是:

请求的项目在这台服务器上不存在。
你跟随的这个链接有错误或已经被删除。
请重新检查URL或跟随下面列出的链接。

佳能主页  http://www_canon_com
===========================

但我在www_canon_com的主页中没有找到有关片上降噪技术的资料,最后好不容易在美国佳能网站上找到《佳能全幅CMOS※※※》中有这方面的资料,也就是我前面所引用的那些。因此,我认为佳能是有意将至少是中文和英文页面中CMOS片上降噪电路的网页删除了。nickwolfe给出的佳能英文网站链接:http://www_canon_com/technology/s_labo/light/003/05/003.html,内容如下:

CMOS sensors generally have the disadvantage of generating electrical noise, which can result in poor image quality. There are unavoidable fluctuations in the performance of the millions of photodiodes and amplifiers incorporated into a CMOS sensor, and the tiny differences in performance result in noise in the output image. To overcome this problem, Canon developed on-chip technology to record the noise of each pixel before exposure, and automatically subtract such noise from the image when it is created. The addition of noise removal enables the reading of a noise-free signal. Some remaining quantum random noise is moreover removed by another technology known as complete electronic charge transfer.
================================

其中确实说到“Canon developed on-chip technology to record the noise of each pixel before exposure, and automatically subtract such noise from the image when it is created(佳能开发了片上技术记录每个像素在曝光前的噪声,并且在图像创建后自动减去这些噪声),实际上只是说佳能实现了CDS的基本功能,并没有说是佳能自己发明的传感器内置降噪电路,获得了日本2004年发明奖,而且成为业界技术标准,如果佳能的日文网页与英文网页是如此不同,说明的是什么问题?到底谁在“继续睁着眼睛说瞎话”?

[法无定法 编辑于 2010-02-23 09:32]
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表

别胡扯了
D2X 2005年初才实际出来的吧?5.5微米的像素;空间不够?
EOS 20D 2004年就出来了!6.4微米的像素,照样4个晶体管~~~~~~高感强过D2X多得多嘛
D2H更是高达9.4微米的像素,一样没有4个晶体管的结构,对不对?

现在,4.3微米像素大小的EOS 7D都照样有4个晶体管。怎么个“不够”?
解释得了么?

想说那会 ......


LZ利用堆专业词汇来吓人。在半导体工艺上捣糨糊。
而对我提问他的最基本问题都会答不出来。
LZ逻辑上都是错误的。
LZ利用名义像素和有效像素提高的速度差的表面现象大造舆论。
数码相机CMOS传感器和ROM芯片大同小异,最终成为传感器,是因为增加了滤色片和结合马赛克等软件算法。
像素提高受限于镜头分辨率是事实,但是高相像机器的细腻画面、不容易摩尔纹,算法通过运算,像素越高为计算出高精度结果创造了有利条件。
LZ纠结在半导体工艺上不能自拔,确对软件算法视而不见。完全割开了成像系统。把自己置在高台上,完全是别有用心。

[up2009 编辑于 2010-02-22 15:22]
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原文由 法无定法 在2009-12-29 18:53发表[/i]
关于大像素和高像素(高像素密度)的争论从D70和350D时代就开始了,到了D700和5D2的时代不仅没有争论出正确的结论,反而得出了一个似是而非的结果:高像素好。包括一些号称专业的网站在D3s发布后认为D3s没有大的改进,其理由就是像素没有提高。

特别是某些佳能的FANS更是坚信高像素比大像素好,因为佳能单反相机的像素数 ......  

......有人说过,在爱情面前女人的智商趋于零。我认为在偏见面前男人的理性趋于零,偏见越深,理性越少。......

......

法老提供了翔实的技术分析,拓展了大家的技术视野,非常好!

但这里想引用LZ的一句话:“有人说过,在爱情面前女人的智商趋于零。我认为在偏见面前男人的理性趋于零,偏见越深,理性越少。”来形容法老现在的思想处境-不当之处请见谅。

回到lZ的主题:究竟是“大像素还是高像素?”

这里只提一个数据的常识性问题:数据颗粒度!

如果从分辨率角度来看,究竟是“大颗粒度还是细颗粒度?”

大家知道细颗粒度的数据可以合成大颗粒度的数据,而大颗粒度的数据是没有办法还原成细颗粒度的数据的!

数码世界是建立在数据的基础上,这也是像素进化的基本原理之一。

FX格式下,也许D3X的2400这么高的像素,只提高了区区42%的分辨率,还不足以带来人眼视觉感受的显著进步;也许四倍的高像素,也不过刚刚提高了一倍的分辨率水平,但这都不妨碍大家达成:分辨率确实提高了!这样一个共识。

多交流!
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睡醒一觉了,还在折腾啊~~~~~
晕。。。

祝你们在新的一年里,心平气和。
祝你们在新的一年里,多出大片!

