大像素还是高像素？

主题：大像素还是高像素？ [主题管理员:法无定法]

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padfield

泡菜

泡网分: 8.28

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2011-01-19 00:58

单一大像素影纯色无瑕全平光画面应是无敌的！

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第 1596 帖

fanson8272

泡菜

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帖子: 1481

2011-01-19 00:44

记得论坛之前讨论过用D700插值的，效果很好，有需要的同学可以考虑插值嘛，其实这样更好，想放大的不过就几张而已。

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第 1595 帖

老編外

泡菜

泡网分: 3.642

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帖子: 400

2011-01-19 00:10

看过此帖后，觉得整天拿测试图歪歪1200万像素不够的人该去这里看看

https://forum.xitek.com/showthread.php?threadid=770681

也不知你们嚷嚷着用高像素做嘛用，是出10米以上的巨幅海报？哪来那么多巨幅让你去做啊？
即使你高像素了又咋地，送去输出中心那里人家还是给你大间隔大像素喷了，你的像素优势必须得服从输出现实吧，是不是。

再说了，你就是6000万像素又咋样？美国花花公子画报精美吧，其挂网输出最高分辨率还是175线嘛，对不对。我知道，这个175线最高分辨率的国际印刷标准一定会令你私下里傻眼并感到尴尬。那你又何必在这里找平衡啊。

在无忌俺还从未见到过整天嚷嚷高像素的人用高像素相机开过像老孙那样精致的帖子。
几P不足为耀吧，要像老孙那样群P才过瘾～哈！

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第 1594 帖

oldseniu

资深泡菜

泡网分: 20.758

主题: 4

帖子: 2289

2011-01-18 23:38

楼主继续。。楼主继续。。有时候问题研究的太细反而失去方向。

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第 1593 帖

老編外

泡菜

泡网分: 3.642

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帖子: 400

2011-01-18 23:35

原文由法无定法在2011-01-18 23:32发表

谢谢老编兄提供链接。老孙兄说过，1200万像素对他来说足够了。许多鼓吹高像素的人就没有什么高清晰的片子拿得出手，只会拿巴掌大小，糊得一塌糊涂的片子说事。哈哈！

我是大像素高感器材的顽固崇拜者，D3S被老孙表现的如此之好，想必尼康厂也没想到吧。
真的太给力啦！

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第 1592 帖

法无定法

资深泡菜

泡网分: 51.258

主题: 25

帖子: 8116

2011-01-18 23:32

原文由老編外在2011-01-18 23:27发表
建议法老将此帖作为实用参考链接（大像素高感拍摄的典范）
https://forum.xitek.com/sorthread.php?threadid=770681&pagenumber=7

[老編外编辑于 2011-01-18 23:28]

谢谢老编兄提供链接。老孙兄说过，1200万像素对他来说足够了。许多鼓吹高像素的人就没有什么高清晰的片子拿得出手，只会拿巴掌大小，糊得一塌糊涂的片子说事。哈哈！

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第 1591 帖

identify

资深泡菜

泡网分: 18.854

主题: 32

帖子: 5039

2011-01-18 23:27

这贴死灰复燃啊
其实5D2cmos也很好啦开口率够大更多光线能用上还用了啥无缝透镜。
D3x只是在iso400一下领先佳能全副但是那个曲线上升的很神奇。
佳能要做的就是在低感画质上给力。

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第 1590 帖

老編外

泡菜

泡网分: 3.642

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帖子: 400

2011-01-18 23:27

建议法老将此帖作为实用参考链接（大像素高感拍摄的典范）
https://forum.xitek.com/sorthread.php?threadid=770681&pagenumber=7

[老編外编辑于 2011-01-18 23:28]

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第 1589 帖

法无定法

资深泡菜

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2011-01-18 23:25

原文由 7-11 在2011-01-18 01:20发表
本底噪声（noise floor）是否还有降低的潜力。本底噪声的一部分，是室温（300K)下的热噪声。成像传感器必须对可见光敏感。这注定了热动能为1-2个电子伏的热电子势必引起噪声。当前的本底噪声与这个物理极限还有多大距离？

如果本底噪声还可能进一步降低，那么像素密度就可以在保持高感质量的前提下进一步提高。

只要不是绝对零度，就会有噪声，所以无论怎么改进，本底噪声都会存在，因此就会有阈值存在。这个阈值的存在表明对宽容度的提升是有极限的，不可能无限大。与像素密度没有什么关系。

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第 1588 帖

法无定法

资深泡菜

泡网分: 51.258

主题: 25

帖子: 8116

2011-01-18 23:19

原文由 7-11 在2011-01-18 01:20发表

给定像素大小，最大阱容原则上是可以通过增加半导体搀杂浓度，提高基态电子密度来提高的。这是一个工艺问题，实际情况除非厂家内部人士无法了解。但是Clark的数据，原则上是有可能的。
......

