大像素还是高像素？

主题：大像素还是高像素？ [主题管理员:法无定法]

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nickwolfe

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2010-02-21 22:17

原文由法无定法在2010-02-21 22:05发表

为何D2X没有采用4T像素？因为D2X的传感器不是全幅的，其像素密度比D3X还要高，也就是说其像素面积比D3X还要小。而2004年CMOS制程要在那么小的面积上做4个晶体管会使得CMOS填充系数变得很小，所以只能做成3T像素。而同时期的1DsMKII和5D因为是全幅的传感器，像素面积比 D2X大得多，多做一个晶体管对CMOS填充系数影响不大，所以才能做成4T像素以及全电荷转移CDS，这一点在佳能的※※※中说得很清楚，要不要我贴出来给你看？与D2X有CDS电路有关系吗？真是无知的可以。

别胡扯了
D2X 2005年初才实际出来的吧？5.5微米的像素；空间不够？
EOS 20D 2004年就出来了！6.4微米的像素，照样4个晶体管~~~~~~高感强过D2X多得多嘛
D2H更是高达9.4微米的像素，一样没有4个晶体管的结构，对不对？

现在，4.3微米像素大小的EOS 7D都照样有4个晶体管。怎么个“不够”？
解释得了么？

想说那会儿的半导体线程太大？
呵呵，先给大家说说、2004年那会儿的CMOS线程是多少纳米、现在又是多少？

********************************************
让你去查查日本专利《[u]特开2001-257938[/u]》
你还是别在这里空口白牙地卖弄无知了~~~~~~

你这帖子里的东西，我2004年就开始给你们尼粉上课了！
不信的话，问问老牛他们去？
还我不懂CDS......你开这个帖子的时候，连CMOS每个像素有AMP都不知道，也真好意思吹得出来。真佩服你这样现学现卖的铁丝了

[nickwolfe 编辑于 2010-02-21 22:21]

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第 1314 帖

法无定法

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2010-02-21 22:05

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 21:46发表

D2X那年代的SONY传感器的垃圾高感，你也好意思说它有CDS电路？

看看你下面发言里，连ADC电路有降噪功能都不知道，就可以了解你对CDS有怎样程度的认识了。

纵观你这个帖子，评语就一句：[u]错误百出，大言不惭[/u]

对你这种连CDS电路是做什么用的？为何包括CCD和3T CMOS像素的传感器必须包括CDS电路都不懂的人我不想再废话解释为什么,你连佳能自己的※※※都没有仔细看过。

为何D2X没有采用4T像素？因为D2X的传感器不是全幅的，其像素密度比D3X还要高，也就是说其像素面积比D3X还要小。而2004年CMOS制程要在那么小的面积上做4个晶体管会使得CMOS填充系数变得很小，所以只能做成3T像素。而同时期的1DsMKII和5D因为是全幅的传感器，像素面积比D2X大得多，多做一个晶体管对CMOS填充系数影响不大，所以才能做成4T像素以及全电荷转移CDS，这一点在佳能的※※※中说得很清楚，要不要我贴出来给你看？与D2X有CDS电路有关系吗？真是无知的可以。

不懂就是不懂，不要装懂。如果你坚持这种态度，我对你只能视而不见。好自为之吧！

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第 1313 帖

nickwolfe

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2010-02-21 22:02

原文由法无定法在2010-02-21 20:41发表
所以，佳粉们认为只有佳能才拥有全电荷转移的CDS电路专利的牛皮彻底破产了。

别ＹＹ了。

给你个专利号
特开2001-257938

看懂了再来冒傻气吧～～～～

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第 1312 帖

nickwolfe

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2010-02-21 21:46

原文由法无定法在2010-02-21 21:14发表
删不删除事实就是如此，否则佳能为何不再提这个核心技术是自己的专利了？

下面给出现在佳能官方主页仍旧声称这个是自己的发明的链接了阿
你看不到？
再贴一遍！
http://web_canon_jp/technology/interview/hv10/hv10_p4.html