什么高感高素的,管那么多干嘛呀。
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原文由 法无定法 在2010-02-22 00:20发表

确实,我引用的资料上没有说三星实现57%的开口率用的是BSI技术,但也没有说用FSI技术。而开口率与像素面积有关,面积越小的像素其开口率就越小。而此资料上说57%的开口率将像素原来的开口率提升了2倍,也就是说像素原来的开口率不到30%,换句话说原来的像素是指小像素,不可能是开口率达80%的大像素。而要将小像素的开口率 ......

FSI技术是传统的CMOS SENSOR的结构,BSI则是新近出现在CMOS SENSOR上的构架。所以我推论三星使用的是FSI技术,否则其肯定会大肆宣传BSI技术的优势。
其实在CCD构架上,也有FSI和BSI的结构之分。
现在CCD与CMOS的在拍摄领域的竞争,主要还是集中在消费类DC上。在手机摄像头,以及单反这类市场,CMOS SENSOR这几年已经取得了很大的市占率。
相对来讲,在DC/DV这类成像尺寸上,BSI技术对于CMOS SENSOR成像品质的提升更有优势。这也是目前使用BSI技术的厂商推出产品都集中于DC,DV上的主要原因。我可以乐观的估计,BSI技术在1/2.3"及以下CMOS SENSOR上的应用,将会提升几年后的消费类DC/DV中的CMOS的市占率。
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原文由 鱼歪歪 在2010-02-21 22:47发表
您引用的samsung的fill factor为前照式(FSI)的cmos sensor结构。
FSI的cmos sensor的开口率也就在30%~80%,这个开口率与行间转移的ccd相近。见http://www_olympusmicro_com/primer/digitalimaging/cmosimagesensors.html
至于sony的近100%的开口率,则是对与背照式(BSI)结构的CMOS SENSOR来讲的。

确实,我引用的资料上没有说三星实现57%的开口率用的是BSI技术,但也没有说用FSI技术。而开口率与像素面积有关,面积越小的像素其开口率就越小。而此资料上说57%的开口率将像素原来的开口率提升了2倍,也就是说像素原来的开口率不到30%,换句话说原来的像素是指小像素,不可能是开口率达80%的大像素。而要将小像素的开口率提升2倍,仅减少线宽是不够的,应该采用背光技术才有可能。当然,这只是我的推论,不一定对,但也不是毫无根据。
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佩服!
楼主可以看个照相机厂,让C和N全关门得了。呵呵!
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
让你去查查日本专利《特开2001-257938》
你还是别在这里空口白牙地卖弄无知了~~~~~~

对你这句话,我只能将前面的帖子再贴一遍!

这有关系吗?※※※※中已经说得很清楚了:

Eric Fossum等人发明了使用内部像素电荷转移器以及在像素内的放大器和真正的相关双采样(CDS)电路,有较低的瞬时噪声操作和在片上的电路用于减少模式噪声,而且发表了第一篇影响深远的文章,预言APS成像器将成为CCD在商业上的接替者。在1993年到1995年期间,喷气推进实验室(Jet Propulsion Laboratory)开发了一系列原型装置,验证了技术上的关键性能。虽然原始,但这些装置示范了在高读出速度及低功耗的情况下可获得好的图像性能。

Eric Fossum, et al., invented the image sensor that used intra-pixel charge transfer along with an in-pixel amplifier to achieve true correlated double sampling (CDS) and low temporal noise operation, and on-chip circuits for fixed-pattern noise reduction, and published the first extensive article[4] predicting the emergence of APS imagers as the commercial successor of CCDs. Between 1993 and 1995, the Jet Propulsion Laboratory developed a number of prototype devices, which validated the key features of the technology. Though primitive, these devices demonstrated good image performance with high readout speed and low power consumption.
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Cmos_sensor

佳能的专利是否侵权由法院去判决,与我们讨论的主题无关。但至少可以说明全电荷转移的CDS电路不是佳能发明的,包括索尼和尼康在内都可以使用。所以,佳粉们认为只有佳能才拥有全电荷转移的CDS电路专利的牛皮彻底破产了
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
别胡扯了
D2X 2005年初才实际出来的吧?5.5微米的像素;空间不够?

