主题:大像素还是高像素? [主题管理员:法无定法]
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原文由 法无定法 在2010-02-02 21:19发表

1、那你的观点是ISO放大器是噪声的主要来源了?

2、动态范围的定义我已经说过多遍了,有很多种,目前讨论中使用的是Clark的定义,即:full-well capacity / best read noise(最大阱容/最小读出噪声)。

3、我的观点什么时候成了“高像素=高画质”的?我明明说的是认为高像素好是一种似是而非的错误观点。

如果你 ......

就你这一段,就可以看出你在分清概念上有问题,最大阱容/最小读出噪声,从概念上,只适用于传感器,而不适用于后端处理部分,你上面那个大东西,通篇把各种概念混淆在一起,一下东一下西,我觉得你还是在基本训练上做点事情,不要这么乐于满篇结论乱飞.
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原文由 法无定法 在2010-02-02 20:59发表

我问的是SONY网站上的这张时序图是什么类型的ADC?你看不懂中文吗?


看SONY网站上的时序图,我还觉得是计数型的直接ADC呢~~~~~不行么?
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原文由 reversi 在2010-02-02 21:49发表
见过不要脸的,没见过你这么不要脸的!

http://www_sony_net/SonyInfo/technology/technology/theme/cmos_02.html
下面高亮标出的部分,主语是什么?
是你说的什么狗屁“[u]ADC模块[/u]”?还是[u]ADC电路[/u]?!

都被SONY官方资料直接打脸了,还不知羞耻呐?


看来你已经恼羞成怒、气急败坏了。

既然中文你听不懂,看图总能看得懂吧?请看清楚了,SONY下面这张图上标出的ADC(用红线指出来的),有没有降噪电路在里面?其外面的两个CDS是什么?

不懂就是不懂,不要装懂,更不要玩什么文字游戏,故意不将图发全。这只能显示你的无知和智商低下,对你这种无知、弱智且没有教养的人,如果再出言不逊,所发帖子一概删除。

[法无定法 编辑于 2010-02-02 22:56]
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还在吵啊,进来学习
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原文由 法无定法 在2010-01-27 15:35发表
从上面的图和文字介绍来看,降噪是通过ADC前面和后面的CDS(相关双采样)电路来实现的。ADC电路本身并没有降噪功能。但Sony确实是将CDS与ADC封装在同一个集成电路中,所以也可以说[u]ADC模块[/u]具备降噪电路。

我说的ADC实际上是指单纯的A/D转换电路部分,如果要按封装模块来谈就无从划分具体电路的功能,也就无法从原理上来探讨。我认为这个证据不足以证明A/D电路本身具备降噪功能,所以,我依然坚持A/D转换无法降噪的观点。


见过不要脸的,没见过你这么不要脸的!

http://www_sony_net/SonyInfo/technology/technology/theme/cmos_02.html
下面高亮标出的部分,主语是什么?
是你说的什么狗屁“[u]ADC模块[/u]”?还是[u]ADC电路[/u]?!

都被SONY官方资料直接打脸了,还不知羞耻呐?
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原文由 laotun 在2010-02-02 21:06发表
楼主基本概念错误。
信号的动态范围取决于信噪比,当放大器的噪声在一定程度的时候,扩大信噪比的办法就是加大输入信号,这就是D3之前的情形,当信号不能再大的情况下,下挖信噪比的方向就是降低放大器的噪声,也是最新一代传感器的方向。
图像密度越高,信号传输和处理时产生的噪声就高,图像密度和信号传输和处理时产生的噪声成正比,控制大容量信号传输和处理电路的噪声的能力是扩大像素密度的瓶颈之一。只有在这上面有了技术突破,才可以使用小面积的像点,否则无法实现高的信噪比。
楼主开篇的立论就是错误的,电路噪声没有突破,高像素实现不了高画质。

1、那你的观点是ISO放大器是噪声的主要来源了?

