我推的一点都不错
我本事回答问题。看谁外行。

[up2009 编辑于 2010-02-21 12:31]

就你这逻辑能力，把你卖了就值个土豆钱，你自己数的过来。

背光技术是CMOS传感器下一步能够提高像素密度的关键技术，因为CMOS填充系数造成的问题对高像素来说比大像素严重的多，只有采用这一技术才有可能使得CMOS传感器与CCD传感器并驾齐驱。索尼如将这一技术用于DSLR，将有可能大幅提高传感器的像素密度。

[法无定法 编辑于 2010-02-21 12:03]

日系厂商中是索尼而不是佳能一直在CMOS-APS传感器方面获得专利来摆脱美国人的控制，比如CMOS传感器的背光技术。采用背光技术的产品美国OmnVision公司发布的更早：

OmnVision开发CMOS传感器背面照明技术 有望大幅提升相机性能
http://www_newmaker_com 2008-6-2  佳工机电网

OmniVision公司日前发布了OmniBSI架构，这种新型传感器的设计采用了与传统CMOS影像传感器技术截然不同的方法。OmniBSI采用背面照度(BSI)技术，使得OmniVision能够在提供更出色影像质量的同时将其像素尺寸降低到0.9微米，这是数字影像技术不断小型化的关键。在TSMC的支持下，OmniVision开发出了OmniBSI架构。

BSI技术颠倒CameraChip传感器的上下层，因此传感器可以通过原本是传感器底层的硅基来收集光线。这种方法与传统的前面照度(FSI)影像传感器不同，在FSI影像传感器上，到达感光区的光线在某种程度上被传感器中能将光子转换成电子的金属和介电层所限制。FSI方法会阻碍光线到达像素或使光线偏离像素，最终降低填充系数，并带来像素之间串扰等其它问题。BSI颠倒了各层之间的安排，从而使得金属和介电层位于传感器阵列的下方，为光线提供了到达像素最直接的通道。这种新方法优化了光线吸收，使得OmniVision能够建立一种超过1.4微米所有性能指标的1.4微米BSI像素，甚至超过大多数1.75微米FSI像素。

OmniBSI架构提供了多项超越FSI的性能改进，包括每单位区域更强的灵敏度、更高的量子效率以及减少串扰和光响应非均匀性，所有这些改进都能够显著改善影像质量。由于光线直接到达硅基，因此影像传感器的填充系数获得了显著改善，从而可以提供同类最佳的微光敏感度。显著增高的主光线角度能够实现更短的镜头高度，从而可支持更薄的相机模块，这种模块是新一代超薄手机的理想之选。最后，BSI技术可支持更大的孔径尺寸，从而可实现更低的光圈系数(f stops)，凭借出众的相机性能推动性能更卓越相机模块的开发。

OmniVision工艺设计副总裁Howard Rhodes表示：“根据现行设计规则，将FSI像素架构缩小至1.4微米或以下带来了一些真正的挑战，因为金属线和晶体管正不断使像素光圈接近其物理极限——光的波长。要想利用传统FSI像素技术解决这一问题将需要转换为65nm铜工艺技术，这会大大增加生产的复杂性和成本。由于支持三层以上的金属，BSI实现了巨大的生产优势，同时无需转变为更小的工艺节点。这意味着可简化布线，且与FSI传感器相比，芯片尺寸更小，同时不会带来因转变为更小的工艺节点而产生的复杂性和额外成本。”

TSMC的主流技术营销高级总监Ken Chen博士表示：“虽然背面照度概念已经研究了20多年，但迄今还没有谁能够成功开发出商业化并大批量CMOS传感器的生产工艺。”

OmniVision目前正展示一款8百万像素的OmniBSI CameraChip传感器，并预计将在6月底之前开始首批产品的出样。
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但索尼在OmniVision之后依然发布了采用背光技术的EXMOR传感器，显然是掌握了绕开OmniVision专利的技术，可见在信息社会企图通过专利来阻止对手是很不容易的。

佳粉就是不愿意正视现实。比如一直以为佳能公司是CMOS传感器的老大，并以此作为打击尼康公司的依据，理由是尼康不能生产制造传感器。这是一个很可笑的理由。众所周知，CMOS（包括CMOS传感器）的核心技术在美国人手中，采用CMOS技术的最前沿是CPU，而世界上最大的CPU厂商是美国公司（Intel和AMD）。而最大的CMOS传感器生产厂商也是美国公司，没有佳能什么事。请看下面的报道：