この一連のノイズ除去をオンチップノイズ除去回路といっています。オンチップ除去回路は、全国発明表彰で2004年に発明賞を受賞したノイズ除去技術がベースとなっているんですが、今やこの技術は業界の標準といっても過言ではないんです。

这是佳能开发者专访栏目里CMOS硬件降噪发明者的访谈
翻译如下

这种降噪技术统称为“On-Chip 降噪电路”。这种On-Chip降噪电路是基于获得2004年日本全国发明大奖的降噪技术，此项技术现在毫不夸张地说、已成为业界的标准！

原文由法无定法在2010-02-21 21:14发表
你怎么知道D2X没有CDS电路？建议你还是搞清楚CDS电路是干什么用的吧！

D2X那年代的SONY传感器的垃圾高感，你也好意思说它有CDS电路？

看看你下面发言里，连ADC电路有降噪功能都不知道，就可以了解你对CDS有怎样程度的认识了。

纵观你这个帖子，评语就一句：[u]错误百出，大言不惭[/u]

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第 1311 帖

法无定法

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2010-02-21 21:22

看清楚了吗？佳能认为传统的3T像素的CDS电路不如其发明的4T像素的CDS好，因为4T可以实现全电荷转移。

尼康的D2X既然如你所说是3T像素，为何要用佳能自以为是自己发明的4T像素的CDS？用得着吗？

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第 1310 帖

法无定法

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2010-02-21 21:18

接上页：

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第 1309 帖

法无定法

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2010-02-21 21:17

佳能全幅CMOS传感器※※※：

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第 1308 帖

法无定法

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2010-02-21 21:14

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 21:07发表

你还是先给大家解释解释:
2004年的D2X CMOS，为啥没有这个CDS电路呢？是SONY脑残么？
2004年的D2H LBCAST，为啥也没有这个CDS电路呢？是尼康不知道CMOS降噪的重要么？

再看看你自己本贴1284楼说过的

删不删除事实就是如此，否则佳能为何不再提这个核心技术是自己的专利了？

你怎么知道D2X没有CDS电路？建议你还是搞清楚CDS电路是干什么用的吧！

[法无定法编辑于 2010-02-21 21:15]

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第 1307 帖

nickwolfe

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2010-02-21 21:07

原文由法无定法在2010-02-21 20:41发表
佳能的专利是否侵权由法院去判决，与我们讨论的主题无关。但至少可以说明全电荷转移的CDS电路不是佳能发明的，包括索尼和尼康在内都可以使用。所以，佳粉们认为只有佳能才拥有全电荷转移的CDS电路专利的牛皮彻底破产了。

你还是先给大家解释解释:
2004年的D2X CMOS，为啥没有这个CDS电路呢？是SONY脑残么？
2004年的D2H LBCAST，为啥也没有这个CDS电路呢？是尼康不知道CMOS降噪的重要么？

再看看你自己本贴1284楼说过的

原文由法无定法在2010-02-21 12:39发表
[u]而佳能网站上介绍其片上降噪技术的网页已经全部删除了。[/u]这说明索尼的技术没有侵权，而佳能的技术有侵权的嫌疑。

承认这是你自己瞎编出来的吧？
再问你一次："[u]已经全部删除了[/u]"么？
你后面的结论又如何自圆其说？

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第 1306 帖

法无定法

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2010-02-21 20:41

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 20:28发表
你把这个所谓的“JPL版4T专利”的美国专利局链接贴出来，让大家对比看看不就知道了？

佳能4晶体管实现的是双重采样降噪电路专利，核心是双采样差分除噪。别搞错咯
http://web_canon_jp/technology/canon_tech/category/m_cmos.html
[flash]http://web_canon_jp/technology/canon_tech/category/images/ ......