还是将首贴的相关内容再贴一遍吧：

按照Clark给出的数据：

5D2传感器的长边有5616个像素，短边为3744个像素。长边边长为36毫米，短边边长为24毫米。像素的长边为36/5616 = 6.41微米，短边为24/3744 = 6.41微米，面积为41.09平方微米。

D3传感器的长边有4256个像素，短边有2832个像素。长边边长36毫米，短边边长23.9毫米。像素的长边=36/4256 = 8.46微米，短边 = 23.9/2832 = 8.44微米，面积为71.38平方微米。D3的像素面积是5D2的1.74倍。

按照Clark给出的1700个电子/平方微米的密度来确定最大阱容，5D2的最大阱容为1700 X 41.09 = 69,855个电子，与给出的65,700接近。因此，D3的最大阱容为65700 X 1.74 = 114,100个电子。

按照Clark给出的数据，D3的读出噪声为4.9，线性动态范围 = 最大阱容/读出噪声，D3的线性动态范围 = 114100/4.9 = 23286。虽然仍然小于5D2的26300，但已经高于5D和1DMKII的20000以及1DMKIII的17500，折算为档约在14.5左右（位于5D的14.3和5D2的14.7之间）。

Clark在网页中提到其D3数据的来源：

Nikon D3 info derived from references 16 and 21; Reference 21 derives a saturated full well capacity of 65,568 electrons. This is in contrast to the stated (December 2007) 340,000 electrons in reference 16 (which is several times the full well capacity on a per square micron basis that any other CMOS or CCD sensor). For example, 340,000 gives 4761 electrons per square micron much higher than any published value I have seen. I will use ~137,000 electrons as the full well, which gives 1918 electrons / sq. micron, still a value that is probably too high.
http://www_clarkvision_com/imagedetail/digital.sensor.performance.summary/

其中参考资料21(http://www_brisk_org_uk/photog/d35dcomp.html)给出了D3在ISO 200时的最大阱容为65,568个电子，但作为对比的5D在ISO 100时为61,900个电子,比D3还要低，按照这两个数值，D3的电子密度为918个/每平方微米，5D的电子密度为920个电子/每平方微米，均远低于1700个电子的理论密度。Clark在上图中5D的最大阱容是80,000个电子，比参考资料21给出的61,900高得多。按照上图中给出的数据，5D2的电子密度则为1600个电子/每平方微米。Clark给出1DMKII的最大阱容为79,900个电子，对应的电子密度为1,193个电子/平方微米，都比5D2的电子密度要小得多。如果D3按Clark上面所说137,000个电子的最大阱容计算，D3的线性动态范围将达到27,959，超过5D2。如果D3的最大阱容按5D2最大阱容的1.74倍算出的114,100个电子，则电子密度为1592个电子/平方微米，小于1700个电子/平方微米，与5D2一样。所以，Clark在确定D3的最大阱容以及动态范围时使用的数据是有问题的。
==================

由于D3单个像素的面积是5D2的1.74倍，如果5D2的单个像素的最大阱容与D3一样大，其电子密度就不可能是Clark给出的1700个电子/每平方微米理论值，而是1700x1.74=2598个电子/每平方微米,与Clark自己给出的数据是矛盾的。此外，像素密度高意味着像素之间的隔离区会变窄，电荷更容易溢出，限制了电荷密度的提升。所以，Clark的数据无论从原则上还是在实践中都是不可能的。

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第 1587 帖

法无定法

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2011-01-18 22:57

原文由 7-11 在2011-01-18 01:20发表
这个问题上，没友附加的A/D转换器，并不意味着传感器不对图像亮度的空间分布进行数字化。像素阵列本身就是“对图像亮度的空间分布”的A/D转换器。

或者说，像素阵列对模拟源图像进行了 “离散化”近似。这一近似的精度与像素的密度是直接相关的。
......