美国厂商在CMOS影像传感器市场的反击

2003年可以说是CCD与CMOS影像传感器丰收的一年，其不仅在数码相机、PC Camera、以及数字摄像机的带动下有所发挥，可照相手机（Camera Phone）领域的快速成长更是驱动影像传感器前进的齿轮。

CCD与CMOS传感器都是美国人发明，但是CCD影像传感器却在日本厂商发扬光大，无论是索尼、夏普、三洋、松下与Fuji Photo等，都是现今CCD传感器的制造大厂。但是影像传感器的巨大市场已吸引了众多美国厂商进入，他们欲凭借CMOS传感器与日系的CCD厂商展开决战，其中可拍照手机市场更是他们的主战场。

目标市场日趋明显的CMOS影像传感器

近年来，数码相机走入一般大众市场，带动了影像传感器产业的起飞。起初，数码相机的推升力来自于像素不断提升且价格却不断滑落的双重刺激。随着数码相机从计算机外设变成消费性产品之后，产品的花样亦开始有了不同以往的变化。也就是说，高、中、低阶的影像产品种类使得以往只有CCD影像传感器独霸的情况有了很大改变。根据iSuppli的估计，2006年CMOS影像传感器在出货量方面将超越CCD影像传感器。

从图一中，约略知道现在影像传感器应用市场，已经从垂直市场、数码相机，延伸至手机与数字摄录机市场。

CMOS影像传感器成长的最主要原因有：单芯片的解决方案的提出、价格不断下跌、200万像素以下数码相机市场的采用、可照相手机厂商的陆续接纳、低耗电量特质对消费型电子产品的吸引力、以及配备CMOS传感器的汽车数量持续在增加。

现在CMOS影像传感器已经可用VLSI技术提供给应用市场单芯片解决方案。例如：将DSP或ISP（Integrated Signal Processing）、多色彩滤片、以及其它电子整合在一起。未来更将整合MPEG芯片以扩大市场竞争力。如此的解决方案，将有机会进一步降低CMOS影像传感器模块的价格。根据预估，2003年CMOS影像传感器在像素不断提升之下，平均价格依然下跌了近2%，达10.4美元，至2007年更将跌至9美元之水准。

总之，随着CMOS影像传感器近年来技术不断的突破，以及价格不断下跌，应用领域亦随之拓展开来，从监视安全系统、条形码卡片阅读机、指纹辨识系统、汽车、玩具、PC Camera、可照相手机、到数码相机，可说应用领域相当广泛，产生日趋明显的CMOS影像传感器应用市场。

山姆大叔抢占CMOS影像传感器滩头堡

CCD影像传感器长期为日商所掌控，其特殊制程之关键技术为日方重要资产，也是日本视讯产业之重要基础之一。无论从索尼、夏普与松下投资金额来看，都可以知道CCD影像传感器未来仍旧会是日商所把持

以美国市场特质包括：竞争激烈、日新月异的技术、产业标准不断进化、低价、产品快速的替换率，因此对于美国厂商来说，发展CMOS影像传感器似乎比较适合美国市场特质。如果再能配合台湾地区在数码相机与移动电话上的制造能力，对于美国厂商来说都是值得一试的下一代半导体产业。因而吸引了众多的美国半导体厂商，不仅有传统的传感器厂商如安捷伦、Dalsa和OmniVision等公司加大了投入和并购，更有一些其它领域的著名厂商投入CMOS传感器市场，如美光、ESS、国半和卓然等。

表一所示是美国主要的CMOS传感器厂商和相关产品，下文将对他们的主要策略和技术进行介绍。

1. OVTI技术创新领先同行

OmniVision Technologies (OVTI)已经在可照相手机和2百万像素数码相机市场取得相当的优势，其产品已领先同业半年到1年以上。因此，现今有许多手机与数码相机厂商皆采用其CMOS影像传感器的解决方案。

其主要的策略核心就是使用产品差异化与技术创新来领先同业。例如其已经成功整合标准CMOS技术与其特有生产测试方法大量生产低成本、低电压且高性能的解决方案。此外，他亦提供给客户完整相机解决方案套件，其中包括影像传感器组件、复杂影像处理电路、以及主要视讯接口。如此将降低客户开发成本。

随着轻薄短小且省电的趋势下，其特有高整合度的CameraChip技术能将周边功能都整合在单芯片之上，如此不仅能够降低相机设计所需的组件，亦可达到低成本与快速上市的效果。