2、动态范围的定义我已经说过多遍了,有很多种,目前讨论中使用的是Clark的定义,即:full-well capacity / best read noise(最大阱容/最小读出噪声)。

3、我的观点什么时候成了“高像素=高画质”的?我明明说的是认为高像素好是一种似是而非的错误观点。

如果你要发表自己的见解或者指出我的错误,我是非常欢迎的。但如果根本就没有看清楚我的观点以及有关的定义就将你的理解说成是我的观点,我只能说希望你在发帖之前先看清楚,否则再发这类帖子我不再回复。
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三、既然ISO放大器不是主要的噪声源,
楼主基本概念错误。
信号的动态范围取决于信噪比,当放大器的噪声在一定程度的时候,扩大信噪比的办法就是加大输入信号,这就是D3之前的情形,当信号不能再大的情况下,下挖信噪比的方向就是降低放大器的噪声,也是最新一代传感器的方向。
图像密度越高,信号传输和处理时产生的噪声就高,图像密度和信号传输和处理时产生的噪声成正比,控制大容量信号传输和处理电路的噪声的能力是扩大像素密度的瓶颈之一。只有在这上面有了技术突破,才可以使用小面积的像点,否则无法实现高的信噪比。
楼主开篇的立论就是错误的,电路噪声没有突破,高像素实现不了高画质。
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原文由 reversi 在2010-02-02 20:51发表

delta-sigma的不行?

我问的是SONY网站上的这张时序图是什么类型的ADC?你看不懂中文吗?
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原文由 法无定法 在2010-02-02 20:44发表

我已经说过了,从SONY网站上的ADC时序图看来的,莫非你以为不是?那你说说看,根据下面这张时序图,SONY的这个ADC是什么类型的?


delta-sigma的不行?
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原文由 reversi 在2010-02-02 10:41发表

你从哪儿看来的?

我已经说过了,从SONY网站上的ADC时序图看来的,莫非你以为不是?那你说说看,根据下面这张时序图,SONY的这个ADC是什么类型的?
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原文由 法无定法 在2010-01-30 12:05发表
Clark先生是佳能的粉丝,但比国内的某些佳能粉丝要理性的多。在其文章的最后Clark先生指出:
。。。。。
无论是Clark先生的图还是给出的数据中,除了单位增益ISO之外,D3的数据都距理论曲线较远,而佳能的相机,特别是5D2,基本上都是在理论曲线上或者附近。这表明要么D3的性能很差,要么Clark先生的理论模型或者D3的数据有问题。但正如Clark正确指出的那样:是物理定律决定了大像素比高像素在高ISO或暗光方面(包括天文摄影在内)有更好的性能,因此只能认为Clark先生的理论模型或使用的数据有问题了

理论上大像素会有更好的性能。其实这里说的只是“潜能”。所以你不要忽略真的有可能是D3的性能不够好。
我前面已经说了,大像素确实有“更好更大”的电流,但是将电流转换成ADC可以处理的电压,在小小的CMOS单位像素电路里,并不仅仅取决于光电二极管的性能,其实更多取决于剩下的MOS电路。
如果工艺水平完全一样(我指MOS管的厚度,以及结层厚度和纯度,则芯片可加电压也相当),那么理论上,在动态范围上,高电压上是基本没有差异的。从你引用的数据(如果不是推导的话)来看。D3的高电压确实没有优势。
这时候大小像素主要性能差异在于最低读出电压时的噪声水平(理论上大像素的噪声上应该有优势)。如果你引用的数据可信,D3的单位像素读出噪声是5D2的两倍(相当于两者单位像素面积比例),那么D3就没有获得任何动态范围的优势。

人家的到底是数据还是推导,这个你最好搞清楚。如果是数据,那么你就不要否认D3转换性能差的可能。
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原文由 法无定法 在2010-02-01 14:07发表
可能是这篇※※※推出之时正是佳能的全幅传感器风头正健的时候,所以佳能在※※※中大谈大像素的好处,其中特别说到,大像素有更好的动态范围、更不容易溢出、有更高的ISO等等,与尼康现在说大像素好的说法几乎如出一辙。不知道那些迷信佳能高像素好的粉丝们看了之后有何感想?