这有关系吗？※※※※中已经说得很清楚了：

Eric Fossum等人发明了使用内部像素电荷转移器以及在像素内的放大器和真正的相关双采样（CDS）电路，有较低的瞬时噪声操作和在片上的电路用于减少模式噪声，而且发表了第一篇影响深远的文章，预言APS成像器将成为CCD在商业上的接替者。在1993年到1995年期间，喷气推进实验室（Jet Propulsion Laboratory）开发了一系列原型装置，验证了技术上的关键性能。虽然原始，但这些装置示范了在高读出速度及低功耗的情况下可获得好的图像性能。

Eric Fossum, et al., invented the image sensor that used intra-pixel charge transfer along with an in-pixel amplifier to achieve true correlated double sampling (CDS) and low temporal noise operation, and on-chip circuits for fixed-pattern noise reduction, and published the first extensive article[4] predicting the emergence of APS imagers as the commercial successor of CCDs. Between 1993 and 1995, the Jet Propulsion Laboratory developed a number of prototype devices, which validated the key features of the technology. Though primitive, these devices demonstrated good image performance with high readout speed and low power consumption.
http://en.※※※※※※※※※.org/wiki/Cmos_sensor

佳能的专利是否侵权由法院去判决，与我们讨论的主题无关。但至少可以说明全电荷转移的CDS电路不是佳能发明的，包括索尼和尼康在内都可以使用。所以，佳粉们认为只有佳能才拥有全电荷转移的CDS电路专利的牛皮彻底破产了。

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第 1305 帖

航海者

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2010-02-21 20:38

《大像素还是高像素》，这个论题相当的好！

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第 1304 帖

nickwolfe

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2010-02-21 20:28

原文由法无定法在2010-02-21 20:00发表
我已经说得很清楚了，而带转移门管的4T像素的发明人不是别人，正是Eric R. Fossum，专利权属于JPL（目前是加州理工大学），所以佳能成了被告，说了是因为CDS电路吗？佳能一直鼓吹的是全电荷转移是其核心技术（如果不信，我可以将※※※的后两页再贴给你看），而所谓全电荷转移就是通过第4个晶体管即转移门管实现 ......

你把这个所谓的“JPL版4T专利”的美国专利局链接贴出来，让大家对比看看不就知道了？

佳能4晶体管实现的是双重采样降噪电路专利，核心是双采样差分除噪。别搞错咯
http://web_canon_jp/technology/canon_tech/category/m_cmos.html
[flash]http://web_canon_jp/technology/canon_tech/category/images/electronic_device/01_2.swf[/flash]

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第 1303 帖

法无定法

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2010-02-21 20:00

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 19:48发表
成为被告的不只是佳能吧？

如果你坚持是因为CDS技术成为被告的，你看看其他被告公司，包括尼康、索尼，他们的带有CDS的CMOS在哪里？

你怎么解释他们怎么成为被告的呢？

2005年SONY给NIKON D2X做的CMOS，仍旧是3晶体管式的构造
按你的逻辑，这块CMOS如何侵犯到JPL的专利了？
2004年尼康出的LBCAST侵犯到JPL专利了么？D3s的CMOS侵犯到了么？

AMP是晶体管放大器啊。
我什么时候说过“引入AMP前十多年佳能就发明的CDS电路”？你又开始瞎编乱造了吧？

我已经说得很清楚了，而带转移门管的4T像素的发明人不是别人，正是Eric R. Fossum，专利权属于JPL（目前是加州理工大学），所以佳能成了被告，说了是因为CDS电路吗？佳能一直鼓吹的是全电荷转移是其核心技术（如果不信，我可以将※※※的后两页再贴给你看），而所谓全电荷转移就是通过第4个晶体管即转移门管实现的。现在佳能的牛皮吹破了吧？

3T像素也是JPL的专利，所以尼康也是被告，与CDS无关。

抱歉，你说的是“佳能发明的是CDS电路，这已经是AMP被导入CMOS电路后十多年后的事情了”，我看成“前”了，对不起。

[法无定法编辑于 2010-02-21 20:01]