2. 安捷伦积极收购

安捷伦科技并非单独专注在CMOS影像传感器之厂商。其事业包含CMOS与CCD影像传感器，以及一些通讯、电子、测试测量与生命科学等垂直市场。

其CMOS影像传感器当初亦非针对数码相机与可照相手机市场而来，其在光学鼠标与其它垂直市场拥有不错的市场领导地位，一直到OVTI快速获得数码相机与可照相手机厂商订单之前，安捷伦一直在美国CMOS影像传感器产业占有数一数二的地位。

2003年2月安捷伦购并Pixel Devices International，并取得该公司在CMOS影像传感器的IP与相关技术。未来Aligent仍然会使用策略联盟与购并方式来获得新的技术以维持其在CMOS影像传感器产业的竞争力。尤其在数码相机与可照相手机领域。

3：SMaL 开发最低功耗和最薄产品

SMaL Camera Technologies是在1999年8月由三个MIT教授创立。其当初设定市场在保安监控、消费电子与汽车市场。 SMaL透过技术团队加强影像设计技术能力，开发出特有的Autobrite技术。此技术不仅能整合软硬件、亦可提供宽广动态至120db以及低耗电量（15mW /30帧/秒）。并已经开发出全球最薄(6mm)且名片大小的数码相机SMaL's Ultra-pocket。

4. NS将高分辨率传感器商品化

2003年3月国家半导体透过策略联盟方式取得Foveon在X3技术的制造与销售的授权。 由于Foveon近年来以创新X3技术，在2000年9月宣布开发出16.8百万像素的CMOS影像传感器之后，陆续针对市场推出450万与10.2百万像素的产品。

X3技术是RGB三种彩色滤光片整合在相同的影像感测芯片之上，使得分辨率能够得到3倍的效果。 未来透过NS的制造与销售优势，结合Foveon的技术，将能够快速将X3技术之CMOS影像传感器商品化。此外，NS亦希望将Foveon的技术带到数码相机与可照相手机领域，未来在2004年将是值得市场期待的新业者。

5. 美光在CMOS传感器市场发力 从2001年美光购并Photobit开始，就说明了其进入影像传感器市场的决心，先后成立美光影像部门，2002年陆续推出CIF级与VGA级CMOS影像传感器产品，于2003年3月美光正式推出百万像素以上的CMOS影像传感器。并积极开拓数码相机与可照相手机市场。

根据该公司的资料显示，2003年CMOS影像传感器的营收将占美光整年营收的1%，可见未来CMOS影像传感器将愈来愈有机会成为未来继闪存与DRAM之后的另一个营收来源。 从以上分析可以看出，技术取胜与购并导向是美国厂商的两大策略。

以技术取胜的厂商，基本上都拥有自己特有的专利，并利用自有技术与其它公司合作，或创造市场差异的策略。例如：Foveon的X3技术是所谓的三层感光原理，比起旧技术同一个像素只能感应一个颜色来说，色彩的品质与表现是其最大的特色。也就是因为如此，国半在自有技术不足的情况下，与Foveon合作，将可使技术取胜的厂商更专注在研发。

而OmniVision则利用自有技术之能力，以提早推出新产品以及提供整体解决方案策略，获得数码相机与可照相手机厂商的青睐。此外，并持续开发新的市场机会，如：交互式游戏、汽车、以及生物医疗领域。

此外，值得一提的德州仪器在影像传感器方面的进展。其数字影像传感器产品部门设计了结合CCD与CMOS优点的BCMD（Bulk Charge Modulated Device）。由于BCMD可使用CMOS工艺生产，因此其性价比一定比CCD来得低。如果未来德州仪器结合其在DSP、混合讯号技术、以及移动电话芯片的特长，定会在可照相手机市场有所发挥。

在购并策略方面，美国公司经常使用购并方式快速取得技术与专利，以期望能够快速强夺市场大饼。例如ESS Technology在VCD与DVD半导体领域的技术是众所皆知的事实，不过，2003年6月以2,700万美元的现金买下了Pictos，并成立ESS数字影像部门，可说是以快刀斩乱马的方式切入CMOS影像传感器市场。未来将专注在数码相机与可照相手机市场。

在CMOS影像传感器市场一直以垂直市场为主要战场的DALSA，在2002年向Royal Philips买下影像传感器技术，并能够从专业影像市场往产业与消费性的市场迈进。如此的方式，不仅能够扩大产品线的广度，亦可得到技术结合之综效。 众多美国厂商介入CMOS传感器市场，为中国的手机、数码相机等制造商提供了更多的选择，必将改变目前影像传感器市场的供应格局。
http://www_esmchina_com/ART_8800054502_1300_2201_3604_0_f9e8cd14.HTM