对你这种不懂装懂的人,不想多废话。先引一段※※※※现成的说法:

设计变量

已经有许多不同的像素设计方案和实现。标准像素是最普通的,因为其在一个有源像素中使用最少的金属布线以及最少、也可能是最紧凑的晶体管。在一个像素中使得有源电路占据较小的空间从而尽可能的让光电二极管获得更多的空间是非常重要的。晶体管占用的空间多将会降低填充系数,即像素感光面积的百分比。像素的大小可换取希望的质量,如降低噪声或减少图像滞后。

Design variants

Many different pixel designs have been proposed and fabricated. The standard pixel is the most common because it uses the fewest wires and the fewest, most tightly-packed transistors possible for an active pixel. It is important that the active circuitry in a pixel take up as little space as possible to allow more room for the photodetector. High transistor count hurts fill factor, that is, the percentage of the pixel area that is sensitive to light. Pixel size can be traded for desirable qualities such as noise reduction or reduced image lag.
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Cmos_sensor

再贴一张佳能※※※的截图,自己好好学习一下你们佳能的材料吧!

[法无定法 编辑于 2010-02-21 23:10]
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
别胡扯了
D2X 2005年初才实际出来的吧?5.5微米的像素;空间不够?
EOS 20D 2004年就出来了!6.4微米的像素,照样4个晶体管~~~~~~高感强过D2X多得多嘛
D2H更是高达9.4微米的像素,一样没有4个晶体管的结构,对不对?

现在,4.3微米像素大小的EOS 7D都照样有4个晶体管。怎么个“不够”?
解释得了么?

想说那会 ......

再问你※※※下面这一段是什么意思:
In the second diagram, the noise charge (N) is held while the light charge (S)
accumulates in a different bucket. After the noise charge (N) is read, it is
completely transferred from the bucket holding the light charge to the bucket
holding the noise charge. The noise charge is then added together and read as
(S+N). When it is subtracted, the noise charge (random noise) is eliminated.
Random noise normally increases with fast signal processing, so Canon has
also developed unique technology
that amplifies signals according to the sensitivity level generated just as they are read. Signals with high S/N ratios are then sent to a high-speed amplifier. With this assistance, low-noise sensors can function well in shooting situations requiring high ISO speeds and long exposures.

下面这张图是几T像素?是3T像素吗?
看得懂我用黑体标出来的英文吗?要不要我给你翻译一下?
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原文由 法无定法 在2010-02-21 18:26发表

鱼兄,我记错了,开口率接近100%的说法不是SONY网站上的,而是SONY公司的平山先生答记者的时候说的:

平山:Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术,由于不受金属线路和晶体管的阻碍,开口率(光电转换部分在一个像素中所占的面积比例)可提高至近100%。与其以往1.75 ......

您引用的samsung的fill factor为前照式(FSI)的cmos sensor结构。
FSI的cmos sensor的开口率也就在30%~80%,这个开口率与行间转移的ccd相近。见http://www_olympusmicro_com/primer/digitalimaging/cmosimagesensors.html
至于sony的近100%的开口率,则是对与背照式(BSI)结构的CMOS SENSOR来讲的。
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原文由 nickwolfe 在2010-02-21 22:17发表
别胡扯了
D2X 2005年初才实际出来的吧?5.5微米的像素;空间不够?
EOS 20D 2004年就出来了!6.4微米的像素,照样4个晶体管~~~~~~高感强过D2X多得多嘛
D2H更是高达9.4微米的像素,一样没有4个晶体管的结构,对不对?

现在,4.3微米像素大小的EOS 7D都照样有4个晶体管。怎么个“不够”?
解释得了么?

想说那会儿的半导体线程太大?
呵呵,先给大家说说、2004年那会儿的CMOS线程是多少纳米、现在又是多少?

********************************************
让你去查查日本专利《特开2001-257938》
你还是别在这里空口白牙地卖弄无知了~~~~~~

你这帖子里的东西,我2004年就开始给你们尼粉上课了!
不信的话,问问老牛他们去?
还我不懂CDS......你开这个帖子的时候,连CMOS每个像素有AMP都不知道,也真好意思吹得出来。真佩服你这样现学现卖的铁丝了
[nickwolfe 编辑于 2010-02-21 22:21]

你懂CDS,为何就没有看出来佳能※※※中下面这段话是什么意思?

Older approaches to random noise removal proved inadequate because the photodiode was reset incompletely after it was read. Imagine a valve that divides water between two water tanks. When the valve opens, the water does not know which tank to go to, so the amount of water becomes irregular over time. When the valve is opened and closed the first time, the new light charge (S) is accumulated and read as (S + N1) although it is unknown how much charge (N1) is in the bucket.

When the valve is again opened, closed and reset, the noise charge (N2) is read
and subtracted. This method cannot eliminate the noise charge (random noise)
that varies each time the valve is opened and closed.

下面的图是不是3T 像素?莫非你以为这也是4T像素?还是少吹牛吧!
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