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第 1302 帖

nickwolfe

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2010-02-21 19:48

原文由法无定法在2010-02-21 19:19发表
佳能也改变了传统的3T（晶体管）CMOS像素结构（一个光电二极管、一个MOSFET放大器和一个初始化光生电荷的复位开关），3T COMS像素结构对像素电容复位时引起的复位噪声（即kTC噪声，其中k = 波尔茨曼常数，T = 工作温度，C = 表现在放大管栅极上的总电容）会带来不利的影响。为了消除这种噪声，佳能增加了第4个晶体管作为转移门。柯达公司在其专有的配置中有4T（晶体管）CMOS像素设计，但尼康的LBCAST传感器是3T像素。
==============
CDS电路在CCD传感器中就在应用，3T CMOS像素也必须要用到。你说是佳能发明的CDS电路，有何证据？

而带转移门管的4T像素的发明人不是别人，正是Eric R. Fossum，专利权属于JPL（目前是加州理工大学），所以佳能成了被告。我在首贴为何引用了那么多※※※※关于CMOS-APS的※※资料？就是等着你这个问题。从※※※※关于CMOS-APS像素的※※可以看出，只有一个日本人与此有关，就是奥林巴斯的中村勉，而且只是APS像素这个名字是他取的，但实质上的工作和定义还是Eric R. Fossum完成的，与佳能一点关系都没有。

成为被告的不只是佳能吧？

如果你坚持是因为CDS技术成为被告的，你看看其他被告公司，包括尼康、索尼，他们的带有CDS的CMOS在哪里？

你怎么解释他们怎么成为被告的呢？

2005年SONY给NIKON D2X做的CMOS，仍旧是3晶体管式的构造
按你的逻辑，这块CMOS如何侵犯到JPL的专利了？
2004年尼康出的LBCAST侵犯到JPL专利了么？D3s的CMOS侵犯到了么？

原文由法无定法在2010-02-21 19:19发表
还有，什么是AMP？请你说清楚一点。你前面说佳能2004年获得发明专利，又说引入AMP前十多年佳能就发明的CDS电路，请贴出有关证据（抱歉，我不懂日语，请贴英语的）。

AMP是晶体管放大器啊。
我什么时候说过“引入AMP前十多年佳能就发明的CDS电路”？你又开始瞎编乱造了吧？

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第 1301 帖

法无定法

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2010-02-21 19:19

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 18:42发表
佳能发明的是CDS电路，这已经是AMP被导入CMOS电路后十多年后的事情了。

既然你说是转到的那个页面，我不懂日语，但那个页面关于CMOS的部分应该就是我前面引用过的《佳能全幅CMOS传感器※※※》，其英文版我已经从佳能美国网站下载，有关内容前面已经翻译成中文（英文文本见下面的截图）。在这个※※※中佳能连3T像素的定义都是错的，而且佳能在这个※※※中都不敢说CDS电路是他们发明的，只敢说：

佳能也改变了传统的3T（晶体管）CMOS像素结构（一个光电二极管、一个MOSFET放大器和一个初始化光生电荷的复位开关），3T COMS像素结构对像素电容复位时引起的复位噪声（即kTC噪声，其中k = 波尔茨曼常数，T = 工作温度，C = 表现在放大管栅极上的总电容）会带来不利的影响。为了消除这种噪声，佳能增加了第4个晶体管作为转移门。柯达公司在其专有的配置中有4T（晶体管）CMOS像素设计，但尼康的LBCAST传感器是3T像素。
==============
CDS电路在CCD传感器中就在应用，3T CMOS像素也必须要用到。你说是佳能发明的CDS电路，有何证据？

而带转移门管的4T像素的发明人不是别人，正是Eric R. Fossum，专利权属于JPL（目前是加州理工大学），所以佳能成了被告。我在首贴为何引用了那么多※※※※关于CMOS-APS的※※资料？就是等着你这个问题。从※※※※关于CMOS-APS像素的※※可以看出，只有一个日本人与此有关，就是奥林巴斯的中村勉，而且只是APS像素这个名字是他取的，但实质上的工作和定义还是Eric R. Fossum完成的，与佳能一点关系都没有。

还有，什么是AMP？请你说清楚一点。你前面说佳能2004年获得发明专利，又说引入AMP前十多年佳能就发明的CDS电路，请贴出有关证据（抱歉，我不懂日语，请贴英语的）。