在这种格局中，专业化分工是唯一个出路，相机主机厂商企图自己搞CMOS传感器只有死路一条。

楼主认真，学习了。
跳梁小丑们，他们数像素yy吧。

佳能在其※※※中还有大量篇幅来论证其片上降噪技术的优越性，并且给外界造成了相关双采样（CDS）技术以及采用4T像素的全电荷转移技术等CMOS-APS的核心技术是佳能的专利技术的印象。对此，包括Clark在内的众多佳能粉丝都信以为真，并以此作为佳能公司在COMS传感器技术上领先的依据。

可惜的是这不是真的，只不过是价能公司发起的广告攻势而已。

在上面所引的佳能公司全幅CMOS传感器※※※中，关于3T像素的定义就是错的。按照CMOS-APS像素的定义，诺博尔（Noble）3T像素的3个晶体管是指复位管Mrst，放大管Msf和行选择管Msel，没有光电二极管什么事。佳能公司的技术人员居然在技术※※※里将3T像素说成是光电二极管+复位管+放大管，完全忘记了行选择管。

如果上面说的这个问题是不小心造成的表述错误，不是什么大问题的话。那么，将CDS技术和4T像素说成是佳能公司的专利就比较严重了。

CDS（相关双取样）技术是一种公知技术，不仅用于图像传感器也用于其它领域。在谷歌上搜索相关双采样有34万条纪录，相关双取样有101万条。CCD传感器必须要采用CDS技术来消除放大器噪声，否则无法工作。任何一种CMOS-APS像素，包括3T像素在内，也都要用到CDS技术，否则无法工作，※※※※中说到的暗帧减法就是指CDS。因此，CDS不可能是佳能的专利技术。

正如我前面所引用的※※※※关于APS像素的资料所指出，今天标准的CMOS APS像素由一个光电二极管以及转移门管、复位门管、选通门管和源跟随器读出管等4个晶体管组成，因此被称为4T（4晶体管）单元。也就是说，有转移门管的4T像素现在是CMOS传感器的标准配置，佳能在※※※中说尼康的LBCAST传感器是3T像素已经是过时的黄历，D3以及其后的传感器不可能还是3T像素，佳能在CMOS片上降噪技术方面与索尼和尼康相比并没有什么优势。

事实是包括4T像素在内，所有的核心转专利都在美国人手中。从2003年起，美国人就开始在CMOS传感器方面发力，目前最大的CMOS传感器公司都是美国公司，包括索尼在内的日本公司在CMOS传感器方面都落后于美国公司。美国人希望通过在CMOS传感器市场上报让CCD传感器市场落入日本人手中的一箭之仇。因此，决不会让日本公司在CMOS传感器市场上再独占鳌头。

美国人不仅通过市场竞争，去年更是通过专利诉讼，利用法律来来打击日本公司。采用CMOS传感器的日本厂商通通被美国人起诉，包括索尼、佳能和尼康。这就是为何佳能的网站一夜之间将所有作为佳能专利技术向外界介绍，也是佳粉们引以自豪的片上降噪技术的网页全部撤下来的原因。如果官司败诉，以CMOS-APS为核心技术的佳能公司将受到致命的打击。

请问你知道为什么CCD改CMOS了吗？

我觉得LZ不去NIKON去研发新一代相机真是可惜了。

这么多条我就看了个开头。

无论你查多少资料，你仍然是外行。因为这是皮毛。

技术在演化，进化。

你用这么多论据我用一个就好。

你的错误在于思路不对。你这是胶片思维。

我用反正法。
大像素好=低像素=上世纪90年代的数码相机最好。
证明完毕。

谁在“造谣生事、出言不逊”？说话要有根据！别以为整个主题管理就可以为所欲为了。删帖？请便吧......

至于“S5是怎么实现高宽容度的”及“将两个像素来合并为一个大像素算不算有技术”偶当然清楚。如果不知道的话，偶为什么要买S5呢？！

反而，不明白的是你自己！看看你以前的发言吧：

引用:
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原文由 法无定法 在2010-01-11 15:47发表

1、请看清楚，DXO测试的是宽容度吗？或者你也认为宽容度与动态范围是一样的？

2、强信号不溢出或不饱和是最大阱容决定的，而最大阱容是面积的函数，面积大最大阱容也大。因此，大像素不会比小像素容易饱和。不知道这个简单的逻辑关系想得通吗？

3、我说过ISO范围是宽容度了吗？二者之间的关系我前面已经论证过多次了，如果要从逻辑上反驳我，就直接指出我逻辑上的错误，比如前提不正确，不符合形式逻辑等等，不是说你认为不够充分，而是要说出你认为不够充分的理由或者说明必要和充分条件。