量变导致质变。大小像素的差异,是提供了可能。但是如果芯片电压、里面除了光电单元外其他mos管的工艺和规格如果完全一样,那么所谓的动态范围更大,则相差甚少。
在 5D 年代,则不是这么回事,5D的对手是D200之类的CCD。工业完全不同。即使和自己的CMOS产品30D来比,从测试数据可以看到,工艺差异很明显。

我个人不相信D3x和D3除了感光二极管以外的器件有明显的差异,这个从你提供的网站的测试数据可以体现。所以我认为你的“电容量大N倍”固然没错,但可惜nikon缺乏将其转换成“信号幅度更大”意愿。
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冰镜 DX也来了,坐看高手华山论剑
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原文由 法无定法 在2010-02-01 05:52发表
这几天一直在收集降噪方面的资料,准备讨论降噪的问题。

越来越到兴趣的核心上,LZ接着努力。
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原文由 agoodwuj 在2010-02-01 08:44发表

LZ讨论到噪声,俺又突发奇想。

如果难够发明一种敷在CMOS感应器前面一层薄薄的能够被数字精密控制透光系数的“变透膜”(可变透射系数薄膜,厚度几十最多到几百um,其作用相当于电子系统中加了一个高质量的程控衰减器,质量高的原因是在数字控制与CMOS模拟输出之间是光路,理论上不会产生电子噪声),有的DC用这种方法“伪装变光圈”。如果这个“变透膜”能够在可见光范围内比较线性的调节8-10b的范围,COMS就可以根据最低照度设计固定的amp,最终获得的数字是ADC与“变透膜”控制码的叠加(后者极类似于BGA的增益码),这可能会给画质带来革命性的变化。

俺有个奇想,如果在按下快门前的很短时间内cmos芯片具有瞬间制冷功能(也正好也是PN结能干的事),这应该不需要太多的电能,却有可能显著降低电子噪声获得更高质量的信号。一些军用红外传感器如※※引导头就工作在深冷环境。

记号!  
第一种, 需要电控折射率或吸收系数的改变,看起来比较难。等待新人。
第二种, PN结构制冷,目前效率比较低。 很好的想法。

XD的想象能力,不是一般的学识。
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原文由 法无定法 在2010-02-02 09:28发表
SONY的这个ADC是一种双积分型A/D转换器看来agoodwuj兄也没有异议了。


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原文由 agoodwuj 在2010-02-02 04:29发表
1、“乘法运算就是放大”
数字化处理如乘法运算一般不称其为放大和缩小,这在原理上与模拟放大有着本质的区别。定点处理只要不截断就没有误差,只要位数足够并可以达到任意的精度。浮点运算的的精度尤其是64b双精度浮点也远远的满足一般工业需要。

2、DAC是电子学中比较经典的东西,如R-2R(T)DAC、权电阻DAC、PWMDAC...等;超高速DAC的技术含量还是比较高的(如16b/10Msps逐次比较ADC内的超高速DAC就很NB,建立时间只有几个ns,还要达到16b精度,这指标对于HiFi中的水平简直难以想象)。DAC俺用过不少,但在DSLR里不是主要的东西。

3、“SONY的列并行模数转换器是对CMOS传感器的每一列都设置了一个ADC,.....而这4000个ADC按照SONY的说法是同时也就是并行工作的”。
这个事实与俺“串并结合”的设想完全相同,也是比较优化的设计,工业数据采集系统中常见。这种方案不属于全并行,因为几百万个ADC放在那谁也受不了。