任何数码传感器像素的坐标位置都是数字的，这就是我要说的意思。而单个像素对光强的感知是模拟量，需要经过A/D转换。不知道您不清楚的是什么？

[法无定法编辑于 2011-01-18 22:58]

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第 1585 帖

法无定法

资深泡菜

泡网分: 51.258

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2011-01-18 22:49

原文由 7-11 在2011-01-18 01:20发表
是否能给出 5D2 ISO 误标的实际证据。 ISO 标称是可以严格测试的，差 1／3档也许可能，但是差整整一档？同样光圈，快门，ISO, 5D2 是否比D3 欠暴或过暴.

单从 5D2 像素小，但是高感不差，就说5D2 高感误标，是否有些本末倒置？

5D2虚标ISO的证据在首贴中已经提供过多种了，再贴一遍：

1DsMKIII的有效像素为2110万，分辨率5616×3744，官方给出的ISO范围为ISO 100–3200，比D3x高一档，低于D3一档，还是比较靠谱的。5D2的像素数量以及分辨率与1DsMKIII一样（据说用的也是同一块传感器），ISO却标定为ISO 100–6400就不那么靠谱了。从实际拍摄的表现看，5D2在高ISO暗光情况下明显不如D3和D700，所以只能认为其ISO标定的水份较大。
...
从Clark在其网页的Table 3b表中给出的数据可以看出，从ISO200起，D3在每一档ISO上，单位增益ISO都比5D2高出一倍：

ISO200，5D2为2.03，D3为4.1，ISO400，5D2为1.01，D3为2.1，ISO800，5D2为0.51，D3为1.1，ISO1600，5D2为0.25，D3为0.5，ISO3200，5D2为0.127，D3为0.25。

显然，大像素的D3在高ISO方面比5D2高出一档，也就是如上图所示。在同样光圈/快门下，小像素的S70在ISO100时的感光度，只相当于5D2设在ISO1600，D3设在ISO3200时的感光度。这表明从ISO200开始，5D2的感光度只相当于D3的一半，也就是D3可以比5D2感受更弱的光。
...

用我的D3关闭机内降噪后，测试结果如下：
ISO 噪点数
100 0
200 362
400 8824
1600 531646
3200 2346234
6400 8332766

借了一台5D2，测试结果如下：
ISO 噪点数
100 293888
200 45323
400 465
1600 47096
3200 1344938
6400 11325530

显然，D3的降噪比5D要好得多。5D2的数据比较特别，可能是我不会用，不知道如何关闭其机内降噪，所以其机内降噪从ISO 200就开始工作，使得ISO200、ISO 400、ISO 1600的噪点数比ISO 100的还少。同时，由于5D2的像素比D3多了近一倍，其噪点数量多于D3很正常（像素越多，不一致性就越大，噪点也会越多）。因此可以认为二者的降噪技术在同一水平。

由于D3的读出噪声与5D2相当，但D3的像素面积是5D2像素面积的1.74倍，如果二者的溢出电荷密度相当，则D3的动态范围将是5D2的1.74倍，大了近一档。而不是Clark所认为的小了近一档。

根据Clark计算的单位增益（Unity Gain），D3的高感比5D2至少大一档。因此我们有理由认为：5D2的ISO比D3虚高了一档。如果严格按照ISO 12232的国际标准，5D2的宽容度比D3小一档。

[法无定法编辑于 2011-01-18 22:52]

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第 1584 帖

法无定法

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2011-01-18 22:40

原文由 7-11 在2011-01-18 01:20发表
果我们同意全副在高ISO噪声方面的先天优势，那么请看如下※※事实:
1Ds 全副 2002 年推出，1DsII, 全副 2004 年推出, 1DsII, 全副 2007 年推出.
D3, 全副 2007 年推出.
5D 全副 2005 年推出, 5D2, 全副 2008 年推出.
D700, 全副 2008 年推出.
是否也可以说，D3 的推出，标志着Nikon突破了DX 画幅的局限？

（※※已成※※，我这是插科打诨而已）

D3， D700, D3s, D3x 的出现确实给Canon 全副产品线带来了压力。Canon必须以更好的产品来保持它的市场占有率，对Canon用户是好事。
......