4、关于DXO也好或者其它网站的数据我已经看到了，而且前面已经说过会给出解释的，请稍安勿躁。当然，如果你能根据DXO或者其它网站给出的测试结果来论证我的论点不成立也是可以的，但前提是你必须说清楚其测试的方法和数据的含义是什么。不要像那位糊涂兄一样，连DXO所说的动态范围是什么含意？以什么为单位都没有搞清楚就自以为是不断地发帖。

5、在本贴发帖最好具备一定的逻辑能力和专业知识，否则既浪费无忌的资源也浪费我的时间。如果不回帖对你不尊重，如果回帖我确实没有那么多的时间。
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糊涂终结者:

动态范围和宽容度是互相依存的２个独立的概念。一般来说，宽容度是一个输入范畴的观念，是载体纪录影调的能力的一种体现。也就是图像传感器（或胶片）“看”景物的能力；而动态范围是一个输出范畴的量，即是一个给我们人的眼睛观看的一个表现范围，也就是说我们看到的图片上黑到底有多黑，白又有多白。

DXO测试的是动态范围，因为测试图像传感器的宽容度对于大众来说没有什么意义（因为人们最终是要看其输出的图像的）。

既然你说偶“连DXO所说的动态范围是什么含意”都不知道，那请你解释一下自己说的所谓的“ISO范围大的相机其传感器动态范围也要大”是什么意思啊？你的这个动态范围指的是什么啊？！

好文章

只要像素高到够用 - 每个人的够用标准不同哈
只要像素大到够用 - 每个人的标准也不同哈：）

像素1200万以下不够用么？
高感3200ISO以下不够用么？

C家就狂说裁减的快感，N家就狂说高感的自由

苦了那些被忽悠的。

[cntangcn 编辑于 2010-02-10 07:31]

如果N一贯坚持大象素，D3X算N的产品么？

我03年买的SONY P71 DC, 1/1.6 的ccd, 320万像素；如此说来比我去年买的1/1.7 1400万像素G10成像要好？所以这里事实上是有一个前提，就是大家的感光片的技术水平相同。

另外这个东西不是线性的。在同等技术水平下，我觉得象素密度和像素大小之间应该有个数学里面的所谓“极大值”的概念。至于1200像素是否是一个极大值从而是ASP-C画幅下的最佳定位，那就见仁见智了；为啥不说800万像素最好，而不是1200万？进一步，如果asp-c下面1200像素是最佳值，那全副下1200万像素就低了。

[cntangcn 编辑于 2010-02-10 03:32]

牛人论文！鉴定完毕。

这段话的大意是：

“动态范围随着感光度的增加而减少”这句话一般是正确的，但由于某些相当复杂的原因也会有例外。

动态范围（DR）是传感器能够处理的最高亮度与最低量度之比或等价于最高灰阶与最低灰阶之比。最低灰阶被认为是信噪比等于0（SNR=0db）。

为何动态范围是在ISO最低值饱和？对某些传感器来说，暗部噪声由转换噪声控制并且一般独立于低ISO设置。因此，最低灰阶比如SNR=0db也独立于低ISO设置。这就是为什么——比如佳能的相机——在ISO100和200的动态范围大体是准确的。对高ISO值，光子噪声再次领先，可以预料，动态范围将失去一位（1bit）。

为何动态范围从ISO 100到ISO 200甚至会增加？如果我们检查这把标尺的另一端——高光，会看到上限被传感器饱和点固定了。存在着两种可能的限制因数：

1、像素势阱的容量（电子的数量）

2、模数转换器的位数（12或14位）

饱和点一般是通过模数转换器来实现的，传感器的饱和值是4095或16383（或近似值）。不过，少数传感器在很低的ISO时其电子阱在达到模数转换器数字（4095或16383）之前饱和。如果这个效应与前面所描述的暗部噪声重叠，对这些传感器实际的动态范围比低ISO还要低！
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其实，上面所说的例外是我指出的动态范围的定义有二义性造成的。按照作者的定义，动态范围相当于我们说的宽容度定义。但作者又认为最低灰阶与信噪比等于0是一致的，但这两者实际上是不一致的。所以只好用例外来解释。

不知weikle兄能否给出原文的链接地址？我再仔细看一看上下文。