[法无定法编辑于 2010-02-21 19:21]

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第 1300 帖

nickwolfe

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2010-02-21 18:42

原文由法无定法在2010-02-21 16:24发表
哈哈，我还以为你不会出现了呢。下面这几个网页你如何解释呢？

中国佳能更新主页有啥新鲜的？

再看看你那日本佳能的网页证据是啥？

原文由法无定法在2010-02-21 16:24发表
还有 http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html

http://www_canon_co_jp/imaging/cmos 这个网页，明明说转到如下地址了
http://cweb_canon_jp/camera/cmos/index-j.html
你怎么就敢公开造谣说此网页关闭了呢？

URL変更のお知らせ
「キヤノンCMOSセンサーの世界」ページのURLは下記に変更いたしました。
http://cweb_canon_jp/camera/cmos/index-j.html
自動的に上記の新しいURLにご案内いたしますが、ページが変更されない
場合は、恐れ入りますが、こちらよりご覧ください。
なお、このページをブラウザのブックマークに登録してご利用になられていた
お客さまは、大変申し訳ございませんが、ご登録のブックマークを
新しいページへご変更いただきたくお願い申し上げます。
今後とも、キヤノンデジタルカメラホームページをご愛顧くださいますよう、
宜しくお願い申し上げます。

看懂了？
[code]
《佳能CMOS传感器世界》主页的URL变更为下述地址。
http://cweb_canon_jp/camera/cmos/index-j.html
[/code]
还继续造谣？

*****************************************************

原文由法无定法在2010-02-21 16:24发表
此外，难道你认为日经BP的记者大槻智洋下面这个说法是在造谣？

不过，这种含混不清在专利纠纷中是不允许的。拥有JPL专利的加利福尼亚理工大学于2008年10月，以专利侵害为由起诉了奥林巴斯、佳能、三星、索尼，松下、尼康。该大学主张对MOS基本技术拥有专利权。这个问题的最终结果对哪一方有利不得而知，但肯定会对鼻祖之争带来很大影响。

你还是先看懂这片日经的报道里、JPL的这个专利是啥内容吧！
进入上世纪90年代后，美国JPL（NASA喷气推进研究所，目前为加利福尼亚理工大学的机构）通过在噪声产生之前用像素内的晶体管放大信号，克服了噪声问题。这种摄像元件称为增幅型传感器（Aps：Active Pixel Sensor）。

看懂了？这可不是本文讨论的“硬件降噪技术”，而是CMOS电路里面那个AMP的发明权！
所以JPL专利的拥有人——加州理工大学起诉的是所有的MOS图像传感器的制造商，哪怕索尼并没有使用传统的CDS降噪电路也不例外，原因就是如此。

佳能发明的是CDS电路，这已经是AMP被导入CMOS电路后十多年后的事情了。

[nickwolfe 编辑于 2010-02-21 18:46]

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第 1299 帖

法无定法

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2010-02-21 18:26

原文由法无定法在2010-02-21 17:31发表

索尼的数据见索尼网站，三星的数据见下面的报道：

索尼三星CMOS传感器之争高清与高开口率
作者：记者：大槻智洋频道：华中发布时间：2007-12-28
　　从摄影元件领域来看，“isscc 2006”的看点当然是称雄全球ccd市场的索尼和韩国三星分别发表的cmos传感器。三星的目标是2007年占据cmos传感器全球市场第一。 ......