4、“双积分型A/D转换器是一种间接A/D转换器。...”
双积分ADC的特点是结构简单,精度也容易做得比较高(取决于计数位数,积分器和比较器)和有天生抗工频干扰的优点,缺点就是速度太慢(几乎难以做到ms级,比主流逐比型要慢上3个数量级,比流水线型要甚至要慢上5个量级--10万倍),应该不适于DSLR中,因为要为上述每一列的点逐一转换,每次的速度不应太慢(至少应该在10us量级,而这个速度积分型ADC根本做不到,除非分辨率很低但又失去了其优点)。
实用的积分ADC是四重积分型,一次正反向积分操作是专用来抵消积分器、比较器和模拟开关自身的失调(调零操作)。

5、“※※等高速飞行器如果是在大气层内飞行,......必须强制致冷。”
红外元件本身就对热噪声很敏感,所以※※即使外罩不发热敏感元件也应该降温。由于半导体器件反向饱和电流引起的噪声与绝对温度呈指数关系,所以只要温度低就肯定对信噪比有好处。比如室内进行高分辨率核能谱测量时甚至要液氮冷却半导体(高纯锗)探测器,俺专业有这方面的东西。
[agoodwuj 编辑于 2010-02-02 04:36]

1、对数字电路而言,乘法运算相当于模拟电路的放大,这是一个很基本的常识。当然,如果agoodwuj兄不认可这一点我也没有办法。但我不会再继续讨论这种问题的。

2、数/模转换以及并行与串行等方面的问题,既然agoodwuj兄认同我的看法,那当然也就无需再讨论了。

3、SONY的这个ADC是一种双积分型A/D转换器看来agoodwuj兄也没有异议了。至于其它数码相机用的是什么ADC我只能说在看到具体的资料前我不知道,也不会去推测,更不会去讨论数码相机应该用什么样的ADC。我认为这种讨论没有任何意义,厂家选择的是什么就是什么,因为我们不可能比厂家更了解他们为何做出这种选择。

3、※※红外导引头要致冷的根本原因与噪声的关系不大,因为红外传感器的透波部分(相当于照相机的镜头)必须在弹体上(一般是在弹体的前端),这部分温度如果比环境温度还高,红外传感器就无法工作(相当于照相机的镜头上盖了一个盖子)。至于想要通过致冷来消除暗电流等,那温度可能要接近绝对零度了,需要的功耗更是难以想象的,而且与我们要讨论的问题无关,所以,我不准备讨论这方面的问题。

4、如果agoodwuj兄还想继续讨论问题,可否先回答一下我此前提出的问题,富士公司是如何做到让大像素S比小像素R先饱和的?谢谢!

[法无定法 编辑于 2010-02-02 09:31]
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原文由 法无定法 在2010-02-01 20:20发表

欢迎agoodwuj兄加入讨论。我一再说过,我不是什么专家,顶多就是个初哥而已,开贴的目的之一就是想要向有关专家或者懂行的人士请教。所以,只要发现我在任何逻辑推理、数学推导以及概念或术语上有错误或者不严谨的地方,都欢迎指出。只要能证明是我错了,我一定会欣然承认并向指出我错误的专家、同学或有关人士表示衷心的 ......


俺感到这几个问题还可以再商榷。

1、“乘法运算就是放大”
数字化处理如乘法运算一般不称其为放大和缩小,这在原理上与模拟放大有着本质的区别。定点处理只要不截断就没有误差,只要位数足够并可以达到任意的精度。浮点运算的的精度尤其是64b双精度浮点也远远的满足一般工业需要。

2、DAC是电子学中比较经典的东西,如R-2R(T)DAC、权电阻DAC、PWMDAC...等;超高速DAC的技术含量还是比较高的(如16b/10Msps逐次比较ADC内的超高速DAC就很NB,建立时间只有几个ns,还要达到16b精度,这指标对于HiFi中的水平简直难以想象)。DAC俺用过不少,但在DSLR里不是主要的东西。