全幅由于面积大，可以有两种不同的选择：1、高像素密度，在同样面积中塞进更多的象素来提高分辨率；2、保持像素的数量不变，加大每个像素的尺寸来提高高感能力和宽容度。

尼康的D3是采用第二种方案的第一款产品。到目前为止，只有尼康公司在全幅上既提供高像素产品（D3x），又提供大像素产品（D3、D700、D3s），而佳能只提供第一种方案的产品。

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第 1583 帖

老編外

泡菜

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2011-01-18 22:32

法老这贴沉了很久，新年里看来又要火爆啦

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第 1582 帖

法无定法

资深泡菜

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2011-01-18 22:29

原文由 7-11 在2011-01-18 03:52发表
为什么微透镜的原理在CCD器件和CMOS器件上是不同的？

微透镜的原理在CCD器件和CMOS器件上是一样的，区别在于CCD的光电二极管上面没有元器件及电路遮挡，而普通的非背照式CMOS器件的光电二极管上面有元器件及电路遮挡。

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第 1581 帖

法无定法

资深泡菜

泡网分: 51.258

主题: 25

帖子: 8116

2011-01-18 22:22

原文由 7-11 在2011-01-18 11:08发表
法无定法兄能不能解释一下，CCD 和CMOS 的微透镜，原理上有什么不同。

为什么，用了微透镜，“CCD的填充系数可以看作是1”，“相当于使用了 SONY的背照式技术”。

而“CMOS传感器不仅受到CMOS填充系数的影响，同时还会受到微透镜覆盖率的影响”，“其综合填充系数为CMOS填充系数X透镜覆盖率”。

我以为微透镜都是 ......

抱歉，现在才回复。这个问题我在首贴中已经解释过了：

CMOS传感器与CCD传感器的主要区别在于CMOS传感器将放大器等晶体管以及相关的金属布线做到了像素里面。因此，在势阱中存储的光生电荷形成的电压可以在像素内通过放大器放大后经过金属布线输出。而CCD势阱中存储的光生电荷是通过电荷通道输出至 CCD 像素外的放大器进行放大后输出。因此，CMOS传感器的每个像素至少有3个晶体管（1个放大管、两个门管）以及相应的金属布线。而CCD像素中没有这些东西。

下图是SONY的Exmor R CMOS背面照明技术感光元件与传统CMOS感光元件的区别。

如图所示，由于传统CMOS传感器（左边）的金属布线在光电二极管的上面，因此会遮挡住一部分入射的光线，减少光通量，同时还会反射一部分光线造成噪声。因此，传统的CMOS传感器与CCD传感器比较，光电二极管的受光面积会减少。CMOS像素光电二极管的实际受光面积与其本身受光面积的比值就叫做填充系数（fill factor）或者开口率。

由于填充系数（fill factor）或开口率这个概念从逻辑上来说是一个种概念，笼统地讲填充系数或开口率不但说明不了问题而且会制造混乱。因此，有必要对不同含义的填充系数进行准确的定义，尽管这些定义未必与某些文献或资料上的一致，但由于还没有一致公认的定义，我将在使用这些概念时进行定义并加以说明。所以，上述填充系数（fill factor）或开口率的概念或术语是特指CMOS填充系数（fill factor）或开口率，其内涵定义为：CMOS像素光电二极管的实际受光面积与其本身受光面积的比值。以下说到CMOS填充系数时其含义就是指的这个定义。

而SONY的背照式技术将金属布线做到了光电二极管的背面，光线可不受阻碍的全部照射到光电二极管的受光面上。因此，Exmor R CMOS传感器（右边）的CMOS填充系数接近1或100%。