鱼兄，我记错了，开口率接近100%的说法不是SONY网站上的，而是SONY公司的平山先生答记者的时候说的：

平山：Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。

见http://info.xitek.com/news/200909/22-27701.html

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第 1298 帖

法无定法

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2010-02-21 17:31

原文由鱼歪歪在2010-02-21 17:19发表

不知你从何处获得的三星和sony的FF参数？

索尼的数据见索尼网站，三星的数据见下面的报道：

索尼三星CMOS传感器之争高清与高开口率
   作者：记者：大槻智洋  频道：华中  发布时间：2007-12-28
　　从摄影元件领域来看，“isscc 2006”的看点当然是称雄全球ccd市场的索尼和韩国三星分别发表的cmos传感器。三星的目标是2007年占据cmos传感器全球市场第一。

　　索尼此次共有三件发表。从摄像元件领域来看，几年来一直是各公司每家一件发表，所以索尼在这方面的投入之大引人注目。可以说，充分体现了索尼称雄cmos时代的强烈愿望。另一方面，三星则是自开展cmos业务以来首次在isscc上发表cmos传感器。用意是证明其已经具备生产尖端产品的能力。

　　索尼将要发表的第一件cmos传感器可以拍摄超过hdtv的640万像素影像（演讲序号：27.1）。图像数据的输出速度高达60帧/秒。像素间隔为2.5μm，光学尺寸为1/1.8英寸，总像素数约为640万。输出接口为lvds（低电压差分信号传输）。另一特点是：2×2像素的像素加算后输出模式（拍摄影像时可提高输出值）和原样输出模式均可在没有多余数据输出的情况下顺利切换。

　　输出方面，在规定条件下为1.2万电子/lx·秒，随机噪音为7万电子。通过将每个像素的晶体管数平均控制到1.75个等方法，将开口率（每个像素中光电转换部分的面积比率）提高到38%。采用的工艺规格为180nm。每列像素集成一个10位的a-d转换器。结构为1个多晶硅层、3个布线层。

　　索尼的另一件发表是为降低噪音而封装了数字二重采样电路的cmos传感器（演讲序号：27.5）。光学尺寸为1/1.8英寸、总像素数约276万。按计算，像素间隔在3.7μm左右。随机噪音为5.2电子，固定图像噪音不足0.5电子。另外，在mems相关会议上，索尼还将有另一件发表。

　　三星将发表开口率57%的接近普通值2倍的cmos传感器（演讲序号：27.2）。像素间隔为2.25μm，光学尺寸为1/2英寸，总像素数约720万。为提高开口率，采用了像素中晶体管每4个像素共用的结构，同时还采用了130nm工艺规格。

　　饱和输出为1.4万电子，规定条件下的输出为1.5万电子/lx·秒，随机噪音为8电子。另外，三星还计划在定于2005年12月5日～7日举行的“iedm 2005”学会上发表像素间隔1.9μm、开口率52%的cmos传感器。
    动态范围达142db！cmos传感器超过人眼

    索尼摄像机首次配备cmos传感器

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第 1297 帖

鱼歪歪

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2010-02-21 17:19

原文由法无定法在2010-02-21 16:59发表

三星的BSI技术似乎不如索尼，CMOS填充系数好像只有57%，而索尼的接近100%。

不知你从何处获得的三星和sony的FF参数？

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鱼歪歪

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2010-02-21 17:17

原文由法无定法在2010-02-21 16:59发表

是的，目前CMOS-APS技术的焦点集中在BSI技术上，如果BSI技术能够普及，将扫除CMOS超越CCD的最后一个障碍。

三星的BSI技术似乎不如索尼，CMOS填充系数好像只有57%，而索尼的接近100%。

最新的消息，10年2月份nikon发布的 Coolpix P100也使用了BSI的cmos，应该是nikon在消费类DC市场的第一款cmos sensor产品。
http://www_dpreview_com/news/1002/10020303nikoncoolpix.asp
理光的CX1，CX3也是BSI的。
除此之外，JVC的HD DV：GZ-HD620用的也是BSI技术。
BSI技术，对于全画幅或者APS的感光面积来看。带来的性能的提升，并不如消费类DC的领域（1/2.3"或以下）提升得大。BSI技术，导致制作工艺与前照式（FSI）的工艺有很大不同。OV也是找的台积电代工制作，良率应该不是很高。所以成本也较高。
BSI的设计方法：

[鱼歪歪编辑于 2010-02-21 17:20]