3、“SONY的列并行模数转换器是对CMOS传感器的每一列都设置了一个ADC,.....而这4000个ADC按照SONY的说法是同时也就是并行工作的”。
这个事实与俺“串并结合”的设想完全相同,也是比较优化的设计,工业数据采集系统中常见。这种方案不属于全并行,因为几百万个ADC放在那谁也受不了。

4、“双积分型A/D转换器是一种间接A/D转换器。...”
双积分ADC的特点是结构简单,精度也容易做得比较高(取决于计数位数,积分器和比较器)和有天生抗工频干扰的优点,缺点就是速度太慢(几乎难以做到ms级,比主流逐比型要慢上3个数量级,比流水线型要甚至要慢上5个量级--10万倍),应该不适于DSLR中,因为要为上述每一列的点逐一转换,每次的速度不应太慢(至少应该在10us量级,而这个速度积分型ADC根本做不到,除非分辨率很低但又失去了其优点)。
实用的积分ADC是四重积分型,一次正反向积分操作是专用来抵消积分器、比较器和模拟开关自身的失调(调零操作)。

5、“※※等高速飞行器如果是在大气层内飞行,......必须强制致冷。”
红外元件本身就对热噪声很敏感,所以※※即使外罩不发热敏感元件也应该降温。由于半导体器件反向饱和电流引起的噪声与绝对温度呈指数关系,所以只要温度低就肯定对信噪比有好处。比如室内进行高分辨率核能谱测量时甚至要液氮冷却半导体(高纯锗)探测器,俺专业有这方面的东西。

感谢法法老弟开的这个在无忌比较有技术份量的帖子。俺感到自己已经扯得比较远,原因自己是个外行。

[agoodwuj 编辑于 2010-02-02 04:36]
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原文由 agoodwuj 在2010-02-01 16:11发表
混合放大(这个叫法其实不准确,因为不存在“数字放大”的概念)。混合电路(如BGA/PGA、模拟开关等本身就是混合芯片)致命的缺点是容易受到数字噪声的影响。CPU的极高速度和几乎无限精度的运算使得现代技术有个特点,一旦完成了模数转换就再也无需回到任何模拟处理,除非有特定需要输出到模拟单元(如RGB显示的DAC)。

“串并结合”其实是具有阵列传感元件电子系统数据采集的常用方法。比如640x480阵列,每行640使用一个ADC(串行),共480个ADC(并行),通过640次并行转换后得出这帧的50w个数据,从fifo中依次读出被DPS进一步处理。这里面就有个通道设计问题,是每个传感器都有自己的放大器后再通过mux(640道太多可能要分成几级)还是先mux再公用一个高质量的BGA,这样做的前提还有每个cell的模拟信息在被依次量化前仍能很好的保持(S/H)。这里面mux虽是个祸害但又不得不用,受数字脉冲信号控制的mux的电荷馈漏可能会给微弱的原始信号带来灾难性的影响。

另外,LZ提到的采用积分(仪器中实用的是四重积分)ADC俺感到很奇怪,这种计数转换方式速度太慢(除非每个通道用一个),一般只用DVM仪表中。

俺有个奇想,如果在按下快门前的很短时间内cmos芯片具有瞬间制冷功能(也正好也是PN结能干的事),这应该不需要太多的电能,却有可能显著降低电子噪声获得更高质量的信号。一些军用红外传感器如※※引导头就工作在深冷环境。

欢迎agoodwuj兄加入讨论。我一再说过,我不是什么专家,顶多就是个初哥而已,开贴的目的之一就是想要向有关专家或者懂行的人士请教。所以,只要发现我在任何逻辑推理、数学推导以及概念或术语上有错误或者不严谨的地方,都欢迎指出。只要能证明是我错了,我一定会欣然承认并向指出我错误的专家、同学或有关人士表示衷心的感谢。