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第 1580 帖

audiomeet

禁言中

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帖子: 1627

2011-01-18 12:57

最近“数学家们”很是忙啊，先拍点片吧

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第 1579 帖

7-11

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2011-01-18 11:08

法无定法兄能不能解释一下，CCD 和CMOS 的微透镜，原理上有什么不同。

为什么，用了微透镜，“CCD的填充系数可以看作是1”，“相当于使用了 SONY的背照式技术”。

而“CMOS传感器不仅受到CMOS填充系数的影响，同时还会受到微透镜覆盖率的影响”，“其综合填充系数为CMOS填充系数X透镜覆盖率”。

我以为微透镜都是为了将光子导入CCD或CMOS的感光区域，所以，使用了100％微透镜后，CMOS的填充系数也可以看作是1，相当于使用了背照式技术。

原文由 7-11 在2011-01-18 15:52发表
    引用:原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
    由于CMOS传感器不仅受到CMOS填充系数的影响，同时还会受到微透镜覆盖率的影响，因此对使用CMOS 传感器的D3、5D2和7D来说，其综合填充系数为CMOS填充系数X透镜覆盖率。如果D3的CMOS填充系数为0.8，透镜覆盖率为0.9，则综合填充系数D3为0.8X0.9=0.72，5D2为 0.65X0.827 = 0.538，7D为0.23X0.61 = 0.142

    引用:原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
    CCD器件没有CMOS器件特有的CMOS填充系数问题。如上图所示，虽然光电二极管（蓝色部分）也只是像素的一部分，但通过微透镜可以将整个像素面积上的所有光线都集中到光电二极管的受光面积上，因为势阱与光电二极管在同一个平面上，所以不会阻挡光线。因此，CCD的CMOS填充系数可以看作是1，或开口率为100%。这就是为何很多小DC用CCD器件的原因，如果撇开CCD器件的其它问题（如大尺寸传感器成品率低等），用CCD器件相当于使用了 SONY的背照式技术CMOS。

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第 1578 帖

qulin86

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2011-01-18 09:18

原文由雨中赏花在2011-01-18 08:24发表

没有对焦,镜头，拿个机身直接照啊！
现阶段，大的低像素对分辨率的提升到底比小的高像素好还是差，目前还真没有定论，我倒是感觉大的像素采集的光信号更多一点，还原的更准确一点，我在对比220镜头的时候，就发现了大马三的某些细节莫名其妙的丢失了，而D3的还在，当时还认为是镜头的问题，现在看来，一个可能是算法， ......

脑子都乱了，这个帖子主要讨论大像素还是多像素。
楼主也早说了请发言者遵守讨论问题的基本原则：即不能偷换概念。

像素对分辨率的影响远远超大底，同时代的相机高像素分辨率比大像素分辨率高，各评测网站明摆着，也就是你没有定论。

要不你要找出一个低像素分辨率高于高像素的我们看看？

645比d3x底和像素都高，分辨率应该高，这有什么可讨论的？
但高感645相比d3x倒是应该讨论讨论。

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第 1577 帖

qulin86

资深泡菜

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帖子: 5951

2011-01-18 09:14

原文由刘云飞在2011-01-18 01:52发表
这个说法儿我是同意的.

d3s分辨率都不如g12,更不如550d了。

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第 1576 帖

雨中赏花

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年内主力装备

NIKON D3X

NIKON D4

Canon EOS-1Ds Mark III

NIKON D5

GFX100S

2011-01-18 08:24

原文由 qulin86 在2011-01-17 09:29发表

这个帖子难道不是讨论大像素和多像素吗？
又开始对焦、三脚架、镜头了？是分辨率和这些都有关系，和这个帖子无关吧？

现价段像素再大，对分辨率贡献不大，多像素是关键。

没有对焦,镜头，拿个机身直接照啊！
现阶段，大的低像素对分辨率的提升到底比小的高像素好还是差，目前还真没有定论，我倒是感觉大的像素采集的光信号更多一点，还原的更准确一点，我在对比220镜头的时候，就发现了大马三的某些细节莫名其妙的丢失了，而D3的还在，当时还认为是镜头的问题，现在看来，一个可能是算法，另一个可能就是小像素采集的光信号少了，类似的帖子还有645D和D3X的对比，D3X的发丝细节和645D对比，丢失明显，很显然D3X没能准确还原，而这些丢失的发丝，绝不是像素低造成的。

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第 1575 帖

7-11

泡菜

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帖子: 490

2011-01-18 03:52

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
由于CMOS传感器不仅受到CMOS填充系数的影响，同时还会受到微透镜覆盖率的影响，因此对使用CMOS 传感器的D3、5D2和7D来说，其综合填充系数为CMOS填充系数X透镜覆盖率。如果D3的CMOS填充系数为0.8，透镜覆盖率为0.9，则综合填充系数D3为0.8X0.9=0.72，5D2为 0.65X0.827 = 0.538，7D为0.23X0.61 = 0.142