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2010-02-21 16:59

原文由鱼歪歪在2010-02-21 16:52发表

使用BSI技术的CMOS SENSOR厂家，远不止OV和SONY这两家。
Aptina，Toshiba，Samsung都使用了此技术。富士的HS11也使用了背照式的CMOS SENSOR，而不是其传统的super ccd，就不知是自己的技术还是其他家的。
上张CMOS与CCD厂商市占率以及对BSI技术的措施：

是的，目前CMOS-APS技术的焦点集中在BSI技术上，如果BSI技术能够普及，将扫除CMOS超越CCD的最后一个障碍。

三星的BSI技术似乎不如索尼，CMOS填充系数好像只有57%，而索尼的接近100%。

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鱼歪歪

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2010-02-21 16:52

原文由法无定法在2010-02-21 11:48发表
日系厂商中是索尼而不是佳能一直在CMOS-APS传感器方面获得专利来摆脱美国人的控制，比如CMOS传感器的背光技术。采用背光技术的产品美国OmnVision公司发布的更早：

OmnVision开发CMOS传感器背面照明技术有望大幅提升相机性能
http://www_newmaker_com 2008-6-2 佳工机电网

OmniVision公司日前发布了Omni ......

使用BSI技术的CMOS SENSOR厂家，远不止OV和SONY这两家。
Aptina，Toshiba，Samsung都使用了此技术。富士的HS11也使用了背照式的CMOS SENSOR，而不是其传统的super ccd，就不知是自己的技术还是其他家的。
上张CMOS与CCD厂商市占率以及对BSI技术的措施：

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法无定法

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2010-02-21 16:51

原文由 pb46648111 在2010-02-21 13:52发表
LZ请教现在有没有既能有高分辩率,以应付扩片之需,又能得到高iso(6400与100相当),而且画质一流(与专业胶片相当),而且价格又在大众水平的数码相机解决方案.
因为时下,求高iso是d3s,求高分辨率是d3x(暂不说中画幅\大画幅后背),单买任何一机都只能满足一部分需要.如果二机全买,价格也不低了,接近购一台中画幅了.并且,d3s扩 ......

请教不敢当。我的观点是在目前的技术水平下，对尼康的DSLR而言，想要高分辨率，只能牺牲高感和宽容度买D3x，想要高感和更大的宽容度，只能买D3s。D3X的分辨率比D3s大了42%,但高感小了两档，宽容度小了1档。

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法无定法

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2010-02-21 16:24

原文由 nickwolfe 在2010-02-21 14:28发表
别继续扯淡了！
这个不是？

你就继续睁着眼睛说瞎话吧~~~~~

哈哈，我还以为你不会出现了呢。下面这几个网页你如何解释呢？

在http://www.canon.com.cn/specialsite/CMOS/index.htm的位置是下面这张图片。

还有http://www_canon_co_jp/imaging/cmos/noplugin.html

此外，难道你认为日经BP的记者大槻智洋下面这个说法是在造谣？

不过，这种含混不清在专利纠纷中是不允许的。拥有JPL专利的加利福尼亚理工大学于2008年10月，以专利侵害为由起诉了奥林巴斯、佳能、三星、索尼，松下、尼康。该大学主张对MOS基本技术拥有专利权。这个问题的最终结果对哪一方有利不得而知，但肯定会对鼻祖之争带来很大影响。

[法无定法编辑于 2010-02-21 16:30]

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nickwolfe

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2010-02-21 14:28

原文由法无定法在2010-02-21 12:39发表
而佳能网站上介绍其片上降噪技术的网页已经全部删除了。这说明索尼的技术没有侵权，而佳能的技术有侵权的嫌疑。

别继续扯淡了！

下面这个是什么？
http://cweb_canon_jp/camera/cmos/technology-j/noise_reduction.html

再看看这个？
http://web_canon_jp/technology/interview/hv10/hv10_p4.html

この一連のノイズ除去をオンチップノイズ除去回路といっています。オンチップ除去回路は、全国発明表彰で2004年に発明賞を受賞したノイズ除去技術がベースとなっているんですが、今やこの技術は業界の標準といっても過言ではないんです。