我前面说的是数/模混合电路而不是说混合放大,这一点agoodwuj兄可能没有看清楚。此外,数字放大并不是什么不可思议的事,乘法运算就是放大,比如在PS中将一块亮度为20的区域乘以5变成亮度为100的区域(在PS操作上就是拉一下曲线)与在模拟电路中通过让放大器的增益为5倍将一个5伏的电压放大为25伏没有本质的不同。

与A/D转换电路对应的是D/A转换电路,也许agoodwuj兄对这个领域不熟悉,所以认为应用不多,但至少对我所从事的工作而言,数模转换不说比模数转换多的话,至少不会更少。因为人的主要感觉器官(眼睛、耳朵、鼻子等)接受的是模拟信号而不是数字信号。

SONY的列并行模数转换器是对CMOS传感器的每一列都设置了一个ADC,对一个4000X3000的像素矩阵来说就是有4000个ADC,每个ADC对应3000个像素,将像素中的模拟电压信号转换为12或14位的数字量。而这4000个ADC按照SONY的说法是同时也就是并行工作的。

双积分型A/D转换器是一种间接A/D转换器。它的基本原理是:
对输入模拟电压和参考电压分别进行两次积分,将输入电压平均值变换成与之成正比的时间间隔,然后利用时钟脉冲和计数器测出此时间间隔,进而得到相应的数字量输出。由于该转换电路是对输入电压的平均值进行转换,所以它具有很强的抗工频干扰能力,在数字测量中得到广泛应用。

SONY的列转换ADC的时序图如下:
很容易看出这是一个典型的双积分型A/D转换器。对数码相机来说,无论是精度还是转换时间都已经足够了,特别是有数千个这样的A/D转换器在同时工作。

※※等高速飞行器如果是在大气层内飞行,在弹体上将会大量产生摩擦热,导致普通的红外传感器无法工作,必须强制致冷。致冷部分是※※红外导引头的一个重要部件,也是功耗较高的部件,虽然其工作时间很短(以秒计算)。普通的民用数码相机既没有必要、也花不起这样的成本。

[法无定法 编辑于 2010-02-01 20:24]
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原文由 Mucher 在2010-02-01 16:21发表
高精度ADC早就存在多年,问题是数据量太大,相机的CPU处理不过来,而且RAW文件会非常巨大,现在的电脑也吃不消。现在相机的图象处理瓶颈明显在内置CPU上,不然直出jpg效果会好很多。

而CPU的性能又和相机的散热能力和制程有关,而相机厂家又省钱,不想买最先进制程的处理器(有可能是量太小,达不到规模效应),所以说目 ......


这个应该不是问题,拍p与DV有个明显的不同就是允许较长时间的数据缓存(属于突发式信号、数据系统),一个pp的原始数据量最多也就在100MB量级。何况现代ASIC内部已经可以构造n多并行的DSP核,对于全定制的混合处理器也是没有问题的,而且消费电子产品的一大优势就产量大成本能够很好分摊。
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原文由 断鸿零燕 在2010-02-01 16:19发表
这贴走火入魔啦.
就像开车的大谈汽车制造技术.有意义么?
有精力还是多讨论些驾驶技术吧.


业内的“思维定势”偶尔也需要外行的“突发奇想”来产生技术进步的火花(这种奇想的产生当然不能建立在乞丐空着肚子在想白馒头的基础上),这就是常说的“学科交叉”。

PS LZ这显然是个论“车”品“车”贴,而不是关于驾驶技术的。
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资深泡菜
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原文由 法无定法 在2010-02-01 13:52发表
这几天一直在收集降噪方面的资料,准备讨论降噪的问题。......