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
CCD器件没有CMOS器件特有的CMOS填充系数问题。如上图所示，虽然光电二极管（蓝色部分）也只是像素的一部分，但通过微透镜可以将整个像素面积上的所有光线都集中到光电二极管的受光面积上，因为势阱与光电二极管在同一个平面上，所以不会阻挡光线。因此，CCD的CMOS填充系数可以看作是1，或开口率为100%。这就是为何很多小DC用CCD器件的原因，如果撇开CCD器件的其它问题（如大尺寸传感器成品率低等），用CCD器件相当于使用了 SONY的背照式技术CMOS。

为什么微透镜的原理在CCD器件和CMOS器件上是不同的？

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第 1574 帖

7-11

泡菜

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2011-01-18 01:56

道理讲不过了，就开始从“证人可信度”上着手？

律政题材电视剧看多了？

说到“算术”，数码成像是一个工程技术领域，不做算术行吗？一台相机，或一个镜头／机身系统，它的终极使命是在技术和成本允许的前提下，为摄影师（在我的身上，叫拍照的那家伙）提供最大的艺术创作的自由度。而“技术和成本” 都是需要“算术”地。

原文由 audiomeet 在2011-01-18 13:36发表
引用:原文由 audiomeet 在2011-01-18 01:32发表
某些人算术算的一溜一溜的注册这么多年就是没见几个片子，摄影论坛是算术论坛？没片的我认为不配讨论，讨论要以片子为基础。

[7-11 编辑于 2011-01-18 02:04]

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第 1573 帖

刘云飞

资深泡菜

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帖子: 11110

2011-01-18 01:52

这个说法儿我是同意的.

原文由法无定法在2011-01-17 20:46发表
......
分辨率的比较是对100%放大而言的，如果达到理论清晰度，比如550D拍出来的片子，按照300DPI的精度打印，可以打印水平宽为17.28吋，高为11.52吋的图像，而D3s可以打印宽14.19吋，高为9.44吋的图像而不需要缩放。因此，如果打印的尺寸小于14.19x9.44，二者没什么差别，如果超过17.28x11.52，二者都要放大，只是前者放大的比例要小一些，看起来要精细一些。
......

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第 1572 帖

audiomeet

禁言中

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帖子: 1627

2011-01-18 01:36

原文由 audiomeet 在2011-01-18 01:32发表
某些人算术算的一溜一溜的注册这么多年就是没见几个片子，摄影论坛是算术论坛？没片的我认为不配讨论，讨论要以片子为基础。

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第 1571 帖

noisy0083

资深泡菜

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帖子: 8536

2011-01-18 01:33

还是高像素的好。。。。

来个5000万像素，至少是照片，哪怕画质不咋地。。

来个1像素（够大了吧）只能叫光电二极管，不叫相机。。。

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第 1570 帖

7-11

泡菜

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帖子: 490

2011-01-18 01:20

此帖不错，广征博引。花了些时间拜读，颇有收益。但是有几处含混，敬请澄清：

1。

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
如果说在D3出现之前，厂家发布的数据只有像素的数量才是衡量相同画幅数码相机性能的唯一指标的话，那么，D3的出现彻底改变了这一点。不仅像素的数量和密度是衡量性能的指标，能够设置到多高ISO也成了衡量数码相机的重要指标。D3在市场上的成功使得佳能也开始在提高ISO上下功夫。。。

如果我们同意全副在高ISO噪声方面的先天优势，那么请看如下※※事实:
1Ds 全副 2002 年推出，1DsII, 全副 2004 年推出, 1DsII, 全副 2007 年推出.
                                                                                       D3,  全副 2007 年推出.
                                           5D  全副 2005 年推出,     5D2, 全副 2008 年推出.
                                                                                       D700, 全副 2008 年推出.
是否也可以说，D3 的推出，标志着Nikon突破了DX 画幅的局限？

（※※已成※※，我这是插科打诨而已）

D3， D700, D3s, D3x 的出现确实给Canon 全副产品线带来了压力。Canon必须以更好的产品来保持它的市场占有率，对Canon用户是好事。

2。

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
所以只能认为其ISO标定的水份较大。。。。。。
5D2的ISO比D3虚高了一档。。。。。。

是否能给出 5D2 ISO 误标的实际证据。 ISO 标称是可以严格测试的，差 1／3档也许可能，但是差整整一档？同样光圈，快门，ISO, 5D2 是否比D3 欠暴或过暴.