看得懂么？
佳能自己发明的传感器内置降噪电路，获得了日本2004年发明奖，而且成为业界技术标准。

再看看美国佳能的主页
http://www_canon_com/technology/s_labo/light/003/05/003.html

这个不是？

你就继续睁着眼睛说瞎话吧~~~~~

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pb46648111

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2010-02-21 13:52

LZ请教现在有没有既能有高分辩率,以应付扩片之需,又能得到高iso(6400与100相当),而且画质一流(与专业胶片相当),而且价格又在大众水平的数码相机解决方案.
因为时下,求高iso是d3s,求高分辨率是d3x(暂不说中画幅\大画幅后背),单买任何一机都只能满足一部分需要.如果二机全买,价格也不低了,接近购一台中画幅了.并且,d3s扩大片似有像素不够之忧.
倒底有没有解决方案?还是一直等下去,等下一次的技术革命?

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法无定法

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2010-02-21 13:03

原文由 up2009 在2010-02-21 12:44发表
回答问题，为啥佳能采用CMOS废了sony的CCD，
CMOS好在那里？
要回答到点子上，千万不要说CCD耗电。
你看了这个多资料，看看你内行不？

我本来是不回答你这种连首贴都没有看明白的问题。不过看在你是佳粉的面子上，回答你一次。首先，不是佳能废了CCD，而是美国佬，具体的人就是我说过的Eric R. Fossum。

至于佳能公司为何要采用CMOS传感器，我引用过的※※※中说的很清楚，其中重要的一条恰好就是CCD耗电（见下面的截图），至于其它的，我没有时间贴，而且与主题无关。

[法无定法编辑于 2010-02-21 13:04]

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head

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2010-02-21 12:44

很专业,很高深.
无可否认,大像素是王道.

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up2009

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2010-02-21 12:44

回答问题，为啥佳能采用CMOS废了sony的CCD，
CMOS好在那里？
要回答到点子上，千万不要说CCD耗电。
你看了这个多资料，看看你内行不？

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法无定法

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2010-02-21 12:39

索尼公司的EXMOR传感器还包括了集成CDS电路的列并行转换电路，以下是索尼网站的有关介绍：

列并行模数转换来增加速度

提速的关键是并行信号处理。CMOS传感器有将模拟信号转换为数字信号的模数（A/D）转换电路（图2）。在水平阵列组织数以千计的模数转换电路并允许其同时操作可以增加速度。用于SONY CMOS传感器的模数转换电路有一些重要特性，包括减少产生噪声的模拟电路尺寸以及自动的噪声消减。这种电路设计可在减低噪声的同时提高速度。

图2：列并行模数转换电路

从像素中的晶体管读出像素信号。但在数百万个像素中，每个像素中的晶体管存在着不同的阈值电压，这些不同可通过读取原始的像素信号（VSIG）来消减，这是通过读出每个晶体管的初始值（复位电平，VRST）和对应入射光的信号电平（VSIG+VRST）二者之间的差异即相关双采样（CDS）来实现的。Sony的CMOS传感器执行CDS（相关双采样）操作是指数字信号处理。

图3：A/D转换技术时序图

1 在计数器下计数期间检测复位电平（VRST）（初次数字采样）。

2 复位电平检测后，在上计数期间从计数器值被存储的状态检测信号电平（VSIG+VRST）（第二次数字采样）

3 通过从最终计数值（VSIG+VRST）减去复位电平（VRST）检测净信号值（VSIG）。这种数字减法也能用于抵消每列比较器的规格差异，并且以这种方式来转移用于比较的斜波。这允许以最小的噪声进行快速的模数转换。
http://www_sony_net/SonyInfo/technology/technology/theme/cmos_02.html

实际上这是索尼公司绕开美国人专利的一种做法，而不是如有些人以为的那样是为了绕开佳能的专利。理由很简单，关于介绍这个技术的网页目前仍然在SONY的网站上，而佳能网站上介绍其片上降噪技术的网页已经全部删除了。这说明索尼的技术没有侵权，而佳能的技术有侵权的嫌疑。

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