LZ讨论到噪声,俺又突发奇想。

DSLR画质说到底,还是个大动态(大光比)范围内的信号采集处理问题,如何保证在低照度下的信噪比和高光不溢出是个永恒的话题。如果难够发明一种敷在CMOS感应器前面一层薄薄的能够被数字精密控制透光系数的“变透膜”(可变透射系数薄膜,厚度几十最多到几百um,其作用相当于电子系统中加了一个高质量的程控衰减器,质量高的原因是在数字控制与CMOS模拟输出之间是光路,理论上不会产生电子噪声),有的DC用这种方法“伪装变光圈”。

如果这个“变透膜”能够在可见光范围内比较线性的调节8-10b的范围,COMS就可以根据最低照度设计固定的amp,最终获得的数字是ADC与“变透膜”控制码的叠加(后者极类似于BGA的增益码),这可能会给画质带来革命性的变化。一个明显的好处是这个单个的“变透膜”理论上能够适应任何像素数量和密度。在一定程度上不用镜头光圈改变进光量也就能够更有效的控制pp的景深。

如果设计的更巧,还可以在可见光带宽内加上所需的频散特性对后面的传感器进行补偿,如果连这个也精细可控,那就更绝了。

PS 胡思乱想,越想越能体会到※※基础工业的落后,大国到强国之路真的是何其漫长。
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高精度ADC早就存在多年,问题是数据量太大,相机的CPU处理不过来,而且RAW文件会非常巨大,现在的电脑也吃不消。现在相机的图象处理瓶颈明显在内置CPU上,不然直出jpg效果会好很多。

而CPU的性能又和相机的散热能力和制程有关,而相机厂家又省钱,不想买最先进制程的处理器(有可能是量太小,达不到规模效应),所以说目前来说,我对相机性能的提高不抱太大的希望
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这贴走火入魔啦.
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原文由 法无定法 在2010-02-01 14:25发表
如楼下的图所示,佳能指出,大像素的面积是小像素的5倍,收集到的光也是小像素的5倍,存储电荷的容量也是小像素的5倍,但大像素和小像素存储电荷的高度是相等的,因此溢出或饱和点是一样的。

那么,富士又是怎么做到让其传感器的大像素S比小像素R先溢出的?按照佳能公司的这张图富士公司是无法做到这一点的。


这东西前面我说过了,你不要把富士看成一块ccd,分开看成两块,一块是单反的ccd,一块是dc的小ccd,两种ccd在光线充足的时候,拍出来的东西都很好,光线不好的时候,单反的ccd会比dc的效果好很多,既然这样,那就让小ccd拍高光,大ccd拍暗部,不正好全用长处嘛。反过来理解,小ccd用的是低iso,大ccd的iso高一些的。

说实话,这东西太容易理解了。

我看你贴了这么多文字图片下来,直接可以认为你根本没有理解基本原理。因为最基本的单元电路并没有看懂,这部分看不懂,后面就是贴100万个文字和图片,你也看不懂的。
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如楼下的图所示,佳能指出,大像素的面积是小像素的5倍,收集到的光也是小像素的5倍,存储电荷的容量也是小像素的5倍,但大像素和小像素存储电荷的高度是相等的,因此溢出或饱和点是一样的。

那么,富士又是怎么做到让其传感器的大像素S比小像素R先溢出的?按照佳能公司的这张图富士公司是无法做到这一点的。
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此图首贴要用到,再贴一张裁减过的:
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经过放狗反复搜索,终于在佳能美国的网站找到了一条漏网之鱼——佳能CMOS传感器的※※※,虽然早了一点,是1dsMKII和5D时代的,不过佳能的降噪技术介绍里面还是讲得很清楚的。因此下载下来作为资料用,下面这张图就是※※※的截图。PDF文件可从下列网址下载:
http://www_usa_canon_com/uploadedimages/FCK/Image/White%20Papers/Canon_CMOS_WP.pdf

可能是这篇※※※推出之时正是佳能的全幅传感器风头正健的时候,所以佳能在※※※中大谈大像素的好处,其中特别说到,大像素有更好的动态范围、更不容易溢出、有更高的ISO等等,与尼康现在说大像素好的说法几乎如出一辙。不知道那些迷信佳能高像素好的粉丝们看了之后有何感想?
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