单从 5D2 像素小，但是高感不差，就说5D2 高感误标，是否有些本末倒置？

3。

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
由于CMOS传感器不仅受到CMOS填充系数的影响，同时还会受到微透镜覆盖率的影响，因此对使用CMOS传感器的D3、5D2和7D来说，其综合填充系数为CMOS填充系数X透镜覆盖率。如果D3的CMOS填充系数为0.8，透镜覆盖率为0.9，则综合填充系数D3为0.8X0.9=0.72，5D2为 0.65X0.827 = 0.538，7D为0.23X0.61 = 0.142。

这点不敢苟同。微透镜之所以有用正是因为它们将更大面积上的光线，聚焦到像素的受光面积上，提升填充系数。所以，最终的填充系数应该是：“max(微透镜覆盖率, CMOS填充系数)”, 而不是 “微透镜覆盖率 x CMOS填充系数”。这个命题的一个推论是：背照是传感器在DSLR 上的意义不大。除了能够减小光线必须经过的半导体介质的厚度，从而减小光线在到达感光体之前的衰减，提高总体光电转换效率。

4。

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
此外，每个像素的坐标位置如同计算机的内存单元一样，是通过行、列的选通电路来获取的，直接就是数字信号，不需要A/D转换

这个问题上，没友附加的A/D转换器，并不意味着传感器不对图像亮度的空间分布进行数字化。像素阵列本身就是“对图像亮度的空间分布”的A/D转换器。

或者说，像素阵列对模拟源图像进行了 “离散化”近似。这一近似的精度与像素的密度是直接相关的。

5。

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
然而，Clark的数据中5D2的最大阱容是65700，而D3是65600。这显然是有问题的。

给定像素大小，最大阱容原则上是可以通过增加半导体搀杂浓度，提高基态电子密度来提高的。这是一个工艺问题，实际情况除非厂家内部人士无法了解。但是Clark的数据，原则上是有可能的。

6.

原文由法无定法在2009-12-30 06:53发表
读出噪声（read noise）用电子数表达，表示弱信号时的本底噪声（noise floor）。例如，读出噪声是10个电子，在一次曝光中如果一个像素中仅有一个光子转换为电子，信号将在噪声中消失。

本底噪声（noise floor）是否还有降低的潜力。本底噪声的一部分，是室温（300K)下的热噪声。成像传感器必须对可见光敏感。这注定了热动能为1-2个电子伏的热电子势必引起噪声。当前的本底噪声与这个物理极限还有多大距离？

如果本底噪声还可能进一步降低，那么像素密度就可以在保持高感质量的前提下进一步提高。

[7-11 编辑于 2011-01-18 01:30]

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第 1569 帖

audiomeet

禁言中

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帖子: 1627

2011-01-18 01:14

从几个高像素机玩到大像素的飘过

真正拍片的是不会每天用计算器去算的，而是用眼睛看的。

算术还是留给理论家吧。

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第 1568 帖

7-11

泡菜

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2011-01-18 00:08

错，缩放算法的好坏是可以客观的，量化的比较的。

缩图对噪声的降低，绝不是简单的丢掉某些像素。而是由统计上的 “均方差”随样品数的平方根增长的定理决定的。

原文由有闲人在2011-01-18 10:12发表

嗯，我也觉得无论往大里算还是往小里算，某种程度上都是“猜”，猜就有风险，就不如原始记录的
好像没有问题了，法兄辛苦

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第 1567 帖

有闲人

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2011-01-17 22:12

原文由法无定法在2011-01-17 21:55发表

缩小算法也是通过计算均方差之类的来找出需要去掉的点，如果算法不好的话还会丢失关键的信息，并且缩小比例越大，越有可能丢失关键信息。因此，缩小不仅不能提高剩余象素的质量，还有可能损失图像质量。

嗯，我也觉得无论往大里算还是往小里算，某种程度上都是“猜”，猜就有风险，就不如原始记